2SCR554PHZGT100
NPN, SOT-89, 80V 1.5A, Transistor công suất trung bình cho ô tô
2SCR554PHZG là transistor công suất có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp. Thông báo PCN sắp tới
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- 2SCR554PHZGT100
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- MPT3
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
- Mã gốc (Base Part No.)
- 2SCR554PHZG
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 1000
- Cấp nhạy ẩm (MSL)
- 1
- Chương trình cung cấp dài hạn
- 8 năm
- Supply Status here for details.">?
- Khuyến nghị
- Mã vỏ
- TO-243 (SOT-89)
- Vỏ JEITA
- SC-62
- Số chân
- 3
- Cực tính
- NPN
- Công suất tiêu tán collector PC [W]
- 0.5
- Điện áp collector-emitter VCEO1 [V]
- 80
- Dòng collector Io(Ic) [A]
- 1.5
- HFE
- 120 to 390
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
- 150
- Kích thước vỏ [mm]
- 4.0x4.5 (t=1.7)
- Tiêu chuẩn chung
- AEC-Q101 (cấp ô tô)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | Transistor lưỡng cực BJT |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Loại transistor (Transistor Type) | NPN |
| Dòng collector tối đa (Ic) (Current - Collector (Ic) (Max)) | 1.5A |
| Điện áp C-E tối đa (Vceo) (Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)) | 80 V |
Thông tin chi tiết
2SCR554PHZG là transistor công suất có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp. Thông báo PCN sắp tới
Tính năng chính
- Điện áp bão hòa thấp, VCE(sat)=300mV (Max.) (IC/IB=500mA/25mA)
- Chuyển mạch tốc độ cao
- Đạt chuẩn AEC-Q101
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| 2SCR554RHZGTL ROHM Semiconductor2SCR554RHZG là transistor công suất trung bình có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp và chuyển mạch tốc độ cao. Đây là sản phẩm có độ tin cậy cao dành cho ô tô. Thông báo PCN sắp tới TSMT3 Datasheet (PDF) | TSMT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 2SCR562F3TR ROHM SemiconductorCó nhiều sản phẩm trong dòng, được phát triển với trọng tâm là tiết kiệm năng lượng và độ tin cậy cao, bao gồm từ các loại đóng gói siêu nhỏ đến đóng gói công suất để đáp ứng nhu cầu thị trường. HUML2020L3 Datasheet (PDF) | HUML2020L3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 2SCR563F3TR ROHM Semiconductor2SCR563F3 là transistor công suất trung bình có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp. HUML2020L3 (DFN2020-3S) là loại vỏ gắn bề mặt nhỏ, không chân (leadless), dẫn nhiệt và dẫn điện tuyệt vời. HUML2020L3 Datasheet (PDF) | HUML2020L3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 2SCR564F3TR ROHM Semiconductor2SCR564F3 là transistor công suất trung bình có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp. HUML2020L3 (DFN2020-3S) là loại vỏ gắn bề mặt nhỏ, không chân (leadless), dẫn nhiệt và dẫn điện tuyệt vời. HUML2020L3 Datasheet (PDF) | HUML2020L3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 2SCR567F3TR ROHM Semiconductor2SCR567F3 là transistor công suất trung bình có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp. HUML2020L3 (DFN2020-3S) là loại vỏ gắn bề mặt nhỏ, không chân (leadless), dẫn nhiệt và dẫn điện tuyệt vời. HUML2020L3 Datasheet (PDF) | HUML2020L3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 2SCR572D3FRATL ROHM Semiconductor2SCR572D3FRA là transistor công suất có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp. TO-252 (TL) Datasheet (PDF) | TO-252 (TL) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 2SCR572D3TL1 ROHM Semiconductor2SCR572D3 là transistor công suất có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp. TO-252 (TL1) Datasheet (PDF) | TO-252 (TL1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 2SCR573D3FRATL ROHM Semiconductor2SCR573D3FRA là transistor công suất có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp. TO-252 (TL) Datasheet (PDF) | TO-252 (TL) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
