Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

RA1C030LDT5CL

MOSFET WLCSP kênh N 20V 3.0A, SMM1006

RA1C030LD là MOSFET WLCSP điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho mạch chuyển mạch, ứng dụng pin đơn cell (Single-Cell) và ứng dụng di động.

RA1C030LDT5CL, SMM1006

Thông số

Mã nhà sản xuất
RA1C030LDT5CL
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
SMM1006
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
Mã gốc (Base Part No.)
RA1C030LD
Kiểu đóng gói (Packing)
Cuộn băng (Taping)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
15000
Mã vỏ
DSN1006-3
Ứng dụng
Chuyển mạch
Số chân
3
Cực tính
N
Điện áp drain-source VDSS [V]
20
Dòng drain ID [A]
3
RDS(on) [Ω] VGS=1.8V (Typ)
0.2
RDS(on) [Ω] VGS=2.5V (Typ)
0.13
RDS(on) [Ω] VGS=4.5V (Typ)
0.08
RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
0.2
Tổng điện tích cổng Qg [nC]
1.5
Công suất tiêu tán (PD) [W]
1
Điện áp điều khiển (drive) [V]
1.8
Kiểu lắp
Dán bề mặt
Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
-55
Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
150
Kích thước vỏ [mm]
1.0x0.6 (t=0.25)
Tải datasheet (PDF)

Thông số kỹ thuật

Danh mục (Category)MOSFET
Hãng (Mfr)ROHM Semiconductor
Công nghệ (Technology)MOSFET (Metal Oxide)
Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss))20 V
Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C)3A

Thông tin chi tiết

RA1C030LD là MOSFET WLCSP điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho mạch chuyển mạch, ứng dụng pin đơn cell (Single-Cell) và ứng dụng di động.

Tính năng chính

  • Điện trở ON thấp.
  • Vỏ nhỏ công suất lớn.
  • Mạ chân không chì (Pb-free); tuân thủ RoHS.
  • Không chứa halogen.
  • Bảo vệ ESD đến 200V (MM)
  • đến 2kV (HBM)
  • WLCSP (gói chip mức wafer - Wafer level chip size package)

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
RD3E04BBJHRTTL

ROHM SemiconductorRD3E04BBJHRT là MOSFET cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. Lý tưởng cho ADAS, Info. (thông tin giải trí), chiếu sáng và thân xe (Body).

TO-252 (TL)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RD3E07BBJHRTTL

ROHM SemiconductorRD3E07BBJHRT là MOSFET cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. Lý tưởng cho ADAS, Info. (thông tin giải trí), chiếu sáng và thân xe (Body).

TO-252 (TL)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RD3E08BBJHRTTL

ROHM SemiconductorRD3E08BBJHRT là MOSFET cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. Lý tưởng cho ADAS, Info. (thông tin giải trí), chiếu sáng và thân xe (Body).

TO-252 (TL)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RD3G01BATTL1

ROHM SemiconductorRD3G01BAT là Power MOSFET điện trở ON thấp phù hợp cho ứng dụng chuyển mạch.

TO-252 (TL1)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RD3G03BATTL1

ROHM SemiconductorRD3G03BAT là Power MOSFET điện trở ON thấp phù hợp cho ứng dụng chuyển mạch.

TO-252 (TL1)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RD3G03BBGTL1

ROHM SemiconductorRD3G03BBG là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch.

TO-252 (TL1)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RD3G04BBJHRTTL

ROHM SemiconductorRD3G04BBJHRT là MOSFET cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. Lý tưởng cho ADAS, Info. (thông tin giải trí), chiếu sáng và thân xe (Body).

TO-252 (TL)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RD3G04BBKHRTTL

ROHM SemiconductorRD3G04BBKHRT là MOSFET cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. Lý tưởng cho ADAS, Info. (thông tin giải trí), chiếu sáng và thân xe (Body).

TO-252 (TL)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá