Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

BD2204GUL-E2

IC công tắc chọn nguồn cho thẻ SD

BD2204GUL là IC công tắc phía cao có 2 mạch MOSFET tích hợp. Công tắc đạt điện trở ON 120mΩ(Typ.). Có thể chọn nguồn 3.3V và nguồn 1.8V cho thẻ nhớ thông qua chân SEL.

BD2204GUL-E2, VCSP50L1

Thông số

Mã nhà sản xuất
BD2204GUL-E2
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
VCSP50L1
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
Mã gốc (Base Part No.)
BD2204GUL
Kiểu đóng gói (Packing)
Cuộn băng (Taping)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
3000
Cấp nhạy ẩm (MSL)
1
Điện áp nguồn (Min.) [V]
2.4
Điện áp nguồn (Max.) [V]
4.5
Dòng tiêu thụ (Typ.) [µA]
25
Điện trở ON [mΩ]
120
Số kênh [ch]
2
Logic đầu vào điều khiển
Kích hoạt mức cao
Dòng điện đầu ra [A]
0.5
Thời gian bật đầu ra [ms]
0.06
Ngắt nhiệt
Phục hồi
Điện trở xả [Ω]
80
Nhiệt độ hoạt động (Min.) [°C]
-40
Nhiệt độ hoạt động (Max.) [°C]
85
Kích thước vỏ [mm]
1.5x1.0 (t=0.55)
Tải datasheet (PDF)

Thông tin chi tiết

BD2204GUL là IC công tắc phía cao có 2 mạch MOSFET tích hợp. Công tắc đạt điện trở ON 120mΩ(Typ.). Có thể chọn nguồn 3.3V và nguồn 1.8V cho thẻ nhớ thông qua chân SEL. Ngoài ra, IC tích hợp chức năng chống bật đồng thời khi chuyển nguồn, chức năng bảo vệ dòng ngược để ngăn dòng ngược từ chân đầu ra sang chân đầu vào khi tắt nguồn, và mạch xả để xả điện ở chân đầu ra.

Tính năng chính

  • Hai kênh N-channel MOSFET điện trở ON thấp (Typ. = 120mΩ) tích hợp
  • Có thể chọn đầu ra 3.3V và 1.8V.
  • Dòng tải liên tục 0.5A
  • Bảo vệ dòng ngược khi tắt công tắc nguồn
  • Ngăn VIN1 và VIN2 bật đồng thời.
  • Mạch xả đầu ra
  • Ngắt nhiệt
  • Logic điều khiển Active-High
  • Gói VCSP50L1

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
BD2206G-TR

ROHM SemiconductorCông tắc phía cao cho khe thẻ nhớ là IC công tắc phía cao có chức năng bảo vệ quá dòng, dùng trong đường nguồn của khe thẻ nhớ. Phần công tắc tích hợp 1 mạch N-channel MOSFET điện trở ON thấp.

SSOP5

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD2220G-TR

ROHM SemiconductorCông tắc phía cao cho khe thẻ nhớ là IC công tắc phía cao có chức năng bảo vệ quá dòng, dùng trong đường nguồn của khe thẻ nhớ. Phần công tắc tích hợp 1 mạch N-channel MOSFET điện trở ON thấp.

SSOP5

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD2221G-TR

ROHM SemiconductorCông tắc phía cao cho khe thẻ nhớ là IC công tắc phía cao có chức năng bảo vệ quá dòng, dùng trong đường nguồn của khe thẻ nhớ. Phần công tắc tích hợp 1 mạch N-channel MOSFET điện trở ON thấp.

SSOP5

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD2222G-GTR

ROHM SemiconductorBD2222G là công tắc nguồn phía cao dùng N-channel MOSFET có điện trở ON thấp, tối ưu cho các ứng dụng Universal Serial Bus (USB).

SSOP6

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD2224G-TR

ROHM SemiconductorCông tắc phía cao cho khe thẻ nhớ là IC công tắc phía cao có chức năng bảo vệ quá dòng, dùng trong đường nguồn của khe thẻ nhớ. Phần công tắc tích hợp 1 mạch N-channel MOSFET điện trở ON thấp.

SSOP5

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD2225G-TR

ROHM SemiconductorCông tắc phía cao cho khe thẻ nhớ là IC công tắc phía cao có chức năng bảo vệ quá dòng, dùng trong đường nguồn của khe thẻ nhớ. Phần công tắc tích hợp 1 mạch N-channel MOSFET điện trở ON thấp.

SSOP5

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD2226G-TR

ROHM SemiconductorCông tắc phía cao cho khe thẻ nhớ là IC công tắc phía cao có chức năng bảo vệ quá dòng, dùng trong đường nguồn của khe thẻ nhớ. Phần công tắc tích hợp 1 mạch N-channel MOSFET điện trở ON thấp.

SSOP5

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD2227G-TR

ROHM SemiconductorCông tắc phía cao cho khe thẻ nhớ là IC công tắc phía cao có chức năng bảo vệ quá dòng, dùng trong đường nguồn của khe thẻ nhớ. Phần công tắc tích hợp 1 mạch N-channel MOSFET điện trở ON thấp.

SSOP5

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá