2SCR293PHZGT100
NPN, SOT-89, 30V 1A, Transistor công suất trung bình cho ô tô
2SCR293PHZG là transistor công suất trung bình có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp. Đây là sản phẩm có độ tin cậy cao dành cho ô tô. Thông báo PCN sắp tới
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- 2SCR293PHZGT100
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- MPT3
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
- Mã gốc (Base Part No.)
- 2SCR293PHZG
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 1000
- Cấp nhạy ẩm (MSL)
- 1
- Chương trình cung cấp dài hạn
- 8 năm
- Supply Status here for details.">?
- Khuyến nghị
- Mã vỏ
- TO-243 (SOT-89)
- Vỏ JEITA
- SC-62
- Số chân
- 3
- Cực tính
- NPN
- Công suất tiêu tán collector PC [W]
- 0.5
- Điện áp collector-emitter VCEO1 [V]
- 30
- Dòng collector Io(Ic) [A]
- 1
- HFE
- 270 to 680
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
- 150
- Kích thước vỏ [mm]
- 4.0x4.5 (t=1.7)
- Tiêu chuẩn chung
- AEC-Q101 (cấp ô tô)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | Transistor lưỡng cực BJT |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Loại transistor (Transistor Type) | NPN |
| Dòng collector tối đa (Ic) (Current - Collector (Ic) (Max)) | 1A |
| Điện áp C-E tối đa (Vceo) (Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)) | 30 V |
Thông tin chi tiết
2SCR293PHZG là transistor công suất trung bình có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp. Đây là sản phẩm có độ tin cậy cao dành cho ô tô. Thông báo PCN sắp tới
Tính năng chính
- Phù hợp cho driver công suất trung bình.
- VCE(sat) thấp
- VCE(sat)=350mV(Max.).(IC/IB=500mA/25mA)
- Đạt chuẩn AEC-Q101
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| 2SCR372P5T100 ROHM Semiconductor2SCR372P5 là transistor có điện áp bão hòa thấp, dùng cho bộ khuếch đại tần số thấp. MPT3 Datasheet (PDF) | MPT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 2SCR372PHZGT100Q ROHM Semiconductor2SCR372PHZG là transistor công suất có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp. Thông báo PCN sắp tới MPT3 Datasheet (PDF) | MPT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 2SCR375P5T100 ROHM Semiconductor2SCR375P5 là transistor có điện áp bão hòa thấp, dùng cho bộ khuếch đại tần số thấp. MPT3 Datasheet (PDF) | MPT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 2SCR375PHZGT100Q ROHM Semiconductor2SCR375PHZG là transistor VCE(sat) thấp dùng cho bộ khuếch đại tần số thấp. Đây là sản phẩm có độ tin cậy cao dành cho ô tô. Thông báo PCN sắp tới MPT3 Datasheet (PDF) | MPT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 2SCR502E3HZGTL ROHM SemiconductorCó nhiều sản phẩm trong dòng, được phát triển với trọng tâm là tiết kiệm năng lượng và độ tin cậy cao, bao gồm từ các loại đóng gói siêu nhỏ đến đóng gói công suất để đáp ứng nhu cầu thị trường. EMT3 Datasheet (PDF) | EMT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 2SCR502E3TL ROHM SemiconductorTransistor đa dụng NPN 2SCR502E3 được thiết kế cho các bộ khuếch đại tần số thấp. EMT3 Datasheet (PDF) | EMT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 2SCR502EBTL ROHM SemiconductorCó nhiều sản phẩm trong dòng, được phát triển với trọng tâm là tiết kiệm năng lượng và độ tin cậy cao, bao gồm từ các loại đóng gói siêu nhỏ đến đóng gói công suất để đáp ứng nhu cầu thị trường. EMT3F Datasheet (PDF) | EMT3F | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 2SCR502U3HZGT106 ROHM Semiconductor2SCR502U3HZG là transistor đa dụng dùng cho bộ khuếch đại tần số thấp UMT3 Datasheet (PDF) | UMT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
