Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

LM2904FJ-E2

Op-amp ground sense

LM2904FJ là op-amp ground sense kép. Có đặc điểm dòng tiêu thụ thấp và dải điện áp hoạt động rộng từ 3V đến 32V (nguồn đơn).

LM2904FJ-E2, SOP-J8

Thông số

Mã nhà sản xuất
LM2904FJ-E2
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
SOP-J8
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
Mã gốc (Base Part No.)
LM2904FJ
Kiểu đóng gói (Packing)
Cuộn băng (Taping)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
2500
Cấp nhạy ẩm (MSL)
1
Kênh
2
Vỏ
SOP-J8
Mã tham chiếu
SOIC-8
Kích thước vỏ [mm]
4.9x6.0 (t=1.65)
Nguồn cấp (Min.) [V] (+5V=5, ±5V=10)
3
Nhiệt độ hoạt động (Min.) [°C]
-40
Nhiệt độ hoạt động (Max.) [°C]
125
Nguồn cấp (Max.) [V] (+5V=5, ±5V=10)
32
Dòng mạch (Typ.) [mA/ch]
0.3
Dải điện áp đầu vào [V]
0 đến VCC-1.5
Dải điện áp đầu ra [V]
VSS+0.005 đến VDD-1.5
Điện áp lệch đầu vào (Max.) [mV]
4.5
Điện áp nhiễu tương đương đầu vào (Typ.) [nV/√Hz]
40
GBW (Typ.) [MHz]
0.8
Dòng điện đầu ra (Typ.) [mA]
30
Tốc độ biến thiên (slew rate) (Typ.) [V/µs]
0.3
Độ lợi điện áp (Typ.) [dB]
100
Dòng phân cực đầu vào (Typ.) [nA]
20
CMRR (Typ.) [dB]
80
PSRR (Typ.) [dB]
100
Tải datasheet (PDF)

Thông tin chi tiết

LM2904FJ là op-amp ground sense kép. Có đặc điểm dòng tiêu thụ thấp và dải điện áp hoạt động rộng từ 3V đến 32V (nguồn đơn).

Tính năng chính

  • Hoạt động với nguồn đơn
  • Dải điện áp nguồn hoạt động rộng
  • Ground sense ngõ vào/ngõ ra
  • Độ lợi điện áp tín hiệu lớn cao

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
LM2904FVM-GTR

ROHM SemiconductorLM2904FVM là op-amp ground sense kép. Có đặc điểm dòng tiêu thụ thấp và dải điện áp hoạt động rộng từ 3V đến 32V (nguồn đơn).

MSOP8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

LM2904FVT-E2

ROHM SemiconductorLM2904FVT là op-amp ground sense kép. Có đặc điểm dòng tiêu thụ thấp và dải điện áp hoạt động rộng từ 3V đến 32V (nguồn đơn).

TSSOP-B8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

LM3472EZFJ-CE2

ROHM SemiconductorLM3472EZxxx-C và LM3474EZFV-C tích hợp hai hoặc bốn op-amp độc lập có độ lợi điện áp cao trên một chip. Dải điện áp hoạt động rộng từ 3V đến 36V.

SOP-J8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

LM3472EZFVM-CTR

ROHM SemiconductorLM3472EZxxx-C và LM3474EZFV-C tích hợp hai hoặc bốn op-amp độc lập có độ lợi điện áp cao trên một chip. Dải điện áp hoạt động rộng từ 3V đến 36V.

MSOP8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

LM3472EZFVT-CE2

ROHM SemiconductorLM3472EZxxx-C và LM3474EZFV-C tích hợp hai hoặc bốn op-amp độc lập có độ lợi điện áp cao trên một chip. Dải điện áp hoạt động rộng từ 3V đến 36V.

TSSOP-B8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

LM3472FJ-E2

ROHM SemiconductorLM3472xxx và LM3474xx tích hợp hai hoặc bốn op-amp độc lập có độ lợi điện áp cao trên một chip. Có đặc điểm tích số độ lợi-băng thông cao, slew rate cao và dải điện áp hoạt động rộng từ 3 V đến 36 V.

SOP-J8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

LM3472FVM-TR

ROHM SemiconductorLM3472xxx và LM3474xx tích hợp hai hoặc bốn op-amp độc lập có độ lợi điện áp cao trên một chip. Có đặc điểm tích số độ lợi-băng thông cao, slew rate cao và dải điện áp hoạt động rộng từ 3 V đến 36 V.

MSOP8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

LM3472FVT-E2

ROHM SemiconductorLM3472xxx và LM3474xx tích hợp hai hoặc bốn op-amp độc lập có độ lợi điện áp cao trên một chip. Có đặc điểm tích số độ lợi-băng thông cao, slew rate cao và dải điện áp hoạt động rộng từ 3 V đến 36 V.

TSSOP-B8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá