SCT4062KTWHRTCR
1200V, 25A, SMD 9 chân, cấu trúc trench, Silicon-carbide (SiC) MOSFET dùng cho ô tô
Sản phẩm này là MOSFET SiC kiểu đóng gói TSC3PAK. Với cấu trúc tản nhiệt phía trên có bề mặt tản nhiệt nằm ở mặt trên của vỏ, TSC3PAK đạt hiệu năng tản nhiệt tương đương các kiểu đóng gói xuyên lỗ thông thường trong khi…
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- SCT4062KTWHRTCR
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- TSC3PAK
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
- Mã gốc (Base Part No.)
- SCT4062KTWHR
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 600
- Cấp nhạy ẩm (MSL)
- 1
- Điện áp drain-source [V]
- 1200
- Điện trở dẫn drain-source (Typ.) [mΩ]
- 62
- Thế hệ
- 4th Gen (Trench)
- Dòng drain [A]
- 25
- Tổng công suất tiêu tán [W]
- 106
- Nhiệt độ tiếp giáp (Max.) [°C]
- 175
- Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
- -40
- Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
- 175
- Kích thước vỏ [mm]
- 14.0x18.58 (t=3.625)
- Tiêu chuẩn chung
- AEC-Q101 (cấp ô tô)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | MOSFET |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss)) | 1200 V |
| Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C) | 25A |
| Kiểu lắp (Mounting Type) | Surface Mount |
Thông tin chi tiết
Sản phẩm này là MOSFET SiC kiểu đóng gói TSC3PAK. Với cấu trúc tản nhiệt phía trên có bề mặt tản nhiệt nằm ở mặt trên của vỏ, TSC3PAK đạt hiệu năng tản nhiệt tương đương các kiểu đóng gói xuyên lỗ thông thường trong khi vẫn giữ thiết kế bề mặt (surface-mount). Ngoài ra, cấu trúc rãnh (groove) độc quyền của ROHM đảm bảo khoảng cách creepage 6.66mm, hỗ trợ điện áp đỉnh AC 1200V trong môi trường Pollution Degree 2. Điều này góp phần thiết kế cách điện an toàn và độ tin cậy cao hơn trong các ứng dụng điện áp cao. Hơn nữa, sản phẩm đạt điện trở ON thấp và chuyển mạch tốc độ cao, góp phần nâng cao hiệu suất và giảm tiêu thụ điện năng trong các mạch chuyển đổi công suất. Lý tưởng cho bộ sạc on-board và máy nén điện trong xEV, cũng như bộ nghịch lưu PV và nguồn máy chủ.
Tính năng chính
- Đạt chuẩn AEC-Q101
- Khoảng cách creepage rộng = tối thiểu 6.66mm
- Điện trở ON thấp
- Tốc độ chuyển mạch nhanh
- Phục hồi ngược nhanh
- Dễ mắc song song
- Dễ điều khiển
- Mạ chân không chì; tuân thủ RoHS
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| SCT4062KTWTCR ROHM SemiconductorSản phẩm này là MOSFET SiC kiểu đóng gói TSC3PAK. Với cấu trúc tản nhiệt phía trên có bề mặt tản nhiệt nằm ở mặt trên của vỏ, TSC3PAK đạt hiệu năng tản nhiệt tương đương các kiểu đóng gói xuyên lỗ thông thường trong khi… TSC3PAK Datasheet (PDF) | TSC3PAK | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT4062KW7HRTL ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT4062KW7HR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-263-7L Datasheet (PDF) | TO-263-7L | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT4062KW7TL ROHM SemiconductorSCT4062KW7 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-263-7L Datasheet (PDF) | TO-263-7L | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT4062KWAHRTL ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT4062KWAHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-263-7LA Datasheet (PDF) | TO-263-7LA | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT4062KWATL ROHM SemiconductorSCT4062KWA là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-263-7LA Datasheet (PDF) | TO-263-7LA | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT4065DEC11 ROHM SemiconductorSCT4065DE là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT4065DEHRC11 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT4065DEHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT4065DLLTRDC ROHM SemiconductorSản phẩm này là MOSFET SiC kiểu đóng gói TOLL (TO-LeadLess). Kiểu đóng gói TOLL có khả năng tản nhiệt tuyệt vời và dòng điện lớn trong kích thước nhỏ gọn, giảm diện tích chiếm dụng khoảng 26% so với kiểu đóng gói TO-263… TOLL Datasheet (PDF) | TOLL | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
