Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

BD87524YFV-CE2

EMARMOUR™, op-amp CMOS rail-to-rail ngõ vào/ngõ ra công suất ngõ ra cao, khả năng chống nhiễu EMI xuất sắc cho ô tô

BD87524YFV-C là op-amp CMOS rail-to-rail ngõ vào/ngõ ra. Dải điện áp hoạt động rộng từ 4V đến 15V.

BD87524YFV-CE2, SSOP-B14

Thông số

Mã nhà sản xuất
BD87524YFV-CE2
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
SSOP-B14
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
Mã gốc (Base Part No.)
BD87524YFV-C
Kiểu đóng gói (Packing)
Cuộn băng (Taping)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
2500
Cấp nhạy ẩm (MSL)
1
Kênh
4
Vỏ
SSOP-B14
Mã tham chiếu
TSSOP-14
Kích thước vỏ [mm]
5.0x6.4 (t=1.35)
Nguồn cấp (Min.) [V] (+5V=5, ±5V=10)
4
Nhiệt độ hoạt động (Min.) [°C]
-40
Nhiệt độ hoạt động (Max.) [°C]
125
Nguồn cấp (Max.) [V] (+5V=5, ±5V=10)
15
Dòng mạch (Typ.) [mA/ch]
1.975
Dải điện áp đầu vào [V]
VSS đến VDD
Dải điện áp đầu ra [V]
VSS+0.03 đến VDD-0.05
Điện áp lệch đầu vào (Max.) [mV]
1
Điện áp nhiễu tương đương đầu vào (Typ.) [nV/√Hz]
50
GBW (Typ.) [MHz]
2.3
Dòng điện đầu ra (Typ.) [mA]
16.5
Tốc độ biến thiên (slew rate) (Typ.) [V/µs]
2.4
Độ lợi điện áp (Typ.) [dB]
110
Dòng phân cực đầu vào (Typ.) [nA]
0.001
CMRR (Typ.) [dB]
85
PSRR (Typ.) [dB]
90
Tiêu chuẩn chung
AEC-Q100 (cấp ô tô)
Tải datasheet (PDF)

Thông tin chi tiết

BD87524YFV-C là op-amp CMOS rail-to-rail ngõ vào/ngõ ra. Dải điện áp hoạt động rộng từ 4V đến 15V. Op-amp này phù hợp nhất cho các yêu cầu ô tô như bộ khuếch đại cảm biến, bộ điều khiển động cơ (ECU), trợ lực lái điện, hệ thống chống bó cứng phanh, v.v. vì có khả năng điều khiển ngõ ra cao. Ngoài ra, chúng có ưu điểm chịu EMI, giúp dễ thay thế sản phẩm thông thường hoặc đơn giản hóa thiết kế EMI.

Tính năng chính

  • Dòng EMARMOUR™
  • Đạt chuẩn AEC-Q100 (Grade 1)
  • Rail-to-rail ngõ vào/ngõ ra
  • Dải điện áp nguồn hoạt động rộng
  • Slew rate cao
  • Khả năng điều khiển ngõ ra cao

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
BD87554YFV-CE2

ROHM SemiconductorBD87554YFV-C là op-amp CMOS rail-to-rail ngõ vào/ngõ ra. Dải điện áp hoạt động rộng từ 4V đến 15V.

SSOP-B14

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD87581YG-CTR

ROHM SemiconductorBD87581YG-C là op-amp CMOS rail-to-rail ngõ vào/ngõ ra. Dải điện áp hoạt động rộng từ 4V đến 14V.

SSOP5

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD87582YFVM-CTR

ROHM SemiconductorBD87582YFVM-C là op-amp CMOS rail-to-rail ngõ vào/ngõ ra. Dải điện áp hoạt động rộng từ 4V đến 14V.

MSOP8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD87584YFV-CE2

ROHM SemiconductorBD87584YFV-C là op-amp CMOS rail-to-rail ngõ vào/ngõ ra. Dải điện áp hoạt động rộng từ 4V đến 14V.

SSOP-B14

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BU7241G-TR

ROHM SemiconductorOp-amp CMOS điện áp thấp tích hợp một, hai hoặc bốn op-amp full swing ngõ ra độc lập và tụ bù pha trên một chip. Đặc biệt, dòng này hoạt động được với điện áp thấp, dòng tiêu thụ thấp và dòng phân cực ngõ vào thấp.

SSOP5

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BU7241SG-TR

ROHM SemiconductorOp-amp CMOS điện áp thấp tích hợp một, hai hoặc bốn op-amp full swing ngõ ra độc lập và tụ bù pha trên một chip. Đặc biệt, dòng này hoạt động được với điện áp thấp, dòng tiêu thụ thấp và dòng phân cực ngõ vào thấp.

SSOP5

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BU7241YG-CGTR

ROHM SemiconductorBU7241YG-C là op-amp CMOS full swing ngõ vào/ngõ ra điện áp thấp, hoạt động trong dải nhiệt độ rộng và dòng tiêu thụ thấp. Phù hợp cho bộ khuếch đại cảm biến và thiết bị chạy bằng pin cần dòng phân cực ngõ vào thấp.

SSOP5

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BU7242F-E2

ROHM SemiconductorOp-amp CMOS điện áp thấp tích hợp một, hai hoặc bốn op-amp full swing ngõ ra độc lập và tụ bù pha trên một chip. Đặc biệt, dòng này hoạt động được với điện áp thấp, dòng tiêu thụ thấp và dòng phân cực ngõ vào thấp.

SOP8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá