RD3G03BATTL1
Power MOSFET kênh P -40V -35A, TO-252 (DPAK)
RD3G03BAT là Power MOSFET điện trở ON thấp phù hợp cho ứng dụng chuyển mạch.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- RD3G03BATTL1
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- TO-252 (TL1)
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
- Mã gốc (Base Part No.)
- RD3G03BAT
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 2500
- Mã vỏ
- TO-252 (DPAK)
- Vỏ JEITA
- SC-63
- Số chân
- 3
- Cực tính
- P
- Điện áp drain-source VDSS [V]
- -40
- Dòng drain ID [A]
- -35
- RDS(on) [Ω] VGS=4.5V (Typ)
- 0.0185
- RDS(on) [Ω] VGS=10V (Typ)
- 0.015
- RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
- 0.0185
- Tổng điện tích cổng Qg [nC]
- 19.5
- Công suất tiêu tán (PD) [W]
- 56
- Điện áp điều khiển (drive) [V]
- -4.5
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
- 150
- Kích thước vỏ [mm]
- 9.9x6.6 (t=2.4)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | MOSFET |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss)) | 40 V |
| Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C) | 35A |
Thông tin chi tiết
RD3G03BAT là Power MOSFET điện trở ON thấp phù hợp cho ứng dụng chuyển mạch.
Tính năng chính
- Điện trở ON thấp
- Tốc độ chuyển mạch nhanh
- Mạch truyền động có thể đơn giản
- Dễ mắc song song
- Mạ không chì (Pb-free); tuân thủ RoHS
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| RD3G03BBGTL1 ROHM SemiconductorRD3G03BBG là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch. TO-252 (TL1) Datasheet (PDF) | TO-252 (TL1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RD3G04BBJHRTTL ROHM SemiconductorRD3G04BBJHRT là MOSFET cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. Lý tưởng cho ADAS, Info. (thông tin giải trí), chiếu sáng và thân xe (Body). TO-252 (TL) Datasheet (PDF) | TO-252 (TL) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RD3G04BBKHRTTL ROHM SemiconductorRD3G04BBKHRT là MOSFET cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. Lý tưởng cho ADAS, Info. (thông tin giải trí), chiếu sáng và thân xe (Body). TO-252 (TL) Datasheet (PDF) | TO-252 (TL) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RD3G04BBLHRTTL ROHM SemiconductorRD3G04BBLHRT là MOSFET cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. Lý tưởng cho ADAS, Info. (thông tin giải trí), chiếu sáng và thân xe (Body). TO-252 (TL) Datasheet (PDF) | TO-252 (TL) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RD3G06BBJHRTTL ROHM SemiconductorRD3G06BBJHRT là MOSFET cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. Lý tưởng cho ADAS, Info. (thông tin giải trí), chiếu sáng và thân xe (Body). TO-252 (TL) Datasheet (PDF) | TO-252 (TL) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RD3G07BATTL1 ROHM SemiconductorRD3G07BAT là Power MOSFET điện trở ON thấp phù hợp cho ứng dụng chuyển mạch. TO-252 (TL1) Datasheet (PDF) | TO-252 (TL1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RD3G07BBGTL1 ROHM SemiconductorRD3G07BBG là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch. TO-252 (TL1) Datasheet (PDF) | TO-252 (TL1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RD3G08BBJHRTTL ROHM SemiconductorRD3G08BBJHRT là MOSFET cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. Lý tưởng cho ADAS, Info. (thông tin giải trí), chiếu sáng và thân xe (Body). TO-252 (TL) Datasheet (PDF) | TO-252 (TL) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |