Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

RD3U080CNTL1

Power MOSFET kênh N 250V 8A

RD3U080CN là Power MOSFET điện trở ON thấp và chuyển mạch nhanh, phù hợp cho ứng dụng chuyển mạch.

RD3U080CNTL1, TO-252 (TL1)

Thông số

Mã nhà sản xuất
RD3U080CNTL1
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
TO-252 (TL1)
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
Mã gốc (Base Part No.)
RD3U080CN
Kiểu đóng gói (Packing)
Cuộn băng (Taping)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
2500
Mã vỏ
TO-252 (DPAK)
Vỏ JEITA
SC-63
Số chân
3
Cực tính
N
Điện áp drain-source VDSS [V]
250
Dòng drain ID [A]
8
RDS(on) [Ω] VGS=10V (Typ)
0.225
RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
0.225
Tổng điện tích cổng Qg [nC]
25
Công suất tiêu tán (PD) [W]
85
Điện áp điều khiển (drive) [V]
10
Kiểu lắp
Dán bề mặt
Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
-55
Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
150
Kích thước vỏ [mm]
9.9x6.6 (t=2.4)
Tải datasheet (PDF)

Thông số kỹ thuật

Danh mục (Category)MOSFET
Hãng (Mfr)ROHM Semiconductor
Công nghệ (Technology)MOSFET (Metal Oxide)
Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss))250 V
Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C)8A

Thông tin chi tiết

RD3U080CN là Power MOSFET điện trở ON thấp và chuyển mạch nhanh, phù hợp cho ứng dụng chuyển mạch.

Tính năng chính

  • Điện trở ON thấp
  • Chuyển mạch nhanh
  • Mạch truyền động có thể đơn giản
  • Dễ mắc song song
  • Mạ không chì (Pb-free); tuân thủ RoHS

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
RE1C001UNTCL

ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp.

EMT3F

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RE1C001ZPTL

ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp.

EMT3F

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RE1C002UNTCL

ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp.

EMT3F

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RE1C002ZPTL

ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp.

EMT3F

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RE1E002SPTCL

ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp.

EMT3F

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RE1J002YNTCL

ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp.

EMT3F

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RE1L002SNTL

ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp.

EMT3F

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RF4C050APTR

ROHM SemiconductorRF4C050AP có vỏ mold nhỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch và load switch.

HUML2020L8 (Single)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá