2SCR563F3TR
Nhỏ gọn, dẫn nhiệt tuyệt vời, NPN 6A 50V Transistor công suất trung bình
2SCR563F3 là transistor công suất trung bình có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp. HUML2020L3 (DFN2020-3S) là loại vỏ gắn bề mặt nhỏ, không chân (leadless), dẫn nhiệt và dẫn điện tuyệt vời.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- 2SCR563F3TR
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- HUML2020L3
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Đang sản xuất (Active)
- Mã gốc (Base Part No.)
- 2SCR563F3
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 3000
- Chương trình cung cấp dài hạn
- 8 năm
- Mã vỏ
- DFN2020-3S
- Số chân
- 3
- Cực tính
- NPN
- Công suất tiêu tán collector PC [W]
- 1
- Điện áp collector-emitter VCEO1 [V]
- 50
- Dòng collector Io(Ic) [A]
- 6
- HFE
- 180 to 450
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
- 150
- Kích thước vỏ [mm]
- 2.0x2.0 (t=0.65)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | Transistor lưỡng cực BJT |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Loại transistor (Transistor Type) | NPN |
| Dòng collector tối đa (Ic) (Current - Collector (Ic) (Max)) | 6A |
| Điện áp C-E tối đa (Vceo) (Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)) | 50 V |
Thông tin chi tiết
2SCR563F3 là transistor công suất trung bình có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp. HUML2020L3 (DFN2020-3S) là loại vỏ gắn bề mặt nhỏ, không chân (leadless), dẫn nhiệt và dẫn điện tuyệt vời.
Tính năng chính
- Phù hợp cho driver công suất trung bình.
- VCE(sat) thấp
- VCE(sat)=350mV(Max.).
- (IC/IB=3A/150mA)
- Dòng collector cao.
- IC=6A (max), ICP=12A (max)
- Đóng gói SMD nhỏ không chân (leadless) (HUML2020L3)
- Dẫn nhiệt và dẫn điện tuyệt vời.
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| 2SCR564F3TR ROHM Semiconductor2SCR564F3 là transistor công suất trung bình có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp. HUML2020L3 (DFN2020-3S) là loại vỏ gắn bề mặt nhỏ, không chân (leadless), dẫn nhiệt và dẫn điện tuyệt vời. HUML2020L3 Datasheet (PDF) | HUML2020L3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 2SCR567F3TR ROHM Semiconductor2SCR567F3 là transistor công suất trung bình có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp. HUML2020L3 (DFN2020-3S) là loại vỏ gắn bề mặt nhỏ, không chân (leadless), dẫn nhiệt và dẫn điện tuyệt vời. HUML2020L3 Datasheet (PDF) | HUML2020L3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 2SCR572D3FRATL ROHM Semiconductor2SCR572D3FRA là transistor công suất có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp. TO-252 (TL) Datasheet (PDF) | TO-252 (TL) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 2SCR572D3TL1 ROHM Semiconductor2SCR572D3 là transistor công suất có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp. TO-252 (TL1) Datasheet (PDF) | TO-252 (TL1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 2SCR573D3FRATL ROHM Semiconductor2SCR573D3FRA là transistor công suất có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp. TO-252 (TL) Datasheet (PDF) | TO-252 (TL) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 2SCR573D3TL1 ROHM Semiconductor2SCR573D3 là transistor công suất có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp. TO-252 (TL1) Datasheet (PDF) | TO-252 (TL1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 2SCR574D3FRATL ROHM Semiconductor2SCR574D3FRA là transistor công suất có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp. TO-252 (TL) Datasheet (PDF) | TO-252 (TL) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 2SCR574D3TL1 ROHM Semiconductor2SCR574D3 là transistor công suất có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp. TO-252 (TL1) Datasheet (PDF) | TO-252 (TL1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
