2.123 mã linh kiện
| Ảnh | Mã linh kiện | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua | Cách đóng gói | Loại FET | Công nghệ | Điện áp D-S (Vdss) | Dòng máng liên tục (Id) | Rds On tối đa | Đặc điểm FET | Công suất tiêu tán tối đa | Nhiệt độ làm việc | Cấp | Tiêu chuẩn | Kiểu lắp | Vỏ | Vỏ theo hãng |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SCT4036KW7TL ROHM SemiconductorSCT4036KW7 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 40A,Kiểu lắp: Surface Mount, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 40A | — | — | — | — | — | — | Surface Mount | — | — | ||
| SCT4036KWATL ROHM SemiconductorSCT4036KWA là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 40A,Kiểu lắp: Surface Mount, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 40A | — | — | — | — | — | — | Surface Mount | — | — | ||
| SCT4045DEC11 ROHM SemiconductorSCT4045DE là MOSFET SiC góp phần thu nhỏ kích thước và giảm tiêu thụ điện năng của ứng dụng. Đây là sản phẩm thế hệ thứ 4 đạt điện trở ON thấp hàng đầu ngành mà không hy sinh thời gian chịu ngắn mạch. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 750 V, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 750 V | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| SCT4045DEHRC11 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT4045DEHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 750 V,Dòng máng liên tục (Id): 34A,Cấp: Automotive, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 750 V | 34A | — | — | — | — | Automotive | AEC-Q101 | — | — | — | ||
| SCT4045DLLTRDC ROHM SemiconductorSản phẩm này là MOSFET SiC kiểu đóng gói TOLL (TO-LeadLess). Kiểu đóng gói TOLL có khả năng tản nhiệt tuyệt vời và dòng điện lớn trong kích thước nhỏ gọn, giảm diện tích chiếm dụng khoảng 26% so với kiểu đóng gói TO-263… Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 750 V,Dòng máng liên tục (Id): 37A,Kiểu lắp: Surface Mount, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 750 V | 37A | — | — | — | — | — | — | Surface Mount | — | — | ||
| SCT4045DRC15 ROHM SemiconductorSCT4045DR là MOSFET SiC góp phần thu nhỏ kích thước và giảm tiêu thụ điện năng của ứng dụng. Đây là sản phẩm thế hệ thứ 4 đạt điện trở ON thấp hàng đầu ngành mà không hy sinh thời gian chịu ngắn mạch. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 750 V, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 750 V | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| SCT4045DRHRC15 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT4045DRHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 750 V,Dòng máng liên tục (Id): 34A,Cấp: Automotive, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 750 V | 34A | — | — | — | — | Automotive | AEC-Q101 | — | — | — | ||
| SCT4045DTWHRTCR ROHM SemiconductorSản phẩm này là MOSFET SiC kiểu đóng gói TSC3PAK. Với cấu trúc tản nhiệt phía trên có bề mặt tản nhiệt nằm ở mặt trên của vỏ, TSC3PAK đạt hiệu năng tản nhiệt tương đương các kiểu đóng gói xuyên lỗ thông thường trong khi… Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 750 V,Dòng máng liên tục (Id): 33A,Kiểu lắp: Surface Mount, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 750 V | 33A | — | — | — | — | — | — | Surface Mount | — | — | ||
| SCT4045DTWTCR ROHM SemiconductorSản phẩm này là MOSFET SiC kiểu đóng gói TSC3PAK. Với cấu trúc tản nhiệt phía trên có bề mặt tản nhiệt nằm ở mặt trên của vỏ, TSC3PAK đạt hiệu năng tản nhiệt tương đương các kiểu đóng gói xuyên lỗ thông thường trong khi… Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 750 V,Dòng máng liên tục (Id): 33A,Kiểu lắp: Surface Mount, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 750 V | 33A | — | — | — | — | — | — | Surface Mount | — | — | ||
| SCT4045DW7HRTL ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT4045DW7HR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 750 V,Dòng máng liên tục (Id): 31A,Cấp: Automotive, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 750 V | 31A | — | — | — | — | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | — | — | ||
| SCT4045DW7TL ROHM SemiconductorSCT4045DW7 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 750 V,Dòng máng liên tục (Id): 31A,Kiểu lắp: Surface Mount, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 750 V | 31A | — | — | — | — | — | — | Surface Mount | — | — | ||
| SCT4045DWAHRTL ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT4045DWAHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 750 V,Dòng máng liên tục (Id): 31A,Cấp: Automotive, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 750 V | 31A | — | — | — | — | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | — | — | ||
| SCT4045DWATL ROHM SemiconductorSCT4045DWA là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 750 V,Dòng máng liên tục (Id): 31A,Kiểu lắp: Surface Mount, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 750 V | 31A | — | — | — | — | — | — | Surface Mount | — | — | ||
| SCT4050KEC11 ROHM SemiconductorSCT4050KE là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 32A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 32A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| SCT4050KEHRC11 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT4050KEHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 32A,Cấp: Automotive, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 32A | — | — | — | — | Automotive | AEC-Q101 | — | — | — | ||
| SCT4050KRC15 ROHM SemiconductorSCT4050KR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 32A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 32A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| SCT4050KRHRC15 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT4050KRHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 32A,Cấp: Automotive, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 32A | — | — | — | — | Automotive | AEC-Q101 | — | — | — | ||
| SCT4050KTWHRTCR ROHM SemiconductorSản phẩm này là MOSFET SiC kiểu đóng gói TSC3PAK. Với cấu trúc tản nhiệt phía trên có bề mặt tản nhiệt nằm ở mặt trên của vỏ, TSC3PAK đạt hiệu năng tản nhiệt tương đương các kiểu đóng gói xuyên lỗ thông thường trong khi… Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 31A,Kiểu lắp: Surface Mount, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 31A | — | — | — | — | — | — | Surface Mount | — | — | ||
| SCT4050KTWTCR ROHM SemiconductorSản phẩm này là MOSFET SiC kiểu đóng gói TSC3PAK. Với cấu trúc tản nhiệt phía trên có bề mặt tản nhiệt nằm ở mặt trên của vỏ, TSC3PAK đạt hiệu năng tản nhiệt tương đương các kiểu đóng gói xuyên lỗ thông thường trong khi… Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 31A,Kiểu lắp: Surface Mount, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 31A | — | — | — | — | — | — | Surface Mount | — | — | ||
| SCT4050KWATL ROHM SemiconductorSCT4050KWA là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 29A,Kiểu lắp: Surface Mount, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 29A | — | — | — | — | — | — | Surface Mount | — | — | ||
| SCT4062KEC11 ROHM SemiconductorSCT4062KE là MOSFET SiC góp phần thu nhỏ kích thước và giảm tiêu thụ điện năng của ứng dụng. Đây là sản phẩm thế hệ thứ 4 đạt điện trở ON thấp hàng đầu ngành mà không hy sinh thời gian chịu ngắn mạch. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| SCT4062KEHRC11 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT4062KEHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 26A,Cấp: Automotive, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 26A | — | — | — | — | Automotive | AEC-Q101 | — | — | — | ||
| SCT4062KRC15 ROHM SemiconductorSCT4062KR là MOSFET SiC góp phần thu nhỏ kích thước và giảm tiêu thụ điện năng của ứng dụng. Đây là sản phẩm thế hệ thứ 4 đạt điện trở ON thấp hàng đầu ngành mà không hy sinh thời gian chịu ngắn mạch. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| SCT4062KRHRC15 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT4062KRHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 26A,Cấp: Automotive, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 26A | — | — | — | — | Automotive | AEC-Q101 | — | — | — | ||
| SCT4062KTWHRTCR ROHM SemiconductorSản phẩm này là MOSFET SiC kiểu đóng gói TSC3PAK. Với cấu trúc tản nhiệt phía trên có bề mặt tản nhiệt nằm ở mặt trên của vỏ, TSC3PAK đạt hiệu năng tản nhiệt tương đương các kiểu đóng gói xuyên lỗ thông thường trong khi… Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 25A,Kiểu lắp: Surface Mount, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 25A | — | — | — | — | — | — | Surface Mount | — | — |
