Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

R6007JNXC7G

PrestoMOS™ 600V 7A TO-220FM tích hợp diode tốc độ cao

R6007JNX là Power MOSFET có thời gian phục hồi ngược (trr) nhanh, phù hợp cho các ứng dụng chuyển mạch.

R6007JNXC7G, TO-220FM

Thông số

Mã nhà sản xuất
R6007JNXC7G
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
TO-220FM
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
Mã gốc (Base Part No.)
R6007JNX
Kiểu đóng gói (Packing)
Ống (Tube)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
2000
Số lượng đóng gói tối thiểu
50
Chương trình cung cấp dài hạn
7 năm
Mã vỏ
TO-220FP
Ứng dụng
Động cơ, Inverter
Số chân
3
Cực tính
N
Điện áp drain-source VDSS [V]
600
Dòng drain ID [A]
7
RDS(on) [Ω] VGS=15V (Typ)
0.6
RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
0.6
Tổng điện tích cổng Qg [nC]
17.5
Công suất tiêu tán (PD) [W]
46
Điện áp điều khiển (drive) [V]
15
Trr (Typ.) [ns]
60
Kiểu lắp
Loại có chân
Mã linh kiện die trần
Có sẵn: K7809
Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
-55
Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
150
Kích thước vỏ [mm]
15.1x10.1 (t=4.8)
Tải datasheet (PDF)

Thông số kỹ thuật

Danh mục (Category)MOSFET
Hãng (Mfr)ROHM Semiconductor
Công nghệ (Technology)MOSFET (Metal Oxide)
Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss))600 V
Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C)7A

Thông tin chi tiết

R6007JNX là Power MOSFET có thời gian phục hồi ngược (trr) nhanh, phù hợp cho các ứng dụng chuyển mạch. Dòng PrestoMOS™, dòng R60xxJNx tăng tính linh hoạt thiết kế trong khi vẫn duy trì thời gian phục hồi ngược (trr) nhanh nhất ngành, được tối ưu cho trạm sạc EV và truyền động động cơ trong các thiết bị gia dụng như tủ lạnh và máy điều hòa không khí (AC)

Tính năng chính

  • Thời gian phục hồi ngược (trr) nhanh
  • Điện trở ON thấp
  • Tốc độ chuyển mạch nhanh
  • Mạch truyền động có thể đơn giản
  • Mạ không chì (Pb-free); tuân thủ RoHS

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
R6007KND3TL1

ROHM SemiconductorR6007KND3 là Power MOSFET điện trở ON thấp và chuyển mạch nhanh, phù hợp cho ứng dụng chuyển mạch.

TO-252 (TL1)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

R6007KNXC7G

ROHM SemiconductorR6007KNX là Power MOSFET điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch cực nhanh.

TO-220FM

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

R6007RND3TL1

ROHM SemiconductorR6007RND3 là Power MOSFET trr nhanh, phù hợp cho các ứng dụng chuyển mạch.

TO-252 (TL1)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

R6009END3TL1

ROHM SemiconductorPower MOSFET R6009END3 phù hợp cho nguồn chuyển mạch.

TO-252 (TL1)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

R6009ENXC7G

ROHM SemiconductorPower MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng.

TO-220FM

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

R6009JND3TL1

ROHM SemiconductorR6009JND3 là Power MOSFET có thời gian phục hồi ngược (trr) nhanh, phù hợp cho các ứng dụng chuyển mạch.

TO-252 (TL1)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

R6009JNXC7G

ROHM SemiconductorR6009JNX là Power MOSFET có thời gian phục hồi ngược (trr) nhanh, phù hợp cho các ứng dụng chuyển mạch.

TO-220FM

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

R6009KND3TL1

ROHM SemiconductorR6009KND3 là Power MOSFET điện trở ON thấp và chuyển mạch nhanh, phù hợp cho ứng dụng chuyển mạch.

TO-252 (TL1)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá