Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

YQ10RSM10SDTL1

Diode Schottky cấu trúc Trench MOS, 100V, 10A, TO-277A, hiệu suất cao

YQ10RSM10SD là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao.

YQ10RSM10SDTL1, TO-277GE

Thông số

Mã nhà sản xuất
YQ10RSM10SDTL1
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
TO-277GE
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
Mã gốc (Base Part No.)
YQ10RSM10SD
Kiểu đóng gói (Packing)
Cuộn băng (Taping)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
4000
Cấu hình
Đơn
Mã vỏ
TO-277A
Kiểu lắp
Dán bề mặt
Số chân
3
VRM [V]
100
Điện áp ngược VR [V]
100
Dòng thuận chỉnh lưu trung bình IO [A]
10
IFSM [A]
200
Điện áp thuận VF (Max.) [V]
0.67
IF @ điện áp thuận [A]
10
Dòng ngược IR (Max.) [mA]
0.08
VR @ dòng ngược [V]
100
Tj [℃]
175
Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
-55
Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
175
Kích thước vỏ [mm]
6.5x4.6 (t=1.2)
Tải datasheet (PDF)

Thông số kỹ thuật

Danh mục (Category)Diode chỉnh lưu
Hãng (Mfr)ROHM Semiconductor
Công nghệ (Technology)Schottky
Điện áp ngược tối đa (Vr) (Voltage - DC Reverse (Vr) (Max))100 V
Dòng chỉnh lưu trung bình (Io) (Current - Average Rectified (Io))10A

Thông tin chi tiết

YQ10RSM10SD là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao. Lý tưởng cho nguồn xung, diode xả (freewheel) và các ứng dụng bảo vệ đảo cực. Vỏ TO-277 nhỏ gọn, mỏng và không dây.

Tính năng chính

  • Độ tin cậy cao
  • Loại power mold
  • VF thấp và IR thấp
  • Điện dung thấp

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
YQ12RSM10SDTFTL1

ROHM SemiconductorYQ12RSM10SDTF là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao.

TO-277GE

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

YQ12RSM10SDTL1

ROHM SemiconductorYQ12RSM10SD là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao.

TO-277GE

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

YQ15RSM10SDTFTL1

ROHM SemiconductorYQ15RSM10SDTF là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao.

TO-277GE

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

YQ15RSM10SDTL1

ROHM SemiconductorYQ15RSM10SD là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao.

TO-277GE

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

YQ1MM10ATFTR

ROHM SemiconductorYQ1MM10ATF là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao.

PMDU

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

YQ1MM10ATR

ROHM SemiconductorYQ1MM10A là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao.

PMDU

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

YQ1VWM10ATFTR

ROHM SemiconductorYQ1VWM10ATF là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao.

PMDE

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

YQ1VWM10ATR

ROHM SemiconductorYQ1VWM10A là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao.

PMDE

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá