Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

QS6K21FRATR

MOSFET tín hiệu nhỏ kênh N kép 45V

MOSFET loại phức hợp (N+N) được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng.

QS6K21FRATR, TSMT6

Thông số

Mã nhà sản xuất
QS6K21FRATR
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
TSMT6
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Đang sản xuất (Active)
Mã gốc (Base Part No.)
QS6K21FRA
Kiểu đóng gói (Packing)
Cuộn băng (Taping)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
3000
Mã vỏ
SOT-457T
Vỏ JEITA
SC-95
Số chân
6
Cực tính
N+N
Điện áp drain-source VDSS [V]
45
Dòng drain ID [A]
1
RDS(on) [Ω] VGS=2.5V (Typ)
0.415
RDS(on) [Ω] VGS=4V (Typ)
0.31
RDS(on) [Ω] VGS=4.5V (Typ)
0.3
RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
0.415
Tổng điện tích cổng Qg [nC]
1.5
Công suất tiêu tán (PD) [W]
1.25
Điện áp điều khiển (drive) [V]
2.5
Kiểu lắp
Dán bề mặt
Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
-55
Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
150
Kích thước vỏ [mm]
2.8x2.9 (t=1.0)
Tiêu chuẩn chung
AEC-Q101 (cấp ô tô)
Tải datasheet (PDF)

Thông tin chi tiết

MOSFET loại phức hợp (N+N) được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng. Dải sản phẩm rộng gồm loại nhỏ gọn, loại công suất lớn và loại phức hợp, đáp ứng nhiều nhu cầu của thị trường.

Tính năng chính

  • · Loại truyền động 2.5V
  • · MOSFET kênh N kép công suất trung bình
  • · Tốc độ chuyển mạch nhanh
  • · Đóng gói bề mặt (SMD) nhỏ
  • · Không chì (Pb-free)/tuân thủ RoHS

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
QS8J4HZGTR

ROHM SemiconductorQS8J4HZG là MOSFET cho ứng dụng chuyển mạch. Đây là sản phẩm cấp ô tô độ tin cậy cao, đạt chuẩn AEC-Q101. Thông báo PCN sắp tới

TSMT8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

QS8M51HZGTR

ROHM SemiconductorQS8M51HZG là MOSFET cho ứng dụng chuyển mạch. Đây là sản phẩm cấp ô tô độ tin cậy cao, đạt chuẩn AEC-Q101. Thông báo PCN sắp tới

TSMT8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SH8J31GZETB

ROHM SemiconductorSH8J31 là MOSFET công suất trung bình loại phức hợp (kênh P kép) cho ứng dụng truyền động động cơ.

SOP8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SH8J62TB1

ROHM SemiconductorMOSFET loại phức hợp (P+P) được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng.

SOP8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SH8J65TB1

ROHM SemiconductorMOSFET loại phức hợp (P+P) được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng.

SOP8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SH8J66TB1

ROHM SemiconductorMOSFET loại phức hợp (P+P) được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng.

SOP8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SH8JB5TB1

ROHM SemiconductorSH8JB5 là MOSFET điện trở ON thấp phù hợp cho ứng dụng chuyển mạch.

SOP8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SH8JC5TB1

ROHM SemiconductorSH8JC5 là MOSFET điện trở ON thấp phù hợp cho ứng dụng chuyển mạch.

SOP8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá