Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

SCT4036DRC15

750V, 42A, THD 4 chân, cấu trúc trench, Silicon-carbide (SiC) MOSFET

SCT4036DR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.

SCT4036DRC15, TO-247-4L

Thông số

Mã nhà sản xuất
SCT4036DRC15
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
TO-247-4L
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
Mã gốc (Base Part No.)
SCT4036DR
Kiểu đóng gói (Packing)
Ống (Tube)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
450
Số lượng đóng gói tối thiểu
30
Điện áp drain-source [V]
750
Điện trở dẫn drain-source (Typ.) [mΩ]
36
Thế hệ
4th Gen (Trench)
Dòng drain [A]
42
Tổng công suất tiêu tán [W]
136
Nhiệt độ tiếp giáp (Max.) [°C]
175
Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
-40
Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
175
Kích thước vỏ [mm]
23.45x16.0 (t=5.2)
Tải datasheet (PDF)

Thông số kỹ thuật

Danh mục (Category)MOSFET
Hãng (Mfr)ROHM Semiconductor
Công nghệ (Technology)MOSFET (Metal Oxide)
Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss))750 V
Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C)42A

Thông tin chi tiết

SCT4036DR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Ưu điểm của MOSFET SiC thế hệ thứ 4 của ROHM: dòng này giảm khoảng 40% điện trở ON và khoảng 50% tổn hao chuyển mạch so với sản phẩm thông thường. Điện áp gate-source 15V giúp thiết kế ứng dụng dễ dàng hơn.

Tính năng chính

  • Điện trở ON thấp
  • Tốc độ chuyển mạch nhanh
  • Phục hồi ngược nhanh
  • Dễ mắc song song
  • Dễ điều khiển
  • Mạ chân không chì; tuân thủ RoHS

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
SCT4036DRHRC15

ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT4036DRHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.

TO-247-4L

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SCT4036DTWHRTCR

ROHM SemiconductorSản phẩm này là MOSFET SiC kiểu đóng gói TSC3PAK. Với cấu trúc tản nhiệt phía trên có bề mặt tản nhiệt nằm ở mặt trên của vỏ, TSC3PAK đạt hiệu năng tản nhiệt tương đương các kiểu đóng gói xuyên lỗ thông thường trong khi…

TSC3PAK

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SCT4036DTWTCR

ROHM SemiconductorSản phẩm này là MOSFET SiC kiểu đóng gói TSC3PAK. Với cấu trúc tản nhiệt phía trên có bề mặt tản nhiệt nằm ở mặt trên của vỏ, TSC3PAK đạt hiệu năng tản nhiệt tương đương các kiểu đóng gói xuyên lỗ thông thường trong khi…

TSC3PAK

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SCT4036DWAHRTL

ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT4036DWAHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.

TO-263-7LA

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SCT4036DWATL

ROHM SemiconductorSCT4036DWA là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.

TO-263-7LA

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SCT4036KEC11

ROHM SemiconductorSCT4036KE là MOSFET SiC góp phần thu nhỏ kích thước và giảm tiêu thụ điện năng của ứng dụng. Đây là sản phẩm thế hệ thứ 4 đạt điện trở ON thấp hàng đầu ngành mà không hy sinh thời gian chịu ngắn mạch.

TO-247N

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SCT4036KEHRC11

ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT4036KEHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.

TO-247N

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SCT4036KRC15

ROHM SemiconductorSCT4036KR là MOSFET SiC góp phần thu nhỏ kích thước và giảm tiêu thụ điện năng của ứng dụng. Đây là sản phẩm thế hệ thứ 4 đạt điện trở ON thấp hàng đầu ngành mà không hy sinh thời gian chịu ngắn mạch.

TO-247-4L

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá