Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

RS6E120BGTB1

Power MOSFET 30V 270A HSOP8

RS6E120BG là Power MOSFET điện trở ON thấp, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC.

RS6E120BGTB1, HSOP8 (Single,TB1)

Thông số

Mã nhà sản xuất
RS6E120BGTB1
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
HSOP8 (Single,TB1)
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
Mã gốc (Base Part No.)
RS6E120BG
Kiểu đóng gói (Packing)
Cuộn băng (Taping)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
2500
Mã vỏ
HSOP8
Số chân
8
Cực tính
N
Điện áp drain-source VDSS [V]
30
Dòng drain ID [A]
270
RDS(on) [Ω] VGS=4.5V (Typ)
0.0012
RDS(on) [Ω] VGS=10V (Typ)
0.00079
RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0012
Tổng điện tích cổng Qg [nC]
35
Công suất tiêu tán (PD) [W]
138
Điện áp điều khiển (drive) [V]
4.5
Trr (Typ.) [ns]
59
Kiểu lắp
Dán bề mặt
Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
-55
Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
150
Kích thước vỏ [mm]
6.0x4.9 (t=1.1)
Tải datasheet (PDF)

Thông số kỹ thuật

Danh mục (Category)MOSFET
Hãng (Mfr)ROHM Semiconductor
Công nghệ (Technology)MOSFET (Metal Oxide)
Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss))30 V
Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C)270A

Thông tin chi tiết

RS6E120BG là Power MOSFET điện trở ON thấp, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC.

Tính năng chính

  • Điện trở ON thấp
  • Vỏ công suất lớn (HSOP8)
  • Mạ không chì (Pb-free); tuân thủ RoHS
  • Không chứa halogen
  • Kiểm tra 100% Rg và UIS

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
RS6E122BGTB1

ROHM SemiconductorRS6E122BG là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch.

HSOP8 (Single,TB1)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RS6G100BGTB1

ROHM SemiconductorRS6G100BG là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ mold nhỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch.

HSOP8 (Single,TB1)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RS6G120BGTB1

ROHM SemiconductorRS6G120BG là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch.

HSOP8 (Single,TB1)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RS6G120BHTB1

ROHM SemiconductorRS6G120BH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ mold nhỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC.

HSOP8 (Single,TB1)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RS6G120CGTB1

ROHM SemiconductorRS6G120CG là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC.

HSOP8 (Single,TB1)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RS6G120CHTB1

ROHM SemiconductorRS6G120CH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC.

HSOP8 (Single,TB1)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RS6G122CGTB1

ROHM SemiconductorRS6G122CG là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC.

HSOP8 (Single,TB1)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RS6G122CHTB1

ROHM SemiconductorRS6G122CH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC.

HSOP8 (Single,TB1)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá