RE1C001UNTCL
MOSFET kênh N truyền động 1.2V
MOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- RE1C001UNTCL
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- EMT3F
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
- Mã gốc (Base Part No.)
- RE1C001UN
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 3000
- Cấp nhạy ẩm (MSL)
- 1
- Mã vỏ
- SOT-416FL
- Vỏ JEITA
- SC-89
- Số chân
- 3
- Cực tính
- N
- Điện áp drain-source VDSS [V]
- 20
- Dòng drain ID [A]
- 0.1
- RDS(on) [Ω] VGS=1.2V (Typ)
- 6
- RDS(on) [Ω] VGS=1.5V (Typ)
- 4.5
- RDS(on) [Ω] VGS=2.5V (Typ)
- 3
- RDS(on) [Ω] VGS=4.5V (Typ)
- 2.5
- RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
- 6
- Công suất tiêu tán (PD) [W]
- 0.15
- Điện áp điều khiển (drive) [V]
- 1.2
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
- 150
- Kích thước vỏ [mm]
- 1.6x1.6 (t=0.85)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | MOSFET |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss)) | 1.2 V |
Thông tin chi tiết
MOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp. Dải sản phẩm rộng gồm loại nhỏ gọn, loại công suất lớn và loại phức hợp, đáp ứng nhu cầu của thị trường.
Tính năng chính
- · Loại truyền động điện áp thấp (1.2V)
- · Đóng gói bề mặt (SMD) nhỏ
- · Tích hợp diode bảo vệ ESD
- · Không chì (Pb-free)/tuân thủ RoHS
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| RE1C001ZPTL ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp. EMT3F Datasheet (PDF) | EMT3F | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RE1C002UNTCL ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp. EMT3F Datasheet (PDF) | EMT3F | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RE1C002ZPTL ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp. EMT3F Datasheet (PDF) | EMT3F | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RE1E002SPTCL ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp. EMT3F Datasheet (PDF) | EMT3F | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RE1J002YNTCL ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp. EMT3F Datasheet (PDF) | EMT3F | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RE1L002SNTL ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp. EMT3F Datasheet (PDF) | EMT3F | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RF4C050APTR ROHM SemiconductorRF4C050AP có vỏ mold nhỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch và load switch. HUML2020L8 (Single) Datasheet (PDF) | HUML2020L8 (Single) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RF4C100BCTCR ROHM SemiconductorMOSFET công suất trung bình kênh P -20V -10A HUML2020L8 (Single) Datasheet (PDF) | HUML2020L8 (Single) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
