SCT4036DWAHRTL
750V, 38A, SMD 7 chân, cấu trúc trench, Silicon-carbide (SiC) MOSFET dùng cho ô tô
Sản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT4036DWAHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- SCT4036DWAHRTL
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- TO-263-7LA
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
- Mã gốc (Base Part No.)
- SCT4036DWAHR
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 1000
- Cấp nhạy ẩm (MSL)
- 1
- Điện áp drain-source [V]
- 750
- Điện trở dẫn drain-source (Typ.) [mΩ]
- 36
- Thế hệ
- 4th Gen (Trench)
- Dòng drain [A]
- 38
- Tổng công suất tiêu tán [W]
- 115
- Nhiệt độ tiếp giáp (Max.) [°C]
- 175
- Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
- -40
- Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
- 175
- Kích thước vỏ [mm]
- 15.4x10.2 (t=4.7)
- Tiêu chuẩn chung
- AEC-Q101 (cấp ô tô)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | MOSFET |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss)) | 750 V |
| Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C) | 38A |
| Cấp (Grade) | Automotive |
| Tiêu chuẩn (Qualification) | AEC-Q101 |
| Kiểu lắp (Mounting Type) | Surface Mount |
Thông tin chi tiết
Sản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT4036DWAHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Ưu điểm của MOSFET SiC thế hệ thứ 4 của ROHM: dòng này giảm khoảng 40% điện trở ON và khoảng 50% tổn hao chuyển mạch so với sản phẩm thông thường. Điện áp gate-source 15V giúp thiết kế ứng dụng dễ dàng hơn.
Tính năng chính
- Đạt chuẩn AEC-Q101
- Điện trở ON thấp
- Tốc độ chuyển mạch nhanh
- Phục hồi ngược nhanh
- Dễ mắc song song
- Dễ điều khiển
- Mạ chân không chì; tuân thủ RoHS
- Khoảng cách creepage rộng = tối thiểu 4.7mm
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| SCT4036DWATL ROHM SemiconductorSCT4036DWA là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-263-7LA Datasheet (PDF) | TO-263-7LA | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT4036KEC11 ROHM SemiconductorSCT4036KE là MOSFET SiC góp phần thu nhỏ kích thước và giảm tiêu thụ điện năng của ứng dụng. Đây là sản phẩm thế hệ thứ 4 đạt điện trở ON thấp hàng đầu ngành mà không hy sinh thời gian chịu ngắn mạch. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT4036KEHRC11 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT4036KEHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT4036KRC15 ROHM SemiconductorSCT4036KR là MOSFET SiC góp phần thu nhỏ kích thước và giảm tiêu thụ điện năng của ứng dụng. Đây là sản phẩm thế hệ thứ 4 đạt điện trở ON thấp hàng đầu ngành mà không hy sinh thời gian chịu ngắn mạch. TO-247-4L Datasheet (PDF) | TO-247-4L | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT4036KRHRC15 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT4036KRHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247-4L Datasheet (PDF) | TO-247-4L | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT4036KTWHRTCR ROHM SemiconductorSản phẩm này là MOSFET SiC kiểu đóng gói TSC3PAK. Với cấu trúc tản nhiệt phía trên có bề mặt tản nhiệt nằm ở mặt trên của vỏ, TSC3PAK đạt hiệu năng tản nhiệt tương đương các kiểu đóng gói xuyên lỗ thông thường trong khi… TSC3PAK Datasheet (PDF) | TSC3PAK | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT4036KTWTCR ROHM SemiconductorSản phẩm này là MOSFET SiC kiểu đóng gói TSC3PAK. Với cấu trúc tản nhiệt phía trên có bề mặt tản nhiệt nằm ở mặt trên của vỏ, TSC3PAK đạt hiệu năng tản nhiệt tương đương các kiểu đóng gói xuyên lỗ thông thường trong khi… TSC3PAK Datasheet (PDF) | TSC3PAK | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT4036KW7TL ROHM SemiconductorSCT4036KW7 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-263-7L Datasheet (PDF) | TO-263-7L | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
