RRS100P03HZGTB
Power MOSFET kênh P -30V -10A
RRS100P03HZG là MOSFET cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. MOSFET kênh P -30V kèm diode bảo vệ ESD trong vỏ SOP8. Lý tưởng cho ứng dụng chuyển mạch. Thông báo PCN sắp tới
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- RRS100P03HZGTB
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- SOP8
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
- Mã gốc (Base Part No.)
- RRS100P03HZG
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 2500
- Cấp nhạy ẩm (MSL)
- 1
- Mã vỏ
- SOP8
- Số chân
- 8
- Cực tính
- P
- Điện áp drain-source VDSS [V]
- -30
- Dòng drain ID [A]
- -10
- RDS(on) [Ω] VGS=4V (Typ)
- 0.014
- RDS(on) [Ω] VGS=4.5V (Typ)
- 0.0125
- RDS(on) [Ω] VGS=10V (Typ)
- 0.009
- RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
- 0.014
- Tổng điện tích cổng Qg [nC]
- 39
- Công suất tiêu tán (PD) [W]
- 2
- Điện áp điều khiển (drive) [V]
- -4
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
- 150
- Kích thước vỏ [mm]
- 6.0x5.0 (t=1.75)
- Tiêu chuẩn chung
- AEC-Q101 (cấp ô tô)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | MOSFET |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss)) | 30 V |
| Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C) | 10A |
| Cấp (Grade) | Automotive |
| Tiêu chuẩn (Qualification) | AEC-Q101 |
Thông tin chi tiết
RRS100P03HZG là MOSFET cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. MOSFET kênh P -30V kèm diode bảo vệ ESD trong vỏ SOP8. Lý tưởng cho ứng dụng chuyển mạch. Thông báo PCN sắp tới
Tính năng chính
- Điện trở ON thấp
- Vỏ gắn bề mặt nhỏ (SOP8)
- Mạ chân không chì; tuân thủ RoHS
- Đạt chuẩn AEC-Q101
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| RRS140P03HZGTB ROHM SemiconductorRRS140P03HZG là MOSFET cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. MOSFET kênh P -30V kèm diode bảo vệ ESD trong vỏ SOP8. Lý tưởng cho ứng dụng chuyển mạch. Thông báo PCN sắp tới SOP8 Datasheet (PDF) | SOP8 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RS1E130GNTB ROHM SemiconductorPower MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng. HSOP8 (Single,TB) Datasheet (PDF) | HSOP8 (Single,TB) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RS1E150GNTB ROHM SemiconductorPower MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng. HSOP8 (Single,TB) Datasheet (PDF) | HSOP8 (Single,TB) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RS1E170GNTB ROHM SemiconductorPower MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng. HSOP8 (Single,TB) Datasheet (PDF) | HSOP8 (Single,TB) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RS1E180BNTB ROHM SemiconductorRS1E180BN là MOSFET điện trở ON thấp, vỏ mold nhỏ công suất lớn cho ứng dụng chuyển mạch. HSOP8 (Single,TB) Datasheet (PDF) | HSOP8 (Single,TB) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RS1E200BNTB1 ROHM SemiconductorMOSFET công suất trung bình RS1E200BN phù hợp cho nguồn chuyển mạch. HSOP8 (Single,TB1) Datasheet (PDF) | HSOP8 (Single,TB1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RS1E200GNTB ROHM SemiconductorPower MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng. HSOP8 (Single,TB) Datasheet (PDF) | HSOP8 (Single,TB) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RS1E220ATTB1 ROHM SemiconductorRS1E220AT là Power MOSFET, phù hợp cho ứng dụng chuyển mạch. HSOP8 (Single,TB1) Datasheet (PDF) | HSOP8 (Single,TB1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
