Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

RESD3V3UCEDB15R

Diode bảo vệ ESD / TVS điện dung siêu thấp, hai chiều, 3.3V, SOD-962, 0.55pF

RESD3V3UCED là diode bảo vệ ESD điện dung siêu thấp, được tối ưu cho thiết bị máy tính, thiết bị di động, điện tử tiêu dùng, thiết bị ngoại vi, USB 3.x, HDMI™ và giao diện anten.

RESD3V3UCEDB15R, DSN0603-2J

Thông số

Mã nhà sản xuất
RESD3V3UCEDB15R
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
DSN0603-2J
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
Mã gốc (Base Part No.)
RESD3V3UCED
Kiểu đóng gói (Packing)
Cuộn băng (Taping)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
15000
Cấp nhạy ẩm (MSL)
1
Mã vỏ
SOD-962 (DSN0603-2)
Kiểu lắp
Dán bề mặt
Số chân
2
Cấu hình
Một chiều
Số đường bảo vệ
1
VRWM [V]
3.3
VBR (Min.) [V]
5.3
Tj [℃]
150
Điện dung [pF]
0.55
IR (Max.) [uA]
0.01
IPP 8x20us (Max.) [A]
6
VESDIEC61000-4-2 [kV]
14
Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
-55
Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
150
Kích thước vỏ [mm]
0.6x0.3 (t=0.3)
Tải datasheet (PDF)

Thông số kỹ thuật

Danh mục (Category)Diode TVS
Hãng (Mfr)ROHM Semiconductor
Điện áp chờ ngược (Vrwm) (Voltage - Reverse Standoff (Typ))3.3V

Thông tin chi tiết

RESD3V3UCED là diode bảo vệ ESD điện dung siêu thấp, được tối ưu cho thiết bị máy tính, thiết bị di động, điện tử tiêu dùng, thiết bị ngoại vi, USB 3.x, HDMI™ và giao diện anten.

Tính năng chính

  • Bảo vệ ESD một chiều cho 1 đường
  • Điện dung siêu thấp: 0.55 pF (Typical)
  • Hiệu năng bảo vệ vượt trội nhờ điện áp kích hoạt thấp và điện áp kẹp ESD thấp
  • Bảo vệ ESD IEC61000-4-2 Level 4
  • Dòng rò siêu thấp: 10 nA (Maximum)
  • Vỏ SMD siêu nhỏ (0.60×0.30×0.28)

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
RESD3V6UCEDB15R

ROHM SemiconductorRESD3V6UCED là diode bảo vệ ESD điện dung siêu thấp, được tối ưu cho thiết bị máy tính, thiết bị di động, điện tử tiêu dùng, thiết bị ngoại vi, USB 3.x, HDMI™ và giao diện anten.

DSN0603-2J

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RESD5U2MAFAT2LB

ROHM SemiconductorRESD5U2MAFA là diode TVS dùng để bảo vệ chống xung đột biến, cho tai nghe (TWS) và thiết bị đeo.

DFN1006-3

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RESD5V0BAEDB15R

ROHM SemiconductorRESD5V0BAED là diode bảo vệ ESD điện dung siêu thấp dành cho tai nghe (TWS) và thiết bị đeo.

DSN0603-2J

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RESD5V0BASAFHT2RB

ROHM SemiconductorRESD5V0BASAFH là diode bảo vệ ESD điện dung siêu thấp. Lý tưởng cho ứng dụng camera ADAS/ AD.

DFN1006-2W (Wettable Flank)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RESD5V0UASAFHT2RB

ROHM SemiconductorRESD5V0UASAFH là diode bảo vệ ESD điện dung siêu thấp. Lý tưởng cho ứng dụng camera ADAS/ AD.

DFN1006-2W (Wettable Flank)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RSAC16CMT2R

ROHM SemiconductorRSAC16CM là diode TVS planar điện dung thấp trong vỏ đúc nhỏ SOD-923, được thiết kế để bảo vệ chống xung đột biến.

VMN2M

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RSAC6.8CMT2R

ROHM SemiconductorRSAC6.8CM là bộ triệt xung điện áp quá độ (TVS) có mức bảo vệ chống xung đột biến cao.

VMN2M

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RSB12WMTL

ROHM SemiconductorRSB12WM là bộ triệt xung điện áp quá độ (TVS) có mức bảo vệ chống xung đột biến cao.

EMD3F

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá