Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

BU7264SFV-E2

Op-amp full swing ngõ vào-ngõ ra tốc độ cao

Op-amp CMOS điện áp thấp tích hợp một, hai hoặc bốn op-amp full swing ngõ ra độc lập và tụ bù pha trên một chip. Đặc biệt, dòng này hoạt động được với điện áp thấp, dòng tiêu thụ thấp và dòng phân cực ngõ vào thấp.

BU7264SFV-E2, SSOP-B14

Thông số

Mã nhà sản xuất
BU7264SFV-E2
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
SSOP-B14
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Đang sản xuất (Active)
Mã gốc (Base Part No.)
BU7264SFV
Kiểu đóng gói (Packing)
Cuộn băng (Taping)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
2500
Cấp nhạy ẩm (MSL)
1
Kênh
4
Vỏ
SSOP-B14
Mã tham chiếu
TSSOP-14
Kích thước vỏ [mm]
5.0x6.4 (t=1.35)
Nguồn cấp (Min.) [V] (+5V=5, ±5V=10)
1.8
Nhiệt độ hoạt động (Min.) [°C]
-40
Nhiệt độ hoạt động (Max.) [°C]
105
Nguồn cấp (Max.) [V] (+5V=5, ±5V=10)
5.5
Dòng mạch (Typ.) [mA/ch]
0.275
Dải điện áp đầu vào [V]
VSS đến VDD
Dải điện áp đầu ra [V]
VSS+0.1 đến VDD-0.1
Điện áp lệch đầu vào (Max.) [mV]
9
GBW (Typ.) [MHz]
2
Dòng điện đầu ra (Typ.) [mA]
10
Tốc độ biến thiên (slew rate) (Typ.) [V/µs]
1.1
Độ lợi điện áp (Typ.) [dB]
95
Dòng phân cực đầu vào (Typ.) [nA]
0.001
CMRR (Typ.) [dB]
60
PSRR (Typ.) [dB]
80
Tải datasheet (PDF)

Thông tin chi tiết

Op-amp CMOS điện áp thấp tích hợp một, hai hoặc bốn op-amp full swing ngõ ra độc lập và tụ bù pha trên một chip. Đặc biệt, dòng này hoạt động được với điện áp thấp, dòng tiêu thụ thấp và dòng phân cực ngõ vào thấp.

Tính năng chính

  • Hoạt động với điện áp thấp: +1.8[V] ~ +5.5[V] (nguồn đơn)
  • Hoạt động full swing ngõ vào-ngõ ra
  • Slew rate cao
  • Bù pha nội
  • Dải nhiệt độ rộng
  • -40[℃] ~ +105[℃]
  • Độ lợi điện áp tín hiệu lớn cao
  • Dòng phân cực ngõ vào thấp 1[pA] (Typ.)
  • Bảo vệ ESD nội
  • Mô hình cơ thể người (HBM) ±4000[V] (Typ.)

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
BU7264YFV-CE2

ROHM SemiconductorBU7264YFV-C là op-amp CMOS full swing ngõ vào/ngõ ra hoạt động điện áp thấp. Thiết bị có dải nhiệt độ hoạt động rộng và hoạt động ở điện áp thấp.

SSOP-B14

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BU7265G-TR

ROHM SemiconductorHọ op-amp CMOS công suất cực thấp BU7265/BU7205/BU7271/BU7245 (full swing ngõ vào-ngõ ra) và BU7411 / BU7421 / BU7475 (ground sense) là các IC nguyên khối.

SSOP5

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BU7265SG-TR

ROHM SemiconductorHọ op-amp CMOS công suất cực thấp BU7265/BU7205/BU7271/BU7245 (full swing ngõ vào-ngõ ra) và BU7411 / BU7421 / BU7475 (ground sense) là các IC nguyên khối.

SSOP5

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BU7266F-E2

ROHM SemiconductorBU7266F là các op-amp CMOS full swing ngõ vào-ngõ ra có dòng tiêu thụ cực thấp.

SOP8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BU7266FV-E2

ROHM SemiconductorBU7266FV là các op-amp CMOS full swing ngõ vào-ngõ ra có dòng tiêu thụ cực thấp.

SSOP-B8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BU7266FVM-TR

ROHM SemiconductorBU7266FVM là các op-amp CMOS full swing ngõ vào-ngõ ra có dòng tiêu thụ cực thấp.

MSOP8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BU7266SF-E2

ROHM SemiconductorBU7266SF có dải nhiệt độ hoạt động mở rộng. Có điện áp nguồn hoạt động thấp và dòng phân cực ngõ vào thấp. Phù hợp cho thiết bị di động và bộ khuếch đại cảm biến.

SOP8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BU7266SFV-E2

ROHM SemiconductorBU7266SFV có dải nhiệt độ hoạt động mở rộng. Có điện áp nguồn hoạt động thấp và dòng phân cực ngõ vào thấp. Phù hợp cho thiết bị di động và bộ khuếch đại cảm biến.

SSOP-B8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá