Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

RESD5U2MAFAT2LB

Bộ triệt xung điện áp quá độ (TVS) 5V 25W, DFN1006-3

RESD5U2MAFA là diode TVS dùng để bảo vệ chống xung đột biến, cho tai nghe (TWS) và thiết bị đeo.

RESD5U2MAFAT2LB, DFN1006-3

Thông số

Mã nhà sản xuất
RESD5U2MAFAT2LB
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
DFN1006-3
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
Mã gốc (Base Part No.)
RESD5U2MAFA
Kiểu đóng gói (Packing)
Cuộn băng (Taping)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
8000
Cấp nhạy ẩm (MSL)
1
Mã vỏ
SOT-883 (DFN1006-3)
Kiểu lắp
Dán bề mặt
Số chân
3
PPP @ 8/20us (Max.) [W]
25
Cấu hình
A-Common
Số đường bảo vệ
2
VRWM [V]
5
VBR (Min.) [V]
6.47
VBR (Max.) [V]
7.14
Tj [℃]
150
Điện dung [pF]
7.5
IR (Max.) [uA]
0.1
IPP 8x20us (Max.) [A]
2
VESDIEC61000-4-2 [kV]
±7.5
Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
-55
Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
150
Kích thước vỏ [mm]
1.0x0.6 (t=0.4)
Tải datasheet (PDF)

Thông số kỹ thuật

Danh mục (Category)Diode TVS
Hãng (Mfr)ROHM Semiconductor
Số kênh hai chiều (Bidirectional Channels)1
Điện áp chờ ngược (Vrwm) (Voltage - Reverse Standoff (Typ))5V
Công suất xung đỉnh (Power - Peak Pulse)25W

Thông tin chi tiết

RESD5U2MAFA là diode TVS dùng để bảo vệ chống xung đột biến, cho tai nghe (TWS) và thiết bị đeo.

Tính năng chính

  • Vỏ siêu nhỏ (DFN1006-3)
  • Bảo vệ 2 đường
  • Điện dung thấp (7.5pF typ.)

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
RESD5V0BAEDB15R

ROHM SemiconductorRESD5V0BAED là diode bảo vệ ESD điện dung siêu thấp dành cho tai nghe (TWS) và thiết bị đeo.

DSN0603-2J

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RESD5V0BASAFHT2RB

ROHM SemiconductorRESD5V0BASAFH là diode bảo vệ ESD điện dung siêu thấp. Lý tưởng cho ứng dụng camera ADAS/ AD.

DFN1006-2W (Wettable Flank)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RESD5V0UASAFHT2RB

ROHM SemiconductorRESD5V0UASAFH là diode bảo vệ ESD điện dung siêu thấp. Lý tưởng cho ứng dụng camera ADAS/ AD.

DFN1006-2W (Wettable Flank)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RSAC16CMT2R

ROHM SemiconductorRSAC16CM là diode TVS planar điện dung thấp trong vỏ đúc nhỏ SOD-923, được thiết kế để bảo vệ chống xung đột biến.

VMN2M

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RSAC6.8CMT2R

ROHM SemiconductorRSAC6.8CM là bộ triệt xung điện áp quá độ (TVS) có mức bảo vệ chống xung đột biến cao.

VMN2M

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RSB12WMTL

ROHM SemiconductorRSB12WM là bộ triệt xung điện áp quá độ (TVS) có mức bảo vệ chống xung đột biến cao.

EMD3F

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RSB12ZMT2L

ROHM SemiconductorRSB12ZM là diode TVS dành cho mức bảo vệ ESD.

VMD3

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RSBC6.8CMT2N

ROHM SemiconductorRSBC6.8CM là bộ triệt xung điện áp quá độ (TVS) có mức bảo vệ chống xung đột biến cao.

VMN2M

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá