2SAR563F3TR
Nhỏ gọn, dẫn nhiệt tuyệt vời, PNP -6A -50V Transistor công suất trung bình
2SAR563F3 là transistor công suất trung bình có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp. HUML2020L3 (DFN2020-3S) là loại vỏ gắn bề mặt nhỏ, không chân (leadless), dẫn nhiệt và dẫn điện tuyệt vời.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- 2SAR563F3TR
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- HUML2020L3
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Đang sản xuất (Active)
- Mã gốc (Base Part No.)
- 2SAR563F3
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 3000
- Chương trình cung cấp dài hạn
- 8 năm
- Mã vỏ
- DFN2020-3S
- Số chân
- 3
- Cực tính
- PNP
- Công suất tiêu tán collector PC [W]
- 1
- Điện áp collector-emitter VCEO1 [V]
- -50
- Dòng collector Io(Ic) [A]
- -6
- HFE
- 180 to 450
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
- 150
- Kích thước vỏ [mm]
- 2.0x2.0 (t=0.65)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | Transistor lưỡng cực BJT |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Loại transistor (Transistor Type) | PNP |
| Dòng collector tối đa (Ic) (Current - Collector (Ic) (Max)) | 6A |
| Điện áp C-E tối đa (Vceo) (Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)) | 50 V |
Thông tin chi tiết
2SAR563F3 là transistor công suất trung bình có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp. HUML2020L3 (DFN2020-3S) là loại vỏ gắn bề mặt nhỏ, không chân (leadless), dẫn nhiệt và dẫn điện tuyệt vời.
Tính năng chính
- Phù hợp cho driver công suất trung bình.
- VCE(sat) thấp
- VCE(sat)=-400mV(Max.).
- (IC/IB=-3A/-150mA)
- Dòng collector cao.
- IC=-6A (max), ICP=-12A (max)
- Đóng gói SMD nhỏ không chân (leadless) (HUML2020L3)
- Dẫn nhiệt và dẫn điện tuyệt vời.
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| 2SAR564F3TR ROHM Semiconductor2SAR564F3 là transistor công suất trung bình có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp. HUML2020L3 (DFN2020-3S) là loại vỏ gắn bề mặt nhỏ, không chân (leadless), dẫn nhiệt và dẫn điện tuyệt vời. HUML2020L3 Datasheet (PDF) | HUML2020L3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 2SAR567F3TR ROHM Semiconductor2SAR567F3 là transistor công suất trung bình có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp. HUML2020L3 (DFN2020-3S) là loại vỏ gắn bề mặt nhỏ, không chân (leadless), dẫn nhiệt và dẫn điện tuyệt vời. HUML2020L3 Datasheet (PDF) | HUML2020L3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 2SAR572D3FRATL ROHM Semiconductor2SAR572D3FRA là transistor công suất có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp. TO-252 (TL) Datasheet (PDF) | TO-252 (TL) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 2SAR572D3TL1 ROHM Semiconductor2SAR572D3 là transistor công suất có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp. TO-252 (TL1) Datasheet (PDF) | TO-252 (TL1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 2SAR573D3FRATL ROHM Semiconductor2SAR573D3FRA là transistor công suất có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp. TO-252 (TL) Datasheet (PDF) | TO-252 (TL) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 2SAR573D3TL1 ROHM Semiconductor2SAR573D3 là transistor công suất có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp. TO-252 (TL1) Datasheet (PDF) | TO-252 (TL1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 2SAR574D3FRATL ROHM Semiconductor2SAR574D3FRA là transistor công suất có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp. TO-252 (TL) Datasheet (PDF) | TO-252 (TL) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 2SAR574D3TL1 ROHM Semiconductor2SAR574D3 là transistor công suất có VCE(sat) thấp, phù hợp cho bộ khuếch đại tần số thấp. TO-252 (TL1) Datasheet (PDF) | TO-252 (TL1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
