Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

BD11600NUX-E2

Loại DPDT (Double Pole Double Throw)

BD11600NUX là công tắc tương tự DPDT xử lý USB2.0 high-speed, có cả điện trở thấp và điện dung thấp. Ngoài ra, dải điện áp nguồn được đảm bảo rộng từ 2.5V đến 5.5V.

BD11600NUX-E2, VSON010X3020

Thông số

Mã nhà sản xuất
BD11600NUX-E2
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
VSON010X3020
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
Mã gốc (Base Part No.)
BD11600NUX
Kiểu đóng gói (Packing)
Cuộn băng (Taping)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
4000
Cấp nhạy ẩm (MSL)
1
Chức năng
DP Type (USB 1ch)
Vcc (Min.) [V]
2.5
Vcc (Max.) [V]
5.5
Điện trở ON [ohm]
3
Nhiệt độ hoạt động (Min.) [°C]
-40
Nhiệt độ hoạt động (Max.) [°C]
85
Kích thước vỏ [mm]
3.0x2.0 (t=0.6)
Tải datasheet (PDF)

Thông tin chi tiết

BD11600NUX là công tắc tương tự DPDT xử lý USB2.0 high-speed, có cả điện trở thấp và điện dung thấp. Ngoài ra, dải điện áp nguồn được đảm bảo rộng từ 2.5V đến 5.5V.

Tính năng chính

  • VCC hoạt động từ 2.5V đến 5.5V
  • Điện trở chuyển mạch giữa ngõ vào và ngõ ra 3Ω
  • Công tắc tương tự 2 kênh điện dung thấp
  • Đóng gói SON 10 chân

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
BD11670GWL-E2

ROHM SemiconductorBD11670GWL là công tắc tương tự DPDT hỗ trợ USB2.0 high-speed, có cả điện trở thấp và điện dung thấp. Hỗ trợ ngõ vào hai nguồn cấp từ VBUS và VCC. Hỗ trợ VBUS lên tới 28V.

UCSP50L1C

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD58020GW-E2

ROHM SemiconductorBD58020GW là IC bảo vệ quá áp, quá dòng và quá nhiệt (IC bảo vệ OV, OC & OT). BD58020GW có Nch FET điện trở ON thấp 16mΩ (Typ) tích hợp, ngăn ngay lập tức hư hỏng cho các linh kiện phía sau khi xảy ra sự cố.

UCSP55M1C(16Pin)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá