Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

LMR342FV-GE2

Dòng LMR™, op-amp CMOS ground sense dòng tiêu thụ thấp

LMR342FV là op-amp ngõ vào ground sense, ngõ ra full swing. IC này có đặc điểm điện áp nguồn hoạt động thấp, dòng tiêu thụ thấp và dòng phân cực ngõ vào thấp.

LMR342FV-GE2, SSOP-B8

Thông số

Mã nhà sản xuất
LMR342FV-GE2
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
SSOP-B8
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
Mã gốc (Base Part No.)
LMR342FV
Kiểu đóng gói (Packing)
Cuộn băng (Taping)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
2500
Cấp nhạy ẩm (MSL)
1
Kênh
2
Vỏ
SSOP-B8
Mã tham chiếu
TSSOP-8
Kích thước vỏ [mm]
3.0x6.4 (t=1.35)
Nguồn cấp (Min.) [V] (+5V=5, ±5V=10)
2.7
Nhiệt độ hoạt động (Min.) [°C]
-40
Nhiệt độ hoạt động (Max.) [°C]
85
Nguồn cấp (Max.) [V] (+5V=5, ±5V=10)
5.5
Dòng mạch (Typ.) [mA/ch]
0.107
Dải điện áp đầu vào [V]
VSS đến VDD-1.0
Dải điện áp đầu ra [V]
VSS+0.01 đến VDD-0.01
Điện áp lệch đầu vào (Max.) [mV]
4
Điện áp nhiễu tương đương đầu vào (Typ.) [nV/√Hz]
40
GBW (Typ.) [MHz]
2
Dòng điện đầu ra (Typ.) [mA]
113
Tốc độ biến thiên (slew rate) (Typ.) [V/µs]
1
Độ lợi điện áp (Typ.) [dB]
113
Dòng phân cực đầu vào (Typ.) [nA]
0.001
CMRR (Typ.) [dB]
86
PSRR (Typ.) [dB]
82
Tải datasheet (PDF)

Thông tin chi tiết

LMR342FV là op-amp ngõ vào ground sense, ngõ ra full swing. IC này có đặc điểm điện áp nguồn hoạt động thấp, dòng tiêu thụ thấp và dòng phân cực ngõ vào thấp. Phù hợp cho bộ khuếch đại cảm biến, thiết bị điện tử chạy bằng pin, giám sát pin và tiền khuếch đại âm thanh cho giọng nói.

Tính năng chính

  • Điện áp nguồn hoạt động thấp
  • Ngõ vào ground sense, ngõ ra full swing
  • Độ lợi điện áp tín hiệu lớn cao
  • Dòng phân cực ngõ vào thấp
  • Dòng cấp nguồn thấp
  • Điện áp offset ngõ vào thấp

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
LMR342FVJ-GE2

ROHM SemiconductorLMR342FVJ là op-amp CMOS hai kênh. Phù hợp cho ứng dụng thiết bị dùng pin nhờ hoạt động với điện áp nguồn thấp và dòng tiêu thụ thấp. Dòng phân cực ngõ vào thấp 1pA(Typ) nhờ tầng ngõ vào MOS-FET.

TSSOP-B8J

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

LMR342FVM-GTR

ROHM SemiconductorLMR342FVM là op-amp ngõ vào ground sense, ngõ ra full swing. IC này có đặc điểm điện áp nguồn hoạt động thấp, dòng tiêu thụ thấp và dòng phân cực ngõ vào thấp.

MSOP8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

LMR342FVT-GE2

ROHM SemiconductorLMR342FVT là op-amp ngõ vào ground sense, ngõ ra full swing. IC này có đặc điểm điện áp nguồn hoạt động thấp, dòng tiêu thụ thấp và dòng phân cực ngõ vào thấp.

TSSOP-B8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

LMR344F-GE2

ROHM SemiconductorLMR344F là op-amp ngõ vào ground sense, ngõ ra full swing. IC này có đặc điểm điện áp nguồn hoạt động thấp, dòng tiêu thụ thấp và dòng phân cực ngõ vào thấp.

SOP14

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

LMR344FJ-GE2

ROHM SemiconductorLMR344FJ là các op-amp ngõ vào ground sense, ngõ ra full swing. LMR341G, LMR342xxx và LMR344xxx có đặc điểm điện áp nguồn hoạt động thấp, dòng tiêu thụ thấp và dòng phân cực ngõ vào thấp.

SOP-J14

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

LMR344FVJ-E2

ROHM SemiconductorLMR344FVJ là các op-amp ngõ vào ground sense, ngõ ra full swing. LMR341G, LMR342xxx và LMR344xxx có đặc điểm điện áp nguồn hoạt động thấp, dòng tiêu thụ thấp và dòng phân cực ngõ vào thấp.

TSSOP-B14J

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

LMR358F-GE2

ROHM SemiconductorLMR321, LMR358 và LMR324 lần lượt là op-amp đơn, đôi và bốn điện áp thấp có ngõ ra full swing. LMR321, LMR358 và LMR324 là giải pháp hiệu quả nhất cho các ứng dụng cần dòng tiêu thụ thấp và hoạt động ở điện áp thấp.

SOP8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

LMR358FJ-GE2

ROHM SemiconductorLMR321, LMR358 và LMR324 lần lượt là op-amp đơn, đôi và bốn điện áp thấp có ngõ ra full swing. LMR321, LMR358 và LMR324 là giải pháp hiệu quả nhất cho các ứng dụng cần dòng tiêu thụ thấp và hoạt động ở điện áp thấp.

SOP-J8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá