| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| BD50HC5VEFJ-ME2 ROHM SemiconductorBDxxHC5VEFJ-M là ổn áp LDO có dòng điện đầu ra 1.5A. Độ chính xác đầu ra là ±1% điện áp đầu ra. Với điện trở ngoài, có thể đặt điện áp đầu ra tùy ý (từ 1.5V đến 7.0V). Đóng gói HTSOP-J8. HTSOP-J8 Datasheet (PDF) | HTSOP-J8 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5209G-1TR ROHM SemiconductorCác IC phát hiện điện áp CMOS có cài đặt thời gian trễ tự do của ROHM có độ chính xác cao và dòng tiêu thụ cực thấp nhờ dùng quy trình CMOS. Thời gian trễ có thể điều khiển bằng tụ ngoài. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5209G-2CGTR ROHM SemiconductorBD5209G-2C của ROHM là các IC phát hiện điện áp độ chính xác cao, dòng tiêu thụ thấp, với thời gian trễ được điều khiển bằng tụ điện. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5209G-2MTR ROHM SemiconductorBD5209G-2M của ROHM là IC phát hiện điện áp độ chính xác cao, dòng tiêu thụ thấp, với thời gian trễ được điều khiển bằng tụ điện. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5210G-1TR ROHM SemiconductorCác IC phát hiện điện áp CMOS có cài đặt thời gian trễ tự do của ROHM có độ chính xác cao và dòng tiêu thụ cực thấp nhờ dùng quy trình CMOS. Thời gian trễ có thể điều khiển bằng tụ ngoài. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5210G-2CGTR ROHM SemiconductorBD5210G-2C của ROHM là các IC phát hiện điện áp độ chính xác cao, dòng tiêu thụ thấp, với thời gian trễ được điều khiển bằng tụ điện. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5210G-2MTR ROHM SemiconductorBD5210G-2M của ROHM là IC phát hiện điện áp độ chính xác cao, dòng tiêu thụ thấp, với thời gian trễ được điều khiển bằng tụ điện. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5211G-1TR ROHM SemiconductorCác IC phát hiện điện áp CMOS có cài đặt thời gian trễ tự do của ROHM có độ chính xác cao và dòng tiêu thụ cực thấp nhờ dùng quy trình CMOS. Thời gian trễ có thể điều khiển bằng tụ ngoài. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5211G-2CGTR ROHM SemiconductorBD5211G-2C của ROHM là các IC phát hiện điện áp độ chính xác cao, dòng tiêu thụ thấp, với thời gian trễ được điều khiển bằng tụ điện. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5211G-2MTR ROHM SemiconductorBD5211G-2M của ROHM là IC phát hiện điện áp độ chính xác cao, dòng tiêu thụ thấp, với thời gian trễ được điều khiển bằng tụ điện. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5212G-1TR ROHM SemiconductorCác IC phát hiện điện áp CMOS có cài đặt thời gian trễ tự do của ROHM có độ chính xác cao và dòng tiêu thụ cực thấp nhờ dùng quy trình CMOS. Thời gian trễ có thể điều khiển bằng tụ ngoài. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5212G-2CGTR ROHM SemiconductorBD5212G-2C của ROHM là các IC phát hiện điện áp độ chính xác cao, dòng tiêu thụ thấp, với thời gian trễ được điều khiển bằng tụ điện. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5212G-2MTR ROHM SemiconductorBD5212G-2M của ROHM là IC phát hiện điện áp độ chính xác cao, dòng tiêu thụ thấp, với thời gian trễ được điều khiển bằng tụ điện. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5213G-1TR ROHM SemiconductorCác IC phát hiện điện áp CMOS có cài đặt thời gian trễ tự do của ROHM có độ chính xác cao và dòng tiêu thụ cực thấp nhờ dùng quy trình CMOS. Thời gian trễ có thể điều khiển bằng tụ ngoài. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5213G-2CGTR ROHM SemiconductorBD5213G-2C của ROHM là các IC phát hiện điện áp độ chính xác cao, dòng tiêu thụ thấp, với thời gian trễ được điều khiển bằng tụ điện. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5213G-2MTR ROHM SemiconductorBD5213G-2M của ROHM là IC phát hiện điện áp độ chính xác cao, dòng tiêu thụ thấp, với thời gian trễ được điều khiển bằng tụ điện. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5214G-1TR ROHM SemiconductorCác IC phát hiện điện áp CMOS có cài đặt thời gian trễ tự do của ROHM có độ chính xác cao và dòng tiêu thụ cực thấp nhờ dùng quy trình CMOS. Thời gian trễ có thể điều khiển bằng tụ ngoài. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5214G-2CGTR ROHM SemiconductorBD5214G-2C của ROHM là các IC phát hiện điện áp độ chính xác cao, dòng tiêu thụ thấp, với thời gian trễ được điều khiển bằng tụ điện. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5214G-2MTR ROHM SemiconductorBD5214G-2M của ROHM là IC phát hiện điện áp độ chính xác cao, dòng tiêu thụ thấp, với thời gian trễ được điều khiển bằng tụ điện. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5214NVX-2CTL ROHM SemiconductorDòng BD52xxNVX-2C, các IC phát hiện điện áp CMOS có cài đặt thời gian trễ tự do, có độ chính xác cao và dòng tiêu thụ cực thấp nhờ dùng quy trình CMOS. Thời gian trễ có thể điều khiển bằng tụ ngoài. SSON004R1010 Datasheet (PDF) | SSON004R1010 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5215G-1TR ROHM SemiconductorCác IC phát hiện điện áp CMOS có cài đặt thời gian trễ tự do của ROHM có độ chính xác cao và dòng tiêu thụ cực thấp nhờ dùng quy trình CMOS. Thời gian trễ có thể điều khiển bằng tụ ngoài. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5215G-2CGTR ROHM SemiconductorBD5215G-2C của ROHM là các IC phát hiện điện áp độ chính xác cao, dòng tiêu thụ thấp, với thời gian trễ được điều khiển bằng tụ điện. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5215G-2MTR ROHM SemiconductorBD5215G-2M của ROHM là IC phát hiện điện áp độ chính xác cao, dòng tiêu thụ thấp, với thời gian trễ được điều khiển bằng tụ điện. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5216G-1TR ROHM SemiconductorCác IC phát hiện điện áp CMOS có cài đặt thời gian trễ tự do của ROHM có độ chính xác cao và dòng tiêu thụ cực thấp nhờ dùng quy trình CMOS. Thời gian trễ có thể điều khiển bằng tụ ngoài. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD5216G-2CGTR ROHM SemiconductorBD5216G-2C của ROHM là các IC phát hiện điện áp độ chính xác cao, dòng tiêu thụ thấp, với thời gian trễ được điều khiển bằng tụ điện. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
