2SCR375PHZGT100Q
NPN, SOT-89, 120V 1.5A, Transistor công suất trung bình cho ô tô
2SCR375PHZG là transistor VCE(sat) thấp dùng cho bộ khuếch đại tần số thấp. Đây là sản phẩm có độ tin cậy cao dành cho ô tô. Thông báo PCN sắp tới
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- 2SCR375PHZGT100Q
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- MPT3
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
- Mã gốc (Base Part No.)
- 2SCR375PHZG
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 1000
- Cấp nhạy ẩm (MSL)
- 1
- Chương trình cung cấp dài hạn
- 10 năm
- Supply Status here for details.">?
- Khuyến nghị
- Mã vỏ
- TO-243 (SOT-89)
- Vỏ JEITA
- SC-62
- Số chân
- 3
- Cực tính
- NPN
- Công suất tiêu tán collector PC [W]
- 0.5
- Điện áp collector-emitter VCEO1 [V]
- 120
- Dòng collector Io(Ic) [A]
- 1.5
- HFE
- 120 to 390
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
- 150
- Kích thước vỏ [mm]
- 4.0x4.5 (t=1.7)
- Tiêu chuẩn chung
- AEC-Q101 (cấp ô tô)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | Transistor lưỡng cực BJT |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Loại transistor (Transistor Type) | NPN |
| Dòng collector tối đa (Ic) (Current - Collector (Ic) (Max)) | 1.5A |
| Điện áp C-E tối đa (Vceo) (Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)) | 120 V |
Thông tin chi tiết
2SCR375PHZG là transistor VCE(sat) thấp dùng cho bộ khuếch đại tần số thấp. Đây là sản phẩm có độ tin cậy cao dành cho ô tô. Thông báo PCN sắp tới
Tính năng chính
- Điện áp bão hòa thấp, VCE(sat)=300mV (Max.)(IC/IB=800mA/80mA)
- Đạt chuẩn AEC-Q101
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| 2SCR502E3HZGTL ROHM SemiconductorCó nhiều sản phẩm trong dòng, được phát triển với trọng tâm là tiết kiệm năng lượng và độ tin cậy cao, bao gồm từ các loại đóng gói siêu nhỏ đến đóng gói công suất để đáp ứng nhu cầu thị trường. EMT3 Datasheet (PDF) | EMT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 2SCR502E3TL ROHM SemiconductorTransistor đa dụng NPN 2SCR502E3 được thiết kế cho các bộ khuếch đại tần số thấp. EMT3 Datasheet (PDF) | EMT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 2SCR502EBTL ROHM SemiconductorCó nhiều sản phẩm trong dòng, được phát triển với trọng tâm là tiết kiệm năng lượng và độ tin cậy cao, bao gồm từ các loại đóng gói siêu nhỏ đến đóng gói công suất để đáp ứng nhu cầu thị trường. EMT3F Datasheet (PDF) | EMT3F | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 2SCR502U3HZGT106 ROHM Semiconductor2SCR502U3HZG là transistor đa dụng dùng cho bộ khuếch đại tần số thấp UMT3 Datasheet (PDF) | UMT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 2SCR502U3T106 ROHM SemiconductorTransistor đa dụng NPN 2SCR502U3 được thiết kế cho các bộ khuếch đại tần số thấp. UMT3 Datasheet (PDF) | UMT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 2SCR502UBTL ROHM SemiconductorCó nhiều sản phẩm trong dòng, được phát triển với trọng tâm là tiết kiệm năng lượng và độ tin cậy cao, bao gồm từ các loại đóng gói siêu nhỏ đến đóng gói công suất để đáp ứng nhu cầu thị trường. UMT3F Datasheet (PDF) | UMT3F | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 2SCR512P5T100 ROHM Semiconductor2SCR512P5 là transistor có điện áp bão hòa thấp và chuyển mạch tốc độ cao, dùng cho bộ khuếch đại tần số thấp. MPT3 Datasheet (PDF) | MPT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 2SCR512PHZGT100 ROHM Semiconductor2SCR512PHZG là transistor công suất có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp. Thông báo PCN sắp tới MPT3 Datasheet (PDF) | MPT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
