Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

BD7562F-E2

Op-amp full swing ngõ vào-ngõ ra tốc độ cao

Dòng op-amp CMOS điện áp cao của ROHM (BD7561, BD7541, BD7562 và BD7542) tích hợp bù pha, hoạt động full swing ngõ vào / ngõ ra, và 1 hoặc 2 mạch trên một chip.

BD7562F-E2, SOP8

Thông số

Mã nhà sản xuất
BD7562F-E2
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
SOP8
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
Mã gốc (Base Part No.)
BD7562F
Kiểu đóng gói (Packing)
Cuộn băng (Taping)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
2500
Cấp nhạy ẩm (MSL)
1
Kênh
2
Vỏ
SOP8
Mã tham chiếu
SOIC-8
Kích thước vỏ [mm]
5.0x6.2 (t=1.71)
Nguồn cấp (Min.) [V] (+5V=5, ±5V=10)
5
Nhiệt độ hoạt động (Min.) [°C]
-40
Nhiệt độ hoạt động (Max.) [°C]
85
Nguồn cấp (Max.) [V] (+5V=5, ±5V=10)
14.5
Dòng mạch (Typ.) [mA/ch]
0.45
Dải điện áp đầu vào [V]
VSS đến VDD
Dải điện áp đầu ra [V]
VSS+0.1 đến VDD-0.1
Điện áp lệch đầu vào (Max.) [mV]
9
GBW (Typ.) [MHz]
1
Dòng điện đầu ra (Typ.) [mA]
8
Tốc độ biến thiên (slew rate) (Typ.) [V/µs]
0.9
Độ lợi điện áp (Typ.) [dB]
95
Dòng phân cực đầu vào (Typ.) [nA]
0.001
CMRR (Typ.) [dB]
60
PSRR (Typ.) [dB]
80
Tải datasheet (PDF)

Thông tin chi tiết

Dòng op-amp CMOS điện áp cao của ROHM (BD7561, BD7541, BD7562 và BD7542) tích hợp bù pha, hoạt động full swing ngõ vào / ngõ ra, và 1 hoặc 2 mạch trên một chip. Ngoài ra, dải điện áp hoạt động rộng từ 5.0V đến 14.5V (nguồn đơn), kết hợp với dòng tiêu thụ thấp và dòng phân cực ngõ vào cực thấp, giúp chúng lý tưởng cho mọi loại ứng dụng.

Tính năng chính

  • Dải điện áp nguồn hoạt động rộng (+5[V]~+14.5[V])
  • +5[V]~+14.5[V] (nguồn đơn), ±2.5[V]~±7.25[V] (nguồn đôi)
  • Full swing ngõ vào và ngõ ra
  • Bù pha nội
  • Slew rate cao
  • Độ lợi điện áp tín hiệu lớn cao
  • Bảo vệ ESD nội: mô hình cơ thể người (HBM) ±4000[V] (Typ.)
  • Dải nhiệt độ rộng
  • -40[℃]~+85[℃]

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
BD7562FVM-TR

ROHM SemiconductorDòng op-amp CMOS điện áp cao của ROHM (BD7561, BD7541, BD7562 và BD7542) tích hợp bù pha, hoạt động full swing ngõ vào / ngõ ra, và 1 hoặc 2 mạch trên một chip.

MSOP8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD7562SF-E2

ROHM SemiconductorDòng op-amp CMOS điện áp cao của ROHM (BD7561, BD7541, BD7562 và BD7542) tích hợp bù pha, hoạt động full swing ngõ vào / ngõ ra, và 1 hoặc 2 mạch trên một chip.

SOP8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD7562SFVM-TR

ROHM SemiconductorDòng op-amp CMOS điện áp cao của ROHM (BD7561, BD7541, BD7562 và BD7542) tích hợp bù pha, hoạt động full swing ngõ vào / ngõ ra, và 1 hoặc 2 mạch trên một chip.

MSOP8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD77501G-TR

ROHM SemiconductorBD77501G là op-amp CMOS ground sense đơn. Dải điện áp hoạt động rộng từ 7V đến 15V. Op-amp này phù hợp nhất cho nhiều ứng dụng, đặc biệt là bộ khuếch đại cảm biến, vì có slew rate cao và dòng phân cực ngõ vào thấp.

SSOP5

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD77502FVM-TR

ROHM SemiconductorBD77502FVM là op-amp CMOS ground sense kép. Dải điện áp hoạt động rộng từ 7V đến 15V. Op-amp này phù hợp nhất cho nhiều ứng dụng, đặc biệt là bộ khuếch đại cảm biến, vì có slew rate cao và dòng phân cực ngõ vào thấp.

MSOP8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD77504FV-E2

ROHM SemiconductorBD77504FV là op-amp CMOS ground sense bốn kênh. Dải điện áp hoạt động rộng từ 7 V đến 15 V.

SSOP-B14

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD87521G-LBTR

ROHM SemiconductorSản phẩm này là sản phẩm xếp hạng cho thị trường thiết bị công nghiệp. Đây là sản phẩm tốt nhất để dùng trong các ứng dụng này. BD87521G-LB là op-amp CMOS rail-to-rail ngõ vào/ngõ ra.

SSOP5

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD87521YG-CTR

ROHM SemiconductorBD87521YG-C là op-amp CMOS rail-to-rail ngõ vào/ngõ ra. Dải điện áp hoạt động rộng từ 4V đến 15V.

SSOP5

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá