BD3533F-E2
Ổn áp kết cuối (termination) 3A đầu ra điều chỉnh được cho DDR-SDRAM
BD3533F là ổn áp kết cuối (termination) tuân thủ yêu cầu JEDEC cho DDR-SDRAM. Nguồn tuyến tính này dùng N-channel MOSFET tích hợp và op-amp tốc độ cao được thiết kế riêng để cho đáp ứng quá độ xuất sắc.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- BD3533F-E2
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- SOP8
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Đang sản xuất (Active)
- Mã gốc (Base Part No.)
- BD3533F
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 2500
- Cấp nhạy ẩm (MSL)
- 1
- Số kênh [ch]
- 1
- Điện áp chịu đựng (Max.) [V]
- 7
- Vin (Min.) [V]
- 2.7
- Vin (Max.) [V]
- 5.5
- Iout (Max.) [A]
- 3
- Loại Vout
- Điều chỉnh được
- Dòng mạch [mA]
- 2
- Ngắt nhiệt
- Có
- Khóa thấp áp (UVLO)
- Có
- Vỏ
- SOP8
- Mã tham chiếu
- SOIC-8
- Nhiệt độ hoạt động (Min.) [°C]
- -20
- Nhiệt độ hoạt động (Max.) [°C]
- 100
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | Ổn áp tuyến tính LDO |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Dòng ra (Current - Output) | 3A |
Thông tin chi tiết
BD3533F là ổn áp kết cuối (termination) tuân thủ yêu cầu JEDEC cho DDR-SDRAM. Nguồn tuyến tính này dùng N-channel MOSFET tích hợp và op-amp tốc độ cao được thiết kế riêng để cho đáp ứng quá độ xuất sắc. Có khả năng sink/source dòng tới 1A và yêu cầu nguồn phân cực từ 3.3V đến 5.0V để điều khiển N-channel MOSFET. Nhờ có ngõ vào điện áp tham chiếu độc lập (VDDQ) và chân hồi tiếp (VTTS), ổn áp kết cuối này cho độ chính xác điện áp đầu ra và khả năng ổn định theo tải xuất sắc theo yêu cầu của tiêu chuẩn JEDEC. Ngoài ra, BD3533 có đầu ra nguồn tham chiếu (VREF) cho DDR-SDRAM hoặc cho bộ điều khiển bộ nhớ. Khác với đầu ra VTT chuyển sang trạng thái "Hi-Z", đầu ra VREF được giữ nguyên khi ngõ vào EN chuyển sang "Low", nhờ đó IC này phù hợp cho DDR-SDRAM ở trạng thái "Self Refresh".
Tính năng chính
- · Tích hợp nguồn push-pull cho kết cuối (VTT)
- · Tích hợp mạch điện áp tham chiếu (VREF)
- · Tích hợp chân cho phép (Enable)
- · Tích hợp khóa điện áp thấp (UVLO)
- · Tích hợp bảo vệ ngắt do quá nhiệt (TSD)
- · Tương thích kênh đôi (DDR-2)
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| BD35390FJ-E2 ROHM SemiconductorBD35390FJ là ổn áp kết cuối (termination) tuân thủ yêu cầu JEDEC cho DDR1/2/3-SDRAM. Nguồn tuyến tính này dùng N-channel MOSFET tích hợp và op-amp tốc độ cao được thiết kế riêng để cho đáp ứng quá độ xuất sắc. SOP-J8 Datasheet (PDF) | SOP-J8 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD35395FJ-ME2 ROHM SemiconductorBD35395FJ-M là ổn áp kết cuối (termination) tương thích JEDEC DDR1/2/3/3L-SDRAM, hoạt động như nguồn tuyến tính tích hợp N-channel MOSFET và có khả năng sink/source dòng tới 1A. SOP-J8 Datasheet (PDF) | SOP-J8 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD3539FVM-TR ROHM SemiconductorBD3539FVM là ổn áp kết cuối (termination) tuân thủ yêu cầu JEDEC cho DDR1-SDRAM, DDR2-SDRAM và DDR3-SDRAM. MSOP8 Datasheet (PDF) | MSOP8 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD3539NUX-TR ROHM SemiconductorBD3539NUX là ổn áp kết cuối (termination) tuân thủ yêu cầu JEDEC cho DDR1-SDRAM, DDR2-SDRAM và DDR3-SDRAM. VSON008X2030 Datasheet (PDF) | VSON008X2030 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD3540NUV-E2 ROHM SemiconductorIC REG LDO ADJ 0.5A VS0N010 Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước |
| ||
| BD3541NUV-E2 ROHM SemiconductorBD354XNUV là ổn áp tuyến tính dropout cực thấp, hoạt động từ nguồn đầu vào rất thấp và cho hiệu năng lý tưởng trong các ứng dụng từ điện áp đầu vào thấp đến điện áp đầu ra thấp. VSON010V3030 Datasheet (PDF) | VSON010V3030 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD3550HFN-TR ROHM SemiconductorIC REG LDO ADJ 0.5A 8HSON Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước |
| ||
| BD3570FP-E2 ROHM SemiconductorIC REG LDO 3.3V 0.5A TO252-3 | — | Đặt hàng trước |
|
