Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

LMR1004FJ-LBE2

Dòng LMR™, op-amp CMOS rail-to-rail ngõ vào/ngõ ra zero drift, điện áp offset thấp

Sản phẩm này là sản phẩm xếp hạng cho thị trường thiết bị công nghiệp. Đây là sản phẩm tốt nhất để dùng trong các ứng dụng này.

LMR1004FJ-LBE2, SOP-J8

Thông số

Mã nhà sản xuất
LMR1004FJ-LBE2
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
SOP-J8
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
Mã gốc (Base Part No.)
LMR1004FJ-LB
Kiểu đóng gói (Packing)
Cuộn băng (Taping)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
2500
Cấp nhạy ẩm (MSL)
1
Kênh
1
Vỏ
SOP-J8
Mã tham chiếu
SOIC-8
Kích thước vỏ [mm]
4.9x6.0 (t=1.65)
Nguồn cấp (Min.) [V] (+5V=5, ±5V=10)
2.7
Nhiệt độ hoạt động (Min.) [°C]
-40
Nhiệt độ hoạt động (Max.) [°C]
125
Nguồn cấp (Max.) [V] (+5V=5, ±5V=10)
5.5
Dòng mạch (Typ.) [mA/ch]
0.85
Dải điện áp đầu vào [V]
VSS đến VDD
Dải điện áp đầu ra [V]
VSS+0.010 đến VDD-0.020
Điện áp lệch đầu vào (Max.) [mV]
0.009
Điện áp nhiễu tương đương đầu vào (Typ.) [nV/√Hz]
70
GBW (Typ.) [MHz]
1.5
Dòng điện đầu ra (Typ.) [mA]
35
Tốc độ biến thiên (slew rate) (Typ.) [V/µs]
1.3
Độ lợi điện áp (Typ.) [dB]
145
Dòng phân cực đầu vào (Typ.) [nA]
0.15
CMRR (Typ.) [dB]
130
PSRR (Typ.) [dB]
115
Tải datasheet (PDF)

Thông tin chi tiết

Sản phẩm này là sản phẩm xếp hạng cho thị trường thiết bị công nghiệp. Đây là sản phẩm tốt nhất để dùng trong các ứng dụng này. LMR1004FJ-LB là op-amp CMOS đơn có đặc điểm zero drift, điện áp offset thấp và rail-to-rail ngõ vào/ngõ ra, phù hợp cho bộ khuếch đại cảm biến và thiết bị hoạt động bằng pin.

Tính năng chính

  • Độ trôi điện áp offset ngõ vào theo nhiệt độ thấp
  • Điện áp offset ngõ vào thấp
  • Rail-to-rail ngõ vào/ngõ ra

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
LMR1004G-LBTR

ROHM SemiconductorSản phẩm này là sản phẩm xếp hạng cho thị trường thiết bị công nghiệp. Đây là sản phẩm tốt nhất để dùng trong các ứng dụng này.

SSOP5

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

LMR1701G-LBTR

ROHM SemiconductorSản phẩm này được đảm bảo hỗ trợ dài hạn trong thị trường công nghiệp và phù hợp cho các ứng dụng công nghiệp.

SSOP6

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

LMR1701YG-CTR

ROHM SemiconductorLMR1701YG-C là op-amp CMOS ngõ ra full swing có đặc điểm băng thông rộng, slew rate cao, điện áp nguồn hoạt động thấp và dòng phân cực ngõ vào thấp.

SSOP6

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

LMR1801G-LBTR

ROHM SemiconductorLMR1801G-LB là op-amp CMOS đơn có đặc điểm nhiễu thấp, điện áp offset ngõ vào thấp và dòng phân cực ngõ vào thấp. Phù hợp cho thiết bị hoạt động bằng pin và dùng bộ khuếch đại cảm biến.

SSOP5

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

LMR1801HFV-LBTR

ROHM SemiconductorLMR1801HFV-LB là op-amp CMOS đơn có đặc điểm nhiễu thấp, điện áp offset ngõ vào thấp và dòng phân cực ngõ vào thấp. Phù hợp cho thiết bị hoạt động bằng pin và dùng bộ khuếch đại cảm biến.

HVSOF5

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

LMR1801YG-CTR

ROHM SemiconductorLMR1801YG-C là op-amp CMOS đơn có đặc điểm nhiễu thấp, điện áp offset ngõ vào thấp và dòng phân cực ngõ vào thấp.

SSOP5

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

LMR1802G-LBTR

ROHM SemiconductorLMR1802G-LB là op-amp CMOS đơn chính xác có đặc điểm nhiễu thấp, điện áp offset ngõ vào thấp và dòng phân cực ngõ vào thấp, phù hợp cho thiết bị hoạt động bằng pin và dùng cảm biến với bộ khuếch đại.

SSOP5

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

LMR1802YG-CTR

ROHM SemiconductorLMR1802YG-C là op-amp CMOS đơn độ chính xác cao có đặc điểm nhiễu thấp, điện áp offset ngõ vào thấp và dòng phân cực ngõ vào thấp, phù hợp cho các yêu cầu ô tô như bộ khuếch đại cảm biến, bộ điều khiển động cơ (ECU),…

SSOP5

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá