Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

BD11670GWL-E2

Loại DPDT (Double Pole Double Throw)

BD11670GWL là công tắc tương tự DPDT hỗ trợ USB2.0 high-speed, có cả điện trở thấp và điện dung thấp. Hỗ trợ ngõ vào hai nguồn cấp từ VBUS và VCC. Hỗ trợ VBUS lên tới 28V.

Thông số

Mã nhà sản xuất
BD11670GWL-E2
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
UCSP50L1C
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
Mã gốc (Base Part No.)
BD11670GWL
Kiểu đóng gói (Packing)
Cuộn băng (Taping)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
3000
Cấp nhạy ẩm (MSL)
1
Chức năng
DPDT Type (USB 1ch)
Vcc (Min.) [V]
3
Vcc (Max.) [V]
5.5
Điện trở ON [ohm]
5
Nhiệt độ hoạt động (Min.) [°C]
-40
Nhiệt độ hoạt động (Max.) [°C]
85
Kích thước vỏ [mm]
1.2x1.6 (t=0.57)
Tải datasheet (PDF)

Thông tin chi tiết

BD11670GWL là công tắc tương tự DPDT hỗ trợ USB2.0 high-speed, có cả điện trở thấp và điện dung thấp. Hỗ trợ ngõ vào hai nguồn cấp từ VBUS và VCC. Hỗ trợ VBUS lên tới 28V. Tất cả các chân đều có mạch bảo vệ phóng tĩnh điện tích hợp.

Tính năng chính

  • Kiến trúc hai nguồn cấp, VCC và VBUS.
  • Dải nguồn cấp (VBUS) : 3.8V đến 28V.
  • Dải nguồn cấp (VCC) : 3.0V đến 5.5V.
  • Điện trở chuyển mạch giữa ngõ vào và ngõ ra 5Ω.
  • Công tắc tương tự 2 kênh điện dung thấp.

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
BD58020GW-E2

ROHM SemiconductorBD58020GW là IC bảo vệ quá áp, quá dòng và quá nhiệt (IC bảo vệ OV, OC & OT). BD58020GW có Nch FET điện trở ON thấp 16mΩ (Typ) tích hợp, ngăn ngay lập tức hư hỏng cho các linh kiện phía sau khi xảy ra sự cố.

UCSP55M1C(16Pin)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD11600NUX-E2

ROHM SemiconductorBD11600NUX là công tắc tương tự DPDT xử lý USB2.0 high-speed, có cả điện trở thấp và điện dung thấp. Ngoài ra, dải điện áp nguồn được đảm bảo rộng từ 2.5V đến 5.5V.

VSON010X3020

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá