VS4V8BU1ART7R
Dòng RASMID™ - Bộ triệt xung điện áp quá độ (TVS)
VS4V8BU1AR là bộ triệt xung điện áp quá độ (TVS) trong vỏ đúc nhỏ, phù hợp cho bảo vệ chống xung đột biến.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- VS4V8BU1ART7R
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- SMD2012
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Đang sản xuất (Active)
- Mã gốc (Base Part No.)
- VS4V8BU1AR
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 7000
- Mã vỏ
- DSN2012-2
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Số chân
- 2
- PPP @ 8/20us (Max.) [W]
- 1100
- Cấu hình
- Hai chiều
- Số đường bảo vệ
- 1
- VRWM [V]
- 4.8
- VBR (Min.) [V]
- 4.85
- VBR (Max.) [V]
- 6
- Tj [℃]
- 150
- Điện dung [pF]
- 400
- IR (Max.) [uA]
- 1
- VCL @ IPP 8/20us (Max.) [V]
- 11
- IPP 8x20us (Max.) [A]
- 100
- Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
- 150
- Kích thước vỏ [mm]
- 2.0x1.25 (t=0.33)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | Diode TVS |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Số kênh hai chiều (Bidirectional Channels) | 1 |
Thông tin chi tiết
VS4V8BU1AR là bộ triệt xung điện áp quá độ (TVS) trong vỏ đúc nhỏ, phù hợp cho bảo vệ chống xung đột biến.
Tính năng chính
- Vỏ không dây có độ tin cậy cao
- Bảo vệ ESD hai chiều
- IEC61000-4-2 Level4: ±30kV phóng điện tiếp xúc
- IEC61000-4-5 (sét) 100A (8/20μs)
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| VS54VLNVWMTFTR ROHM SemiconductorVS54VLNVWMTF là diode TVS độ tin cậy cao đạt chuẩn AEC-Q101, dùng để bảo vệ chống xung đột biến và ổn định điện áp. Sản phẩm đạt đặc tính điện tương đương các sản phẩm ROHM hiện hành trong vỏ PMDE nhỏ. PMDE Datasheet (PDF) | PMDE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| VS54VLNVWMTR ROHM SemiconductorVS54VLNVWM là diode TVS dùng để bảo vệ chống xung đột biến và ổn định điện áp. Sản phẩm đạt đặc tính điện tương đương các sản phẩm ROHM hiện hành trong vỏ PMDE nhỏ. Vỏ PMDE có độ tin cậy cao và hiệu suất tản nhiệt tốt. PMDE Datasheet (PDF) | PMDE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| VS58VLNVWMTFTR ROHM SemiconductorVS58VLNVWMTF là diode TVS độ tin cậy cao đạt chuẩn AEC-Q101, dùng để bảo vệ chống xung đột biến và ổn định điện áp. Sản phẩm đạt đặc tính điện tương đương các sản phẩm ROHM hiện hành trong vỏ PMDE nhỏ. PMDE Datasheet (PDF) | PMDE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| VS58VLNVWMTR ROHM SemiconductorVS58VLNVWM là diode TVS dùng để bảo vệ chống xung đột biến và ổn định điện áp. Sản phẩm đạt đặc tính điện tương đương các sản phẩm ROHM hiện hành trong vỏ PMDE nhỏ. Vỏ PMDE có độ tin cậy cao và hiệu suất tản nhiệt tốt. PMDE Datasheet (PDF) | PMDE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| VS5V0BA1EST15R ROHM SemiconductorVS5V0BA1ES là diode TVS lý tưởng để bảo vệ giao diện (I/F) trong thiết bị điện tử, kích thước 0201(0603). Điện áp kẹp thấp và khả năng chịu xung cao mang lại khả năng bảo vệ vượt trội. SMD0603 Datasheet (PDF) | SMD0603 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| VS5V0BA1FST27N ROHM SemiconductorVS5V0BA1FS là diode TVS lý tưởng để bảo vệ giao diện (I/F) trong thiết bị điện tử, kích thước 01005(0402). Điện áp kẹp thấp và khả năng chịu xung cao mang lại khả năng bảo vệ vượt trội. SMD0402 Datasheet (PDF) | SMD0402 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| VS5V0BB1EST15R ROHM SemiconductorVS5V0BB1ES là diode TVS lý tưởng để bảo vệ giao diện (I/F) trong thiết bị điện tử, kích thước 0201(0603). Điện áp kẹp thấp và khả năng chịu xung cao mang lại khả năng bảo vệ vượt trội. SMD0603 Datasheet (PDF) | SMD0603 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| VS5V0BB1FST27N ROHM SemiconductorVS5V0BB1FS là diode TVS lý tưởng để bảo vệ giao diện (I/F) trong thiết bị điện tử, kích thước 01005(0402). Điện áp kẹp thấp và khả năng chịu xung cao mang lại khả năng bảo vệ vượt trội. SMD0402 Datasheet (PDF) | SMD0402 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
