RS4P063BPHZGTCB
Power MOSFET kênh N 100V 170A Wide-SOA cho mạch an toàn ô tô
RS4P063BPHZG là MOSFET ô tô đạt chuẩn AEC-Q101, có khả năng SOA mở rộng với thiết kế giúp hạn chế hiện tượng đánh thủng thứ cấp (secondary breakdown).
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- RS4P063BPHZGTCB
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- HPLF5060T5LSAH
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
- Mã gốc (Base Part No.)
- RS4P063BPHZG
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 3000
- Cấp nhạy ẩm (MSL)
- 1
- Mã vỏ
- HPLF5060T5LSAH
- Số chân
- 5
- Cực tính
- N
- Điện áp drain-source VDSS [V]
- 100
- Dòng drain ID [A]
- 170
- RDS(on) [Ω] VGS=10V (Typ)
- 0.0049
- RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
- 0.0049
- Tổng điện tích cổng Qg [nC]
- 55
- Công suất tiêu tán (PD) [W]
- 384
- Điện áp điều khiển (drive) [V]
- 10
- Trr (Typ.) [ns]
- 70
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
- 175
- Kích thước vỏ [mm]
- 6.0x4.9 (t=1.2)
- Tiêu chuẩn chung
- AEC-Q101 (cấp ô tô)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | MOSFET |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss)) | 100 V |
| Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C) | 170A |
| Cấp (Grade) | Automotive |
| Tiêu chuẩn (Qualification) | AEC-Q101 |
Thông tin chi tiết
RS4P063BPHZG là MOSFET ô tô đạt chuẩn AEC-Q101, có khả năng SOA mở rộng với thiết kế giúp hạn chế hiện tượng đánh thủng thứ cấp (secondary breakdown). Góp phần nâng cao độ tin cậy trong các mạch an toàn và bảo vệ ô tô chịu ứng suất dòng cao và điện áp cao trong thời gian ngắn, như mạch kích nổ bộ bơm hơi túi khí (airbag), driver bộ căng đai an toàn và driver pyrofuse ngắt pin.
Tính năng chính
- Đạt chuẩn AEC-Q101
- Kiểm tra avalanche 100%
- Wide-SOA
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| RS6E120BGTB1 ROHM SemiconductorRS6E120BG là Power MOSFET điện trở ON thấp, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC. HSOP8 (Single,TB1) Datasheet (PDF) | HSOP8 (Single,TB1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RS6E122BGTB1 ROHM SemiconductorRS6E122BG là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch. HSOP8 (Single,TB1) Datasheet (PDF) | HSOP8 (Single,TB1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RS6G100BGTB1 ROHM SemiconductorRS6G100BG là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ mold nhỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch. HSOP8 (Single,TB1) Datasheet (PDF) | HSOP8 (Single,TB1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RS6G120BGTB1 ROHM SemiconductorRS6G120BG là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch. HSOP8 (Single,TB1) Datasheet (PDF) | HSOP8 (Single,TB1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RS6G120BHTB1 ROHM SemiconductorRS6G120BH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ mold nhỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC. HSOP8 (Single,TB1) Datasheet (PDF) | HSOP8 (Single,TB1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RS6G120CGTB1 ROHM SemiconductorRS6G120CG là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC. HSOP8 (Single,TB1) Datasheet (PDF) | HSOP8 (Single,TB1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RS6G120CHTB1 ROHM SemiconductorRS6G120CH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC. HSOP8 (Single,TB1) Datasheet (PDF) | HSOP8 (Single,TB1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RS6G122CGTB1 ROHM SemiconductorRS6G122CG là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC. HSOP8 (Single,TB1) Datasheet (PDF) | HSOP8 (Single,TB1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
