Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

BD3541NUV-E2

Ổn áp LDO 1A, đầu ra điều chỉnh được, độ chính xác cao

BD354XNUV là ổn áp tuyến tính dropout cực thấp, hoạt động từ nguồn đầu vào rất thấp và cho hiệu năng lý tưởng trong các ứng dụng từ điện áp đầu vào thấp đến điện áp đầu ra thấp.

BD3541NUV-E2, VSON010V3030

Thông số

Mã nhà sản xuất
BD3541NUV-E2
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
VSON010V3030
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Đang sản xuất (Active)
Mã gốc (Base Part No.)
BD3541NUV
Kiểu đóng gói (Packing)
Cuộn băng (Taping)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
3000
Cấp nhạy ẩm (MSL)
1
Số kênh [ch]
1
Điện áp chịu đựng (Max.) [V]
6
Vin (Min.) [V]
3
Vin (Max.) [V]
5.5
Iout (Max.) [A]
1
Loại Vout
Điều chỉnh được
Độ chính xác Vout
±1.0% (Ta=25℃)
Dòng mạch [mA]
0.7
Điện áp rơi (dropout) (Typ.) [V]
0.2(Io=1A)
Điều chỉnh tải [mV]
0.5(Io=0 to 1A)
Tụ đầu ra [µF]
22
Chức năng tắt
Có
Ngắt nhiệt
Có
Bảo vệ quá dòng
Có
Bảo vệ quá áp
Không
Khóa thấp áp (UVLO)
Có
Chức năng xả
Có
Khởi động mềm
Điều chỉnh được
Vỏ
VSON010V3030
Mã tham chiếu
VSON010V3030-8
Nhiệt độ hoạt động (Min.) [°C]
-10
Nhiệt độ hoạt động (Max.) [°C]
100
Tải datasheet (PDF)

Thông số kỹ thuật

Danh mục (Category)Ổn áp tuyến tính LDO
Hãng (Mfr)ROHM Semiconductor
Dòng ra (Current - Output)1A

Thông tin chi tiết

BD354XNUV là ổn áp tuyến tính dropout cực thấp, hoạt động từ nguồn đầu vào rất thấp và cho hiệu năng lý tưởng trong các ứng dụng từ điện áp đầu vào thấp đến điện áp đầu ra thấp. Sản phẩm tích hợp transistor công suất N-MOSFET để giảm chênh lệch điện áp đầu vào - đầu ra xuống mức điện trở ON (RON MAX=200mΩ). Nhờ giảm điện áp dropout như vậy, ổn áp cho dòng đầu ra lớn (Iomax=1.0A) với tổn hao chuyển đổi thấp, do đó không cần đến bộ ổn áp xung và transistor công suất, cuộn cảm (choke) và diode chỉnh lưu đi kèm. Vì vậy, BD354XNUV được thiết kế để giảm đáng kể kích thước tổng thể và chi phí. Điện trở ngoài cho phép cấu hình điện áp đầu ra trong toàn dải từ 0.65 đến 2.7V, còn chức năng NRCS (khởi động mềm) cho phép điện áp đầu ra tăng có kiểm soát, có thể lập trình theo bất kỳ trình tự cấp nguồn nào cần thiết.

Tính năng chính

  • Mạch điện áp tham chiếu độ chính xác cao bên trong (0.65V±1%)
  • Tích hợp mạch khóa điện áp thấp VCC (UVLO)
  • Chức năng NRCS (khởi động mềm) giảm biên độ dòng khởi động (in-rush)
  • Mạch điều khiển Nch MOSFET bên trong có điện trở ON thấp (200mΩ typ.)
  • Tích hợp mạch giới hạn dòng
  • Tích hợp mạch ngắt do quá nhiệt (TSD)
  • Đầu ra điều chỉnh được (0.65 đến 2.7V)
  • Tích hợp trong vỏ VQFN010V3030 công suất cao: 3.0x3.0x0.9 (mm)
  • Chức năng tracking

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
BD3550HFN-TR

ROHM SemiconductorIC REG LDO ADJ 0.5A 8HSON

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trước
1+
36.835 ₫

BD3570FP-E2

ROHM SemiconductorIC REG LDO 3.3V 0.5A TO252-3

Đặt hàng trước
1+
77.380 ₫

BD3571FP-E2

ROHM SemiconductorIC REG LDO 5V 0.5A TO252

Đặt hàng trước
1+
92.485 ₫

BD3571HFP-TR

ROHM SemiconductorIC REG LDO 5V 0.5A HRP5

Đặt hàng trước
1+
79.500 ₫

BD3572FP-E2

ROHM SemiconductorIC REG LDO ADJ 0.5A TO252-5

Đặt hàng trước
1+
77.380 ₫

BD3574FP-E2

ROHM SemiconductorIC REG LDO 5V 0.5A TO252

Đặt hàng trước
1+
92.485 ₫

BD3574HFP-TR

ROHM SemiconductorIC REG LDO 5V 0.5A HRP5

Đặt hàng trước
1+
93.280 ₫

BD3575HFP-TR

ROHM SemiconductorIC REG LDO ADJ 0.5A HRP5

Đặt hàng trước
1+
79.500 ₫