R6007ENXC7G
Power MOSFET nhiễu thấp 600V 7A TO-220FM
Power MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- R6007ENXC7G
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- TO-220FM
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
- Mã gốc (Base Part No.)
- R6007ENX
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Ống (Tube)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 1000
- Số lượng đóng gói tối thiểu
- 50
- Chương trình cung cấp dài hạn
- 7 năm
- Mã vỏ
- TO-220FP
- Ứng dụng
- Nguồn cấp
- Số chân
- 3
- Cực tính
- N
- Điện áp drain-source VDSS [V]
- 600
- Dòng drain ID [A]
- 7
- RDS(on) [Ω] VGS=10V (Typ)
- 0.57
- RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
- 0.57
- Tổng điện tích cổng Qg [nC]
- 20
- Công suất tiêu tán (PD) [W]
- 40
- Điện áp điều khiển (drive) [V]
- 10
- Trr (Typ.) [ns]
- 340
- Kiểu lắp
- Loại có chân
- Mã linh kiện die trần
- Có sẵn: K7410
- Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
- 150
- Kích thước vỏ [mm]
- 15.1x10.1 (t=4.8)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | MOSFET |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss)) | 600 V |
| Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C) | 7A |
Thông tin chi tiết
Power MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng. Dải sản phẩm rộng gồm loại nhỏ gọn, loại công suất lớn và loại phức hợp, đáp ứng nhiều nhu cầu của thị trường.
Tính năng chính
- Điện trở ON thấp
- Tốc độ chuyển mạch nhanh
- Điện áp cổng-nguồn (VGSS) đảm bảo ±20V
- Mạch truyền động có thể đơn giản
- Dễ mắc song song
- Mạ chân không chì; tuân thủ RoHS
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| R6007JND3TL1 ROHM SemiconductorR6007JND3 là Power MOSFET có thời gian phục hồi ngược (trr) nhanh, phù hợp cho các ứng dụng chuyển mạch. TO-252 (TL1) Datasheet (PDF) | TO-252 (TL1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| R6007JNXC7G ROHM SemiconductorR6007JNX là Power MOSFET có thời gian phục hồi ngược (trr) nhanh, phù hợp cho các ứng dụng chuyển mạch. TO-220FM Datasheet (PDF) | TO-220FM | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| R6007KND3TL1 ROHM SemiconductorR6007KND3 là Power MOSFET điện trở ON thấp và chuyển mạch nhanh, phù hợp cho ứng dụng chuyển mạch. TO-252 (TL1) Datasheet (PDF) | TO-252 (TL1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| R6007KNXC7G ROHM SemiconductorR6007KNX là Power MOSFET điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch cực nhanh. TO-220FM Datasheet (PDF) | TO-220FM | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| R6007RND3TL1 ROHM SemiconductorR6007RND3 là Power MOSFET trr nhanh, phù hợp cho các ứng dụng chuyển mạch. TO-252 (TL1) Datasheet (PDF) | TO-252 (TL1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| R6009END3TL1 ROHM SemiconductorPower MOSFET R6009END3 phù hợp cho nguồn chuyển mạch. TO-252 (TL1) Datasheet (PDF) | TO-252 (TL1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| R6009ENXC7G ROHM SemiconductorPower MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng. TO-220FM Datasheet (PDF) | TO-220FM | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| R6009JND3TL1 ROHM SemiconductorR6009JND3 là Power MOSFET có thời gian phục hồi ngược (trr) nhanh, phù hợp cho các ứng dụng chuyển mạch. TO-252 (TL1) Datasheet (PDF) | TO-252 (TL1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
