2SD2707T2L
NPN, SOT-723, 50V 150mA, Transistor hFE cao & muting
Có nhiều sản phẩm trong dòng, được phát triển với trọng tâm là tiết kiệm năng lượng và độ tin cậy cao, bao gồm từ các loại đóng gói siêu nhỏ đến đóng gói công suất để đáp ứng nhu cầu thị trường.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- 2SD2707T2L
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- VMT3
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
- Mã gốc (Base Part No.)
- 2SD2707
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 8000
- Cấp nhạy ẩm (MSL)
- 1
- Mã vỏ
- SOT-723
- Vỏ JEITA
- SC-105AA
- Số chân
- 3
- Cực tính
- NPN
- Công suất tiêu tán collector PC [W]
- 0.15
- Điện áp collector-emitter VCEO1 [V]
- 50
- Dòng collector Io(Ic) [A]
- 0.15
- HFE
- 820 to 2700
- HFE (Min.)
- 820
- HFE (Max.)
- 2700
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
- 150
- Kích thước vỏ [mm]
- 1.2x1.2 (t=0.55)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | Transistor lưỡng cực BJT |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Loại transistor (Transistor Type) | NPN |
| Dòng collector tối đa (Ic) (Current - Collector (Ic) (Max)) | 150mA |
| Điện áp C-E tối đa (Vceo) (Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)) | 50 V |
Thông tin chi tiết
Có nhiều sản phẩm trong dòng, được phát triển với trọng tâm là tiết kiệm năng lượng và độ tin cậy cao, bao gồm từ các loại đóng gói siêu nhỏ đến đóng gói công suất để đáp ứng nhu cầu thị trường.
Tính năng chính
- · Dùng cho hFE cao & muting
- · Đóng gói bề mặt (SMD) nhỏ
- · Không chì (Pb-free)/tuân thủ RoHS
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| BC847BT116 ROHM SemiconductorDISCRETE TRANSISTOR SMD SST3 SINGLE NPN 45V 100mA 200MHZ 350mW Datasheet (PDF) | — | 2.950 có sẵn |
| ||
| BC847BU3HZGT106 ROHM SemiconductorBC847BU3HZG là transistor dùng cho bộ khuếch đại tín hiệu nhỏ tần số âm thanh. Transistor bổ trợ (complementary) là BC857BU3 HZG UMT3 Datasheet (PDF) | UMT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BC847BU3T106 ROHM SemiconductorBC847BU3 là transistor lưỡng cực dùng cho bộ khuếch đại tín hiệu nhỏ tần số âm thanh UMT3 Datasheet (PDF) | UMT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BC848BWT106 ROHM SemiconductorCó nhiều sản phẩm trong dòng, được phát triển với trọng tâm là tiết kiệm năng lượng và độ tin cậy cao, bao gồm từ các loại đóng gói siêu nhỏ đến đóng gói công suất để đáp ứng nhu cầu thị trường. UMT3 Datasheet (PDF) | UMT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BC857BT116 ROHM SemiconductorDISCRETE TRANSISTOR SMD SST3 SINGLE PNP 45V 100mA 250MHZ 350mW Datasheet (PDF) | — | 2.948 có sẵn |
| ||
| BC857BU3HZGT106 ROHM SemiconductorBC857BU3HZG là transistor dùng cho bộ khuếch đại tín hiệu nhỏ tần số âm thanh. Transistor bổ trợ (complementary) là BC847BU3 HZG UMT3 Datasheet (PDF) | UMT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BC857BU3T106 ROHM SemiconductorBC857BU3 là transistor lưỡng cực dùng cho bộ khuếch đại tín hiệu nhỏ tần số âm thanh UMT3 Datasheet (PDF) | UMT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BC858BWT106 ROHM SemiconductorCó nhiều sản phẩm trong dòng, được phát triển với trọng tâm là tiết kiệm năng lượng và độ tin cậy cao, bao gồm từ các loại đóng gói siêu nhỏ đến đóng gói công suất để đáp ứng nhu cầu thị trường. UMT3 Datasheet (PDF) | UMT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
