Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

2SC5876U3HZGT106

NPN, SOT-323, 60V 0.5A, Transistor công suất trung bình cho ô tô

2SC5876U3HZG là transistor chuyển mạch tốc độ cao, dùng cho bộ khuếch đại tần số thấp và chuyển mạch tốc độ cao

2SC5876U3HZGT106, UMT3

Thông số

Mã nhà sản xuất
2SC5876U3HZGT106
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
UMT3
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
Mã gốc (Base Part No.)
2SC5876U3HZG
Kiểu đóng gói (Packing)
Cuộn băng (Taping)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
3000
Chương trình cung cấp dài hạn
9 năm
Supply Status here for details.">?
Khuyến nghị
Mã vỏ
SOT-323
Vỏ JEITA
SC-70
Số chân
3
Cực tính
NPN
Công suất tiêu tán collector PC [W]
0.2
Điện áp collector-emitter VCEO1 [V]
60
Dòng collector Io(Ic) [A]
0.5
HFE
120 to 390
Kiểu lắp
Dán bề mặt
Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
-55
Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
150
Kích thước vỏ [mm]
2.1x2.0 (t=1.0)
Tiêu chuẩn chung
AEC-Q101 (cấp ô tô)
Tải datasheet (PDF)

Thông số kỹ thuật

Danh mục (Category)Transistor lưỡng cực BJT
Hãng (Mfr)ROHM Semiconductor
Loại transistor (Transistor Type)NPN
Dòng collector tối đa (Ic) (Current - Collector (Ic) (Max))500mA
Điện áp C-E tối đa (Vceo) (Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max))60 V

Thông tin chi tiết

2SC5876U3HZG là transistor chuyển mạch tốc độ cao, dùng cho bộ khuếch đại tần số thấp và chuyển mạch tốc độ cao

Tính năng chính

  • Chuyển mạch tốc độ cao. (tf: Typ.: 80ns tại IC=500mA)
  • Điện áp bão hòa thấp, điển hình (Typ.: 150mV tại IC=100mA, IB=10mA)
  • Khả năng phóng điện mạnh đối với tải cảm và tải dung.
  • Bổ trợ (complementary) cho 2SA2088U3 HZG.

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
2SC5876U3T106

ROHM Semiconductor2SC5876U3 là transistor chuyển mạch tốc độ cao, dùng cho bộ khuếch đại tần số thấp và chuyển mạch tốc độ cao

UMT3

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

2SCR293P5T100

ROHM Semiconductor2SCR293P5 là transistor driver công suất trung bình có VCE(sat) thấp, dùng cho bộ khuếch đại tần số thấp.

MPT3

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

2SCR293PHZGT100

ROHM Semiconductor2SCR293PHZG là transistor công suất trung bình có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp. Đây là sản phẩm có độ tin cậy cao dành cho ô tô. Thông báo PCN sắp tới

MPT3

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

2SCR372P5T100

ROHM Semiconductor2SCR372P5 là transistor có điện áp bão hòa thấp, dùng cho bộ khuếch đại tần số thấp.

MPT3

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

2SCR372PHZGT100Q

ROHM Semiconductor2SCR372PHZG là transistor công suất có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp. Thông báo PCN sắp tới

MPT3

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

2SCR375P5T100

ROHM Semiconductor2SCR375P5 là transistor có điện áp bão hòa thấp, dùng cho bộ khuếch đại tần số thấp.

MPT3

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

2SCR375PHZGT100Q

ROHM Semiconductor2SCR375PHZG là transistor VCE(sat) thấp dùng cho bộ khuếch đại tần số thấp. Đây là sản phẩm có độ tin cậy cao dành cho ô tô. Thông báo PCN sắp tới

MPT3

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

2SCR502E3HZGTL

ROHM SemiconductorCó nhiều sản phẩm trong dòng, được phát triển với trọng tâm là tiết kiệm năng lượng và độ tin cậy cao, bao gồm từ các loại đóng gói siêu nhỏ đến đóng gói công suất để đáp ứng nhu cầu thị trường.

EMT3

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá