Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

BD2201GUL-E2

IC công tắc tải (Load Switch) cho thiết bị di động

BD2200GUL, BD2201GUL là công tắc tải (load switch) cho thiết bị di động. Đây là IC công tắc tải có N channel MOSFET tích hợp. IC công tắc này đạt điện trở ON 100mΩ (Typ.).

BD2201GUL-E2, VCSP50L1

Thông số

Mã nhà sản xuất
BD2201GUL-E2
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
VCSP50L1
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
Mã gốc (Base Part No.)
BD2201GUL
Kiểu đóng gói (Packing)
Cuộn băng (Taping)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
3000
Cấp nhạy ẩm (MSL)
1
Điện áp nguồn (Min.) [V]
2.7
Điện áp nguồn (Max.) [V]
5.5
Dòng tiêu thụ (Typ.) [µA]
20
Điện trở ON [mΩ]
100
Số kênh [ch]
1
Logic đầu vào điều khiển
Kích hoạt mức cao
Dòng điện đầu ra [A]
1
Thời gian bật đầu ra [ms]
1
Điện trở xả [Ω]
70
Nhiệt độ hoạt động (Min.) [°C]
-25
Nhiệt độ hoạt động (Max.) [°C]
85
Kích thước vỏ [mm]
1.5x1.0 (t=0.55)
Tải datasheet (PDF)

Thông tin chi tiết

BD2200GUL, BD2201GUL là công tắc tải (load switch) cho thiết bị di động. Đây là IC công tắc tải có N channel MOSFET tích hợp. IC công tắc này đạt điện trở ON 100mΩ (Typ.). IC có chức năng khởi động mềm và mạch xả tích hợp.

Tính năng chính

  • Một kênh N-channel MOSFET điện trở ON thấp (Typ.=100mΩ) tích hợp
  • Dòng tải đầu ra 500mA (BD2200GUL)
  • Dòng tải đầu ra 1000mA (BD2201GUL)
  • Chức năng khởi động mềm
  • Mạch xả đầu ra

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
BD2202G-TR

ROHM SemiconductorCông tắc phía cao cho khe thẻ nhớ là IC công tắc phía cao có chức năng bảo vệ quá dòng, dùng trong đường nguồn của khe thẻ nhớ. Phần công tắc tích hợp 1 mạch N-channel MOSFET điện trở ON thấp.

SSOP5

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD2204GUL-E2

ROHM SemiconductorBD2204GUL là IC công tắc phía cao có 2 mạch MOSFET tích hợp. Công tắc đạt điện trở ON 120mΩ(Typ.). Có thể chọn nguồn 3.3V và nguồn 1.8V cho thẻ nhớ thông qua chân SEL.

VCSP50L1

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD2206G-TR

ROHM SemiconductorCông tắc phía cao cho khe thẻ nhớ là IC công tắc phía cao có chức năng bảo vệ quá dòng, dùng trong đường nguồn của khe thẻ nhớ. Phần công tắc tích hợp 1 mạch N-channel MOSFET điện trở ON thấp.

SSOP5

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD2220G-TR

ROHM SemiconductorCông tắc phía cao cho khe thẻ nhớ là IC công tắc phía cao có chức năng bảo vệ quá dòng, dùng trong đường nguồn của khe thẻ nhớ. Phần công tắc tích hợp 1 mạch N-channel MOSFET điện trở ON thấp.

SSOP5

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD2221G-TR

ROHM SemiconductorCông tắc phía cao cho khe thẻ nhớ là IC công tắc phía cao có chức năng bảo vệ quá dòng, dùng trong đường nguồn của khe thẻ nhớ. Phần công tắc tích hợp 1 mạch N-channel MOSFET điện trở ON thấp.

SSOP5

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD2222G-GTR

ROHM SemiconductorBD2222G là công tắc nguồn phía cao dùng N-channel MOSFET có điện trở ON thấp, tối ưu cho các ứng dụng Universal Serial Bus (USB).

SSOP6

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD2224G-TR

ROHM SemiconductorCông tắc phía cao cho khe thẻ nhớ là IC công tắc phía cao có chức năng bảo vệ quá dòng, dùng trong đường nguồn của khe thẻ nhớ. Phần công tắc tích hợp 1 mạch N-channel MOSFET điện trở ON thấp.

SSOP5

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD2225G-TR

ROHM SemiconductorCông tắc phía cao cho khe thẻ nhớ là IC công tắc phía cao có chức năng bảo vệ quá dòng, dùng trong đường nguồn của khe thẻ nhớ. Phần công tắc tích hợp 1 mạch N-channel MOSFET điện trở ON thấp.

SSOP5

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá