VS6V3UC1QST18R
Dòng RASMID™ - Bộ triệt xung điện áp quá độ (TVS)
VS6V3UC1QS là diode TVS lý tưởng để bảo vệ giao diện (I/F) trong thiết bị điện tử, kích thước 0402(1006). Điện áp kẹp thấp và khả năng chịu xung cao mang lại khả năng bảo vệ vượt trội.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- VS6V3UC1QST18R
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- SMD1006
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Đang sản xuất (Active)
- Mã gốc (Base Part No.)
- VS6V3UC1QS
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 18000
- Mã vỏ
- SOD-882 (DSN1006-2)
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Số chân
- 2
- Công suất tiêu tán (PD) [mW]
- 200
- PPP @ 8/20us (Max.) [W]
- 660
- Cấu hình
- Một chiều
- Số đường bảo vệ
- 1
- VRWM [V]
- 6.3
- VBR (Min.) [V]
- 6.7
- VBR (Max.) [V]
- 7.7
- Tj [℃]
- 150
- Điện dung [pF]
- 250
- IR (Max.) [uA]
- 0.001
- VCL @ IPP 8/20us (Max.) [V]
- 14.7
- IPP 8x20us (Max.) [A]
- 45
- VESDIEC61000-4-2 [kV]
- ±30
- Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
- 150
- Kích thước vỏ [mm]
- 1.0x0.6 (t=0.23)
Thông tin chi tiết
VS6V3UC1QS là diode TVS lý tưởng để bảo vệ giao diện (I/F) trong thiết bị điện tử, kích thước 0402(1006). Điện áp kẹp thấp và khả năng chịu xung cao mang lại khả năng bảo vệ vượt trội.
Tính năng chính
- Độ tin cậy cao
- Bảo vệ ESD một chiều
- Bảo vệ ESD ±30kV (IEC61000-4-2)
- Dung sai kích thước ±10um
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| VS6V5UA1VWMTFTR ROHM SemiconductorVS6V5UA1VWMTF là diode TVS độ tin cậy cao đạt chuẩn AEC-Q101, dùng để bảo vệ chống xung đột biến và ổn định điện áp. Sản phẩm đạt đặc tính điện tương đương các sản phẩm ROHM hiện hành trong vỏ PMDE nhỏ. PMDE Datasheet (PDF) | PMDE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| VS6V5UA1VWMTR ROHM SemiconductorVS6V5UA1VWM là diode TVS dùng để bảo vệ chống xung đột biến và ổn định điện áp. Sản phẩm đạt đặc tính điện tương đương các sản phẩm ROHM hiện hành trong vỏ PMDE nhỏ. Vỏ PMDE có độ tin cậy cao và hiệu suất tản nhiệt tốt. PMDE Datasheet (PDF) | PMDE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| VS70VLNVWMTFTR ROHM SemiconductorVS70VLNVWMTF là diode TVS độ tin cậy cao đạt chuẩn AEC-Q101, dùng để bảo vệ chống xung đột biến và ổn định điện áp. Sản phẩm đạt đặc tính điện tương đương các sản phẩm ROHM hiện hành trong vỏ PMDE nhỏ. PMDE Datasheet (PDF) | PMDE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| VS70VLNVWMTR ROHM SemiconductorVS70VLNVWM là diode TVS dùng để bảo vệ chống xung đột biến và ổn định điện áp. Sản phẩm đạt đặc tính điện tương đương các sản phẩm ROHM hiện hành trong vỏ PMDE nhỏ. Vỏ PMDE có độ tin cậy cao và hiệu suất tản nhiệt tốt. PMDE Datasheet (PDF) | PMDE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| VS78VLNVWMTFTR ROHM SemiconductorVS78VLNVWMTF là diode TVS độ tin cậy cao đạt chuẩn AEC-Q101, dùng để bảo vệ chống xung đột biến và ổn định điện áp. Sản phẩm đạt đặc tính điện tương đương các sản phẩm ROHM hiện hành trong vỏ PMDE nhỏ. PMDE Datasheet (PDF) | PMDE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| VS78VLNVWMTR ROHM SemiconductorVS78VLNVWM là diode TVS dùng để bảo vệ chống xung đột biến và ổn định điện áp. Sản phẩm đạt đặc tính điện tương đương các sản phẩm ROHM hiện hành trong vỏ PMDE nhỏ. Vỏ PMDE có độ tin cậy cao và hiệu suất tản nhiệt tốt. PMDE Datasheet (PDF) | PMDE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| VS7V0UA1LAMTFTR ROHM SemiconductorVS7V0UA1LAMTF là bộ triệt xung điện áp quá độ (TVS) trong vỏ đúc nhỏ, phù hợp cho bảo vệ chống xung đột biến. Đây là sản phẩm độ tin cậy cao dùng cho ô tô. PMDTM Datasheet (PDF) | PMDTM | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| VS7V0UA1LAMTR ROHM SemiconductorVS7V0UA1LAM là bộ triệt xung điện áp quá độ (TVS) trong vỏ đúc nhỏ, phù hợp cho bảo vệ chống xung đột biến. PMDTM Datasheet (PDF) | PMDTM | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
