2SD2654E3TL
NPN, SOT-416, 50V 150mA, Transistor đa dụng
Transistor đa dụng NPN 2SD2654E3 được thiết kế cho các bộ khuếch đại tần số thấp.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- 2SD2654E3TL
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- EMT3
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
- Mã gốc (Base Part No.)
- 2SD2654E3
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 3000
- Chương trình cung cấp dài hạn
- 9 năm
- Mã vỏ
- SOT-416
- Vỏ JEITA
- SC-75A
- Số chân
- 3
- Cực tính
- NPN
- Điện áp collector-emitter VCEO1 [V]
- 50
- Dòng collector Io(Ic) [A]
- 0.15
- HFE
- 820 to 2700
- HFE (Min.)
- 820
- HFE (Max.)
- 2700
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
- 150
- Kích thước vỏ [mm]
- 1.6x1.6 (t=0.9)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | Transistor lưỡng cực BJT |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Loại transistor (Transistor Type) | NPN |
| Dòng collector tối đa (Ic) (Current - Collector (Ic) (Max)) | 150mA |
| Điện áp C-E tối đa (Vceo) (Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)) | 50 V |
Thông tin chi tiết
Transistor đa dụng NPN 2SD2654E3 được thiết kế cho các bộ khuếch đại tần số thấp.
Tính năng chính
- Hệ số khuếch đại dòng DC cao.
- Điện áp emitter-base cao. (VCBO=12V)
- Điện áp bão hòa thấp.
- (VCE(sat) tối đa = 300mV tại IC/IB=50/5mA)
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| 2SD2654TL ROHM SemiconductorCó nhiều sản phẩm trong dòng, được phát triển với trọng tâm là tiết kiệm năng lượng và độ tin cậy cao, bao gồm từ các loại đóng gói siêu nhỏ đến đóng gói công suất để đáp ứng nhu cầu thị trường. EMT3 Datasheet (PDF) | EMT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 2SD2656T106 ROHM SemiconductorCó nhiều sản phẩm trong dòng, được phát triển với trọng tâm là tiết kiệm năng lượng và độ tin cậy cao, bao gồm từ các loại đóng gói siêu nhỏ đến đóng gói công suất để đáp ứng nhu cầu thị trường. UMT3 Datasheet (PDF) | UMT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 2SD2657KT146 ROHM SemiconductorCó nhiều sản phẩm trong dòng, được phát triển với trọng tâm là tiết kiệm năng lượng và độ tin cậy cao, bao gồm từ các loại đóng gói siêu nhỏ đến đóng gói công suất để đáp ứng nhu cầu thị trường. SMT3 Datasheet (PDF) | SMT3 | Đặt hàng trước |
| ||
| 2SD2696T2L ROHM SemiconductorCó nhiều sản phẩm trong dòng, được phát triển với trọng tâm là tiết kiệm năng lượng và độ tin cậy cao, bao gồm từ các loại đóng gói siêu nhỏ đến đóng gói công suất để đáp ứng nhu cầu thị trường. VMT3 Datasheet (PDF) | VMT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 2SD2704KT146 ROHM SemiconductorCó nhiều sản phẩm trong dòng, được phát triển với trọng tâm là tiết kiệm năng lượng và độ tin cậy cao, bao gồm từ các loại đóng gói siêu nhỏ đến đóng gói công suất để đáp ứng nhu cầu thị trường. SMT3 Datasheet (PDF) | SMT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 2SD2707T2L ROHM SemiconductorCó nhiều sản phẩm trong dòng, được phát triển với trọng tâm là tiết kiệm năng lượng và độ tin cậy cao, bao gồm từ các loại đóng gói siêu nhỏ đến đóng gói công suất để đáp ứng nhu cầu thị trường. VMT3 Datasheet (PDF) | VMT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BC847BT116 ROHM SemiconductorDISCRETE TRANSISTOR SMD SST3 SINGLE NPN 45V 100mA 200MHZ 350mW Datasheet (PDF) | — | 2.950 có sẵn |
| ||
| BC847BU3HZGT106 ROHM SemiconductorBC847BU3HZG là transistor dùng cho bộ khuếch đại tín hiệu nhỏ tần số âm thanh. Transistor bổ trợ (complementary) là BC857BU3 HZG UMT3 Datasheet (PDF) | UMT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
