Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

BD5209G-1TR

Nano Energy™, IC phát hiện điện áp 0.9V có thời gian trễ điều chỉnh được

Các IC phát hiện điện áp CMOS có cài đặt thời gian trễ tự do của ROHM có độ chính xác cao và dòng tiêu thụ cực thấp nhờ dùng quy trình CMOS. Thời gian trễ có thể điều khiển bằng tụ ngoài.

BD5209G-1TR, SSOP5

Thông số

Mã nhà sản xuất
BD5209G-1TR
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
SSOP5
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
Mã gốc (Base Part No.)
BD5209G-1
Kiểu đóng gói (Packing)
Cuộn băng (Taping)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
3000
Cấp nhạy ẩm (MSL)
1
Điện áp phát hiện thấp áp [V] (typ.)
0.9
VDET độ chính xác [%]
±1±5mV
Dải điện áp kích hoạt reset [V]
0.8 to 6
Các loại đầu ra
Open drain
Bộ định thời trễ reset
Trễ điều chỉnh được
Trạng thái kích hoạt reset
Thấp
Reset thủ công
Không
Loại cửa sổ
Không
Bộ định thời watchdog
Không
Ô tô
Không
Dòng mạch (ON) [µA]
0.23
Dòng mạch (OFF) [µA]
0.27
Điện áp trễ [V]
VDET x 0.05
Dòng đầu ra mức L (LowVol) [mA]
1
Dòng đầu ra mức L (HighVol) [mA]
2
Nhiệt độ hoạt động (Min.) [°C]
-40
Nhiệt độ hoạt động (Max.) [°C]
85
Vỏ
SSOP5
Mã tham chiếu
SOT23-5
Kích thước vỏ
2.9x2.8 (t=1.25)
Tải datasheet (PDF)

Thông số kỹ thuật

Danh mục (Category)Giám sát điện áp, reset
Hãng (Mfr)ROHM Semiconductor
Cách đóng gói (Package)Tape & Reel (TR)

Thông tin chi tiết

Các IC phát hiện điện áp CMOS có cài đặt thời gian trễ tự do của ROHM có độ chính xác cao và dòng tiêu thụ cực thấp nhờ dùng quy trình CMOS. Thời gian trễ có thể điều khiển bằng tụ ngoài. Dòng sản phẩm có ngõ ra N-channel open drain (BD52xxG-1). Các thiết bị có các mức điện áp phát hiện riêng từ 0.9V đến 5.0V với bước 0.1V. Thời gian trễ có độ chính xác ±30% trong toàn dải nhiệt độ hoạt động từ -40℃ đến 85℃.

Tính năng chính

  • Nano Energy™
  • Cài đặt thời gian trễ bằng tụ ngoài
  • Loại ngõ ra Nch Open Drain
  • Đóng gói rất nhỏ, nhẹ và mỏng
  • Vỏ SSOP5 tương tự SOT-23-5 (JEDEC)

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
BD5209G-2CGTR

ROHM SemiconductorBD5209G-2C của ROHM là các IC phát hiện điện áp độ chính xác cao, dòng tiêu thụ thấp, với thời gian trễ được điều khiển bằng tụ điện.

SSOP5

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD5209G-2MTR

ROHM SemiconductorBD5209G-2M của ROHM là IC phát hiện điện áp độ chính xác cao, dòng tiêu thụ thấp, với thời gian trễ được điều khiển bằng tụ điện.

SSOP5

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD5210G-1TR

ROHM SemiconductorCác IC phát hiện điện áp CMOS có cài đặt thời gian trễ tự do của ROHM có độ chính xác cao và dòng tiêu thụ cực thấp nhờ dùng quy trình CMOS. Thời gian trễ có thể điều khiển bằng tụ ngoài.

SSOP5

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD5210G-2CGTR

ROHM SemiconductorBD5210G-2C của ROHM là các IC phát hiện điện áp độ chính xác cao, dòng tiêu thụ thấp, với thời gian trễ được điều khiển bằng tụ điện.

SSOP5

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD5210G-2MTR

ROHM SemiconductorBD5210G-2M của ROHM là IC phát hiện điện áp độ chính xác cao, dòng tiêu thụ thấp, với thời gian trễ được điều khiển bằng tụ điện.

SSOP5

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD5211G-1TR

ROHM SemiconductorCác IC phát hiện điện áp CMOS có cài đặt thời gian trễ tự do của ROHM có độ chính xác cao và dòng tiêu thụ cực thấp nhờ dùng quy trình CMOS. Thời gian trễ có thể điều khiển bằng tụ ngoài.

SSOP5

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD5211G-2CGTR

ROHM SemiconductorBD5211G-2C của ROHM là các IC phát hiện điện áp độ chính xác cao, dòng tiêu thụ thấp, với thời gian trễ được điều khiển bằng tụ điện.

SSOP5

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD5211G-2MTR

ROHM SemiconductorBD5211G-2M của ROHM là IC phát hiện điện áp độ chính xác cao, dòng tiêu thụ thấp, với thời gian trễ được điều khiển bằng tụ điện.

SSOP5

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá