Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

2SAR554PHZGT100

PNP, SOT-89, -80V -1.5A, Transistor công suất trung bình cho ô tô

2SAR554PHZG là transistor công suất có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp. Thông báo PCN sắp tới

2SAR554PHZGT100, MPT3

Thông số

Mã nhà sản xuất
2SAR554PHZGT100
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
MPT3
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
Mã gốc (Base Part No.)
2SAR554PHZG
Kiểu đóng gói (Packing)
Cuộn băng (Taping)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
1000
Cấp nhạy ẩm (MSL)
1
Chương trình cung cấp dài hạn
8 năm
Supply Status here for details.">?
Khuyến nghị
Mã vỏ
TO-243 (SOT-89)
Vỏ JEITA
SC-62
Số chân
3
Cực tính
PNP
Công suất tiêu tán collector PC [W]
0.5
Điện áp collector-emitter VCEO1 [V]
-80
Dòng collector Io(Ic) [A]
-1.5
HFE
120 to 390
Kiểu lắp
Dán bề mặt
Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
-55
Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
150
Kích thước vỏ [mm]
4.0x4.5 (t=1.7)
Tiêu chuẩn chung
AEC-Q101 (cấp ô tô)
Tải datasheet (PDF)

Thông số kỹ thuật

Danh mục (Category)Transistor lưỡng cực BJT
Hãng (Mfr)ROHM Semiconductor
Loại transistor (Transistor Type)PNP
Dòng collector tối đa (Ic) (Current - Collector (Ic) (Max))1.5A
Điện áp C-E tối đa (Vceo) (Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max))80 V

Thông tin chi tiết

2SAR554PHZG là transistor công suất có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp. Thông báo PCN sắp tới

Tính năng chính

  • Điện áp bão hòa thấp, VCE(sat)=-400mV (Max.) (IC/IB=-500mA/-25mA)
  • Chuyển mạch tốc độ cao
  • Đạt chuẩn AEC-Q101

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
2SAR554RHZGTL

ROHM Semiconductor2SAR554RHZG là transistor công suất trung bình có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp và chuyển mạch tốc độ cao. Đây là sản phẩm có độ tin cậy cao dành cho ô tô. Thông báo PCN sắp tới

TSMT3

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

2SAR562F3TR

ROHM SemiconductorCó nhiều sản phẩm trong dòng, được phát triển với trọng tâm là tiết kiệm năng lượng và độ tin cậy cao, bao gồm từ các loại đóng gói siêu nhỏ đến đóng gói công suất để đáp ứng nhu cầu thị trường.

HUML2020L3

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

2SAR563F3TR

ROHM Semiconductor2SAR563F3 là transistor công suất trung bình có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp. HUML2020L3 (DFN2020-3S) là loại vỏ gắn bề mặt nhỏ, không chân (leadless), dẫn nhiệt và dẫn điện tuyệt vời.

HUML2020L3

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

2SAR564F3TR

ROHM Semiconductor2SAR564F3 là transistor công suất trung bình có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp. HUML2020L3 (DFN2020-3S) là loại vỏ gắn bề mặt nhỏ, không chân (leadless), dẫn nhiệt và dẫn điện tuyệt vời.

HUML2020L3

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

2SAR567F3TR

ROHM Semiconductor2SAR567F3 là transistor công suất trung bình có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp. HUML2020L3 (DFN2020-3S) là loại vỏ gắn bề mặt nhỏ, không chân (leadless), dẫn nhiệt và dẫn điện tuyệt vời.

HUML2020L3

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

2SAR572D3FRATL

ROHM Semiconductor2SAR572D3FRA là transistor công suất có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp.

TO-252 (TL)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

2SAR572D3TL1

ROHM Semiconductor2SAR572D3 là transistor công suất có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp.

TO-252 (TL1)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

2SAR573D3FRATL

ROHM Semiconductor2SAR573D3FRA là transistor công suất có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp.

TO-252 (TL)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá