YQ20BGE10SDTL
Diode Schottky cấu trúc Trench MOS, 100V, 20A, TO-252, hiệu suất cao
YQ20BGE10SD là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- YQ20BGE10SDTL
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- TO-252GE
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
- Mã gốc (Base Part No.)
- YQ20BGE10SD
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 2500
- Cấu hình
- Đơn
- Mã vỏ
- TO-252AA (D-PAK)
- Vỏ (JEITA)
- SC-63
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Số chân
- 3
- VRM [V]
- 100
- Điện áp ngược VR [V]
- 100
- Dòng thuận chỉnh lưu trung bình IO [A]
- 20
- IFSM [A]
- 150
- Điện áp thuận VF (Max.) [V]
- 0.86
- IF @ điện áp thuận [A]
- 20
- Dòng ngược IR (Max.) [mA]
- 0.08
- VR @ dòng ngược [V]
- 100
- Tj [℃]
- 150
- Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
- 150
- Kích thước vỏ [mm]
- 10.0x6.6 (t=2.4)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | Diode chỉnh lưu |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | Schottky |
| Điện áp ngược tối đa (Vr) (Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)) | 100 V |
| Dòng chỉnh lưu trung bình (Io) (Current - Average Rectified (Io)) | 20A |
Thông tin chi tiết
YQ20BGE10SD là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao. Lý tưởng cho nguồn xung, diode xả (freewheel) và các ứng dụng bảo vệ đảo cực. Vỏ TO-252 nhỏ gọn, mỏng và không dây.
Tính năng chính
- Độ tin cậy cao
- Loại power mold
- VF thấp và IR thấp
- Điện dung thấp
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| YQ20BM10SDFHTL ROHM SemiconductorYQ20BM10SDFH là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao. TO-252GE Datasheet (PDF) | TO-252GE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| YQ20NL10CDFHTL ROHM SemiconductorYQ20NL10CDFH là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao. LPDL (TO-263L) Datasheet (PDF) | LPDL (TO-263L) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| YQ20NL10CDTL ROHM SemiconductorYQ20NL10CD là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao. LPDL (TO-263L) Datasheet (PDF) | LPDL (TO-263L) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| YQ20NL10SDFHTL ROHM SemiconductorYQ20NL10SDFH là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao. LPDL (TO-263L) Datasheet (PDF) | LPDL (TO-263L) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| YQ20NL10SDTL ROHM SemiconductorYQ20NL10SD là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao. LPDL (TO-263L) Datasheet (PDF) | LPDL (TO-263L) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| YQ20NL10SEFHTL ROHM SemiconductorYQ20NL10SEFH là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao. LPDL (TO-263L) Datasheet (PDF) | LPDL (TO-263L) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| YQ20NL10SETL ROHM SemiconductorYQ20NL10SE là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao. LPDL (TO-263L) Datasheet (PDF) | LPDL (TO-263L) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| YQ2LAM10BTFTR ROHM SemiconductorYQ2VWM10BTF là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao. PMDTM Datasheet (PDF) | PMDTM | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
