2SCR562F3TR
NPN, DFN2020-3S, 30V 6A, Transistor driver
Có nhiều sản phẩm trong dòng, được phát triển với trọng tâm là tiết kiệm năng lượng và độ tin cậy cao, bao gồm từ các loại đóng gói siêu nhỏ đến đóng gói công suất để đáp ứng nhu cầu thị trường.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- 2SCR562F3TR
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- HUML2020L3
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Đang sản xuất (Active)
- Mã gốc (Base Part No.)
- 2SCR562F3
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 3000
- Chương trình cung cấp dài hạn
- 8 năm
- Mã vỏ
- DFN2020-3S
- Số chân
- 3
- Cực tính
- NPN
- Công suất tiêu tán collector PC [W]
- 1
- Điện áp collector-emitter VCEO1 [V]
- 30
- Dòng collector Io(Ic) [A]
- 6
- HFE
- 200 to 500
- HFE (Min.)
- 200
- HFE (Max.)
- 500
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
- 150
- Kích thước vỏ [mm]
- 2.0x2.0 (t=0.65)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | Transistor lưỡng cực BJT |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Loại transistor (Transistor Type) | NPN |
| Dòng collector tối đa (Ic) (Current - Collector (Ic) (Max)) | 6A |
| Điện áp C-E tối đa (Vceo) (Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)) | 30 V |
Thông tin chi tiết
Có nhiều sản phẩm trong dòng, được phát triển với trọng tâm là tiết kiệm năng lượng và độ tin cậy cao, bao gồm từ các loại đóng gói siêu nhỏ đến đóng gói công suất để đáp ứng nhu cầu thị trường.
Tính năng chính
- · Phù hợp cho driver công suất trung bình
- · VCE(sat) thấp
- · Đóng gói bề mặt (SMD) nhỏ
- · Không chì (Pb-free)/tuân thủ RoHS
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| 2SCR563F3TR ROHM Semiconductor2SCR563F3 là transistor công suất trung bình có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp. HUML2020L3 (DFN2020-3S) là loại vỏ gắn bề mặt nhỏ, không chân (leadless), dẫn nhiệt và dẫn điện tuyệt vời. HUML2020L3 Datasheet (PDF) | HUML2020L3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 2SCR564F3TR ROHM Semiconductor2SCR564F3 là transistor công suất trung bình có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp. HUML2020L3 (DFN2020-3S) là loại vỏ gắn bề mặt nhỏ, không chân (leadless), dẫn nhiệt và dẫn điện tuyệt vời. HUML2020L3 Datasheet (PDF) | HUML2020L3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 2SCR567F3TR ROHM Semiconductor2SCR567F3 là transistor công suất trung bình có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp. HUML2020L3 (DFN2020-3S) là loại vỏ gắn bề mặt nhỏ, không chân (leadless), dẫn nhiệt và dẫn điện tuyệt vời. HUML2020L3 Datasheet (PDF) | HUML2020L3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 2SCR572D3FRATL ROHM Semiconductor2SCR572D3FRA là transistor công suất có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp. TO-252 (TL) Datasheet (PDF) | TO-252 (TL) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 2SCR572D3TL1 ROHM Semiconductor2SCR572D3 là transistor công suất có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp. TO-252 (TL1) Datasheet (PDF) | TO-252 (TL1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 2SCR573D3FRATL ROHM Semiconductor2SCR573D3FRA là transistor công suất có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp. TO-252 (TL) Datasheet (PDF) | TO-252 (TL) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 2SCR573D3TL1 ROHM Semiconductor2SCR573D3 là transistor công suất có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp. TO-252 (TL1) Datasheet (PDF) | TO-252 (TL1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 2SCR574D3FRATL ROHM Semiconductor2SCR574D3FRA là transistor công suất có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp. TO-252 (TL) Datasheet (PDF) | TO-252 (TL) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
