Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

QS8M51HZGTR

MOSFET tín hiệu nhỏ bù (complementary) 100V

QS8M51HZG là MOSFET cho ứng dụng chuyển mạch. Đây là sản phẩm cấp ô tô độ tin cậy cao, đạt chuẩn AEC-Q101. Thông báo PCN sắp tới

QS8M51HZGTR, TSMT8

Thông số

Mã nhà sản xuất
QS8M51HZGTR
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
TSMT8
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
Mã gốc (Base Part No.)
QS8M51HZG
Kiểu đóng gói (Packing)
Cuộn băng (Taping)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
3000
Cấp nhạy ẩm (MSL)
1
Mã vỏ
TSMT8
Số chân
8
Cực tính
N+P
Điện áp drain-source VDSS [V]
100
Dòng drain ID [A]
2
RDS(on) [Ω] VGS=4V (Typ)
0.26
RDS(on) [Ω] VGS=4.5V (Typ)
0.25
RDS(on) [Ω] VGS=10V (Typ)
0.24
RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
0.26
Tổng điện tích cổng Qg [nC]
4.7
Công suất tiêu tán (PD) [W]
1.5
Điện áp điều khiển (drive) [V]
4
Kiểu lắp
Dán bề mặt
Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
-55
Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
150
Kích thước vỏ [mm]
2.8x3.0 (t=0.85)
Tiêu chuẩn chung
AEC-Q101 (cấp ô tô)
Tải datasheet (PDF)

Thông số kỹ thuật

Danh mục (Category)MOSFET dãy
Hãng (Mfr)ROHM Semiconductor
Cấp (Grade)Automotive
Tiêu chuẩn (Qualification)AEC-Q101

Thông tin chi tiết

QS8M51HZG là MOSFET cho ứng dụng chuyển mạch. Đây là sản phẩm cấp ô tô độ tin cậy cao, đạt chuẩn AEC-Q101. Thông báo PCN sắp tới

Tính năng chính

  • Điện trở ON thấp
  • Vỏ gắn bề mặt nhỏ (TSMT8)
  • Mạ chân không chì; tuân thủ RoHS
  • Đạt chuẩn AEC-Q101

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
SH8J31GZETB

ROHM SemiconductorSH8J31 là MOSFET công suất trung bình loại phức hợp (kênh P kép) cho ứng dụng truyền động động cơ.

SOP8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SH8J62TB1

ROHM SemiconductorMOSFET loại phức hợp (P+P) được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng.

SOP8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SH8J65TB1

ROHM SemiconductorMOSFET loại phức hợp (P+P) được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng.

SOP8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SH8J66TB1

ROHM SemiconductorMOSFET loại phức hợp (P+P) được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng.

SOP8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SH8JB5TB1

ROHM SemiconductorSH8JB5 là MOSFET điện trở ON thấp phù hợp cho ứng dụng chuyển mạch.

SOP8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SH8JC5TB1

ROHM SemiconductorSH8JC5 là MOSFET điện trở ON thấp phù hợp cho ứng dụng chuyển mạch.

SOP8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SH8JE5TB1

ROHM SemiconductorSH8JE5 là MOSFET điện trở ON thấp, lý tưởng cho ứng dụng chuyển mạch. Sản phẩm gồm hai MOSFET kênh P -100V trong vỏ gắn bề mặt nhỏ (SOP8)

SOP8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SH8K11TB1

ROHM SemiconductorMOSFET loại phức hợp (N+N) được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng.

SOP8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá