Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

VS4V5BU1QST18R

Dòng RASMID™ - Bộ triệt xung điện áp quá độ (TVS)

VS4V5BU1QS là diode TVS lý tưởng để bảo vệ giao diện (I/F) trong thiết bị điện tử, kích thước 0402(1006). Điện áp kẹp thấp và khả năng chịu xung cao mang lại khả năng bảo vệ vượt trội.

VS4V5BU1QST18R, SMD1006

Thông số

Mã nhà sản xuất
VS4V5BU1QST18R
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
SMD1006
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Đang sản xuất (Active)
Mã gốc (Base Part No.)
VS4V5BU1QS
Kiểu đóng gói (Packing)
Cuộn băng (Taping)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
18000
Mã vỏ
SOD-882 (DSN1006-2)
Kiểu lắp
Dán bề mặt
Số chân
2
Công suất tiêu tán (PD) [mW]
200
PPP @ 8/20us (Max.) [W]
600
Cấu hình
Hai chiều
Số đường bảo vệ
1
VRWM [V]
4.5
VBR (Min.) [V]
5.3
VBR (Max.) [V]
6.5
Tj [℃]
150
Điện dung [pF]
100
IR (Max.) [uA]
1
VCL @ IPP 8/20us (Max.) [V]
12
IPP 8x20us (Max.) [A]
50
VESDIEC61000-4-2 [kV]
±30
Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
-55
Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
150
Kích thước vỏ [mm]
1.0x0.6 (t=0.23)
Tải datasheet (PDF)

Thông tin chi tiết

VS4V5BU1QS là diode TVS lý tưởng để bảo vệ giao diện (I/F) trong thiết bị điện tử, kích thước 0402(1006). Điện áp kẹp thấp và khả năng chịu xung cao mang lại khả năng bảo vệ vượt trội.

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
VS4V8BU1ART7R

ROHM SemiconductorVS4V8BU1AR là bộ triệt xung điện áp quá độ (TVS) trong vỏ đúc nhỏ, phù hợp cho bảo vệ chống xung đột biến.

SMD2012

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

VS54VLNVWMTFTR

ROHM SemiconductorVS54VLNVWMTF là diode TVS độ tin cậy cao đạt chuẩn AEC-Q101, dùng để bảo vệ chống xung đột biến và ổn định điện áp. Sản phẩm đạt đặc tính điện tương đương các sản phẩm ROHM hiện hành trong vỏ PMDE nhỏ.

PMDE

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

VS54VLNVWMTR

ROHM SemiconductorVS54VLNVWM là diode TVS dùng để bảo vệ chống xung đột biến và ổn định điện áp. Sản phẩm đạt đặc tính điện tương đương các sản phẩm ROHM hiện hành trong vỏ PMDE nhỏ. Vỏ PMDE có độ tin cậy cao và hiệu suất tản nhiệt tốt.

PMDE

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

VS58VLNVWMTFTR

ROHM SemiconductorVS58VLNVWMTF là diode TVS độ tin cậy cao đạt chuẩn AEC-Q101, dùng để bảo vệ chống xung đột biến và ổn định điện áp. Sản phẩm đạt đặc tính điện tương đương các sản phẩm ROHM hiện hành trong vỏ PMDE nhỏ.

PMDE

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

VS58VLNVWMTR

ROHM SemiconductorVS58VLNVWM là diode TVS dùng để bảo vệ chống xung đột biến và ổn định điện áp. Sản phẩm đạt đặc tính điện tương đương các sản phẩm ROHM hiện hành trong vỏ PMDE nhỏ. Vỏ PMDE có độ tin cậy cao và hiệu suất tản nhiệt tốt.

PMDE

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

VS5V0BA1EST15R

ROHM SemiconductorVS5V0BA1ES là diode TVS lý tưởng để bảo vệ giao diện (I/F) trong thiết bị điện tử, kích thước 0201(0603). Điện áp kẹp thấp và khả năng chịu xung cao mang lại khả năng bảo vệ vượt trội.

SMD0603

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

VS5V0BA1FST27N

ROHM SemiconductorVS5V0BA1FS là diode TVS lý tưởng để bảo vệ giao diện (I/F) trong thiết bị điện tử, kích thước 01005(0402). Điện áp kẹp thấp và khả năng chịu xung cao mang lại khả năng bảo vệ vượt trội.

SMD0402

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

VS5V0BB1EST15R

ROHM SemiconductorVS5V0BB1ES là diode TVS lý tưởng để bảo vệ giao diện (I/F) trong thiết bị điện tử, kích thước 0201(0603). Điện áp kẹp thấp và khả năng chịu xung cao mang lại khả năng bảo vệ vượt trội.

SMD0603

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá