BD58020GW-E2
E-Fuse, 3V-28V, A, 16mΩ
BD58020GW là IC bảo vệ quá áp, quá dòng và quá nhiệt (IC bảo vệ OV, OC & OT). BD58020GW có Nch FET điện trở ON thấp 16mΩ (Typ) tích hợp, ngăn ngay lập tức hư hỏng cho các linh kiện phía sau khi xảy ra sự cố.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- BD58020GW-E2
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- UCSP55M1C(16Pin)
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
- Mã gốc (Base Part No.)
- BD58020GW
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 3000
- Chức năng
- 28 V/5 A tích hợp FET E-Fuse, 3 V-28 V, 5 A, 16 mΩ
- Vcc (Min.) [V]
- 3
- Vcc (Max.) [V]
- 28
- Điện trở ON [ohm]
- 16
- Nhiệt độ hoạt động (Min.) [°C]
- -40
- Nhiệt độ hoạt động (Max.) [°C]
- 125
- Kích thước vỏ [mm]
- 1.7x1.7 (t=0.62)
Thông tin chi tiết
BD58020GW là IC bảo vệ quá áp, quá dòng và quá nhiệt (IC bảo vệ OV, OC & OT). BD58020GW có Nch FET điện trở ON thấp 16mΩ (Typ) tích hợp, ngăn ngay lập tức hư hỏng cho các linh kiện phía sau khi xảy ra sự cố. BD58020GW cũng có chức năng bảo vệ nhiệt độ cho 2 ngõ vào nhiệt điện trở NTC ngoài, cho phép giám sát 2 vị trí khác nhau trong ứng dụng. Mức quá áp và quá dòng có thể được đặt bằng điện trở ngoài hoặc điện trở cố định bên trong.
Tính năng chính
- Bảo vệ quá áp lập trình được bằng điện trở ngoài
- Giới hạn quá dòng lập trình được bằng điện trở ngoài
- Thời gian đáp ứng quá áp siêu nhanh: Typ 50ns
- Tích hợp NMOS FET 16mΩ
- Bảo vệ quá nhiệt & hỗ trợ giám sát nhiệt tại 2 vị trí khác nhau bằng NTC
- Phát hiện brownout lập trình được
- I/O hai chiều để báo tình trạng lỗi nhiệt độ
- Hỗ trợ xả chủ động (Active Discharge) tại VOUT
- Hỗ trợ chế độ pin (Battery Mode)
- Hỗ trợ USB On the Go (OTG)
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| BD11600NUX-E2 ROHM SemiconductorBD11600NUX là công tắc tương tự DPDT xử lý USB2.0 high-speed, có cả điện trở thấp và điện dung thấp. Ngoài ra, dải điện áp nguồn được đảm bảo rộng từ 2.5V đến 5.5V. VSON010X3020 Datasheet (PDF) | VSON010X3020 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD11670GWL-E2 ROHM SemiconductorBD11670GWL là công tắc tương tự DPDT hỗ trợ USB2.0 high-speed, có cả điện trở thấp và điện dung thấp. Hỗ trợ ngõ vào hai nguồn cấp từ VBUS và VCC. Hỗ trợ VBUS lên tới 28V. UCSP50L1C Datasheet (PDF) | UCSP50L1C | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
