RS1E150GNTB
MOSFET kênh N truyền động 4.5V
Power MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- RS1E150GNTB
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- HSOP8 (Single,TB)
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Đang sản xuất (Active)
- Mã gốc (Base Part No.)
- RS1E150GN
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 2500
- Mã vỏ
- HSOP8
- Ứng dụng
- Nguồn cấp
- Số chân
- 8
- Cực tính
- N
- Điện áp drain-source VDSS [V]
- 30
- Dòng drain ID [A]
- 40
- RDS(on) [Ω] VGS=4.5V (Typ)
- 0.0088
- RDS(on) [Ω] VGS=10V (Typ)
- 0.0067
- RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
- 0.0088
- Tổng điện tích cổng Qg [nC]
- 4.8
- Công suất tiêu tán (PD) [W]
- 22
- Điện áp điều khiển (drive) [V]
- 4.5
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Mã linh kiện die trần
- Có sẵn: K4503
- Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
- 150
- Kích thước vỏ [mm]
- 6.0x5.0 (t=1.1)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | MOSFET |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss)) | 4.5 V |
Thông tin chi tiết
Power MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng. Dải sản phẩm rộng gồm loại nhỏ gọn, loại công suất lớn và loại phức hợp, đáp ứng nhiều nhu cầu của thị trường.
Tính năng chính
- Điện trở ON thấp
- Vỏ công suất lớn (HSOP8)
- Mạ chân không chì; tuân thủ RoHS
- Không chứa halogen
- Kiểm tra 100% Rg và UIS
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| RS1E170GNTB ROHM SemiconductorPower MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng. HSOP8 (Single,TB) Datasheet (PDF) | HSOP8 (Single,TB) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RS1E180BNTB ROHM SemiconductorRS1E180BN là MOSFET điện trở ON thấp, vỏ mold nhỏ công suất lớn cho ứng dụng chuyển mạch. HSOP8 (Single,TB) Datasheet (PDF) | HSOP8 (Single,TB) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RS1E200BNTB1 ROHM SemiconductorMOSFET công suất trung bình RS1E200BN phù hợp cho nguồn chuyển mạch. HSOP8 (Single,TB1) Datasheet (PDF) | HSOP8 (Single,TB1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RS1E200GNTB ROHM SemiconductorPower MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng. HSOP8 (Single,TB) Datasheet (PDF) | HSOP8 (Single,TB) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RS1E220ATTB1 ROHM SemiconductorRS1E220AT là Power MOSFET, phù hợp cho ứng dụng chuyển mạch. HSOP8 (Single,TB1) Datasheet (PDF) | HSOP8 (Single,TB1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RS1E240BNTB ROHM SemiconductorRS1E240BN là MOSFET cho ứng dụng chuyển mạch, có đặc điểm điện trở ON thấp. HSOP8 (Single,TB) Datasheet (PDF) | HSOP8 (Single,TB) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RS1E240GNTB ROHM SemiconductorPower MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng. HSOP8 (Single,TB) Datasheet (PDF) | HSOP8 (Single,TB) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RS1E260ATTB1 ROHM SemiconductorRS1E260AT là transistor độ tin cậy cao, phù hợp cho ứng dụng chuyển mạch. HSOP8 (Single,TB1) Datasheet (PDF) | HSOP8 (Single,TB1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
