UUG1E222MNQ6MS
Tụ nhôm dán 2200µF 25V φ16×21.5mm Nichicon UUG1E222MNQ6MS
Không khuyến nghị cho thiết kế mới (NRND). 2200 µF, 25V, ±20%, φ16×21.5mm. Tụ nhôm dán UUG điện dung đến 10000 µF trong vỏ φ12.5–φ18 mm, cho PCB mật độ cao, đạt AEC-Q200 và RoHS.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- UUG1E222MNQ6MS
- Hãng sản xuất
- Nichicon
- Đóng gói
- φ16×21.5mm
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Dòng (Series)
- UUG
- Tình trạng (Status)
- Không khuyến nghị cho thiết kế mới (NRND)
- Điện dung (Capacitance)
- 2200 µF
- Sai số điện dung (Tolerance)
- ±20%
- Điện áp định mức (Rated Voltage)
- 25V
- Dòng gợn tần số thấp (Low Frequency Ripple Current)
- 1350 mA
- Dòng gợn tần số cao (High Frequency Ripple Current)
- 1552.5 mA
- Dòng rò (Leakage Current)
- 1.65 mA
- Dải nhiệt độ làm việc (Temperature Range)
- -40 °C ~ 85 °C
- Kích thước (Size)
- φ16 × 21.5 mm (đường kính × cao)
- Tuổi thọ (Life/Endurance)
- 2000 giờ ở 85 °C
- Kiểu lắp (Mounting Type)
- Dán bề mặt (SMD)
- Tiêu chuẩn ô tô (AEC-Q200)
- Có
- Kiểu đóng gói (Packaging)
- Cuộn băng (Embossed Carrier Taping)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | Tụ nhôm |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | Nichicon |
| Dòng sản phẩm (Series) | UUG |
| Cách đóng gói (Package) | Tape & Reel (TR) |
| Trạng thái (Product Status) | Not For New Designs |
| Điện dung (Capacitance) | 2200 µF |
| Sai số (Tolerance) | ±20% |
| Điện áp định mức (Voltage - Rated) | 25V |
| Tuổi thọ theo nhiệt độ (Lifetime @ Temp.) | 2000 Hrs @ 85°C |
| Nhiệt độ làm việc (Operating Temperature) | -40°C ~ 85°C |
| Phân cực (Polarization) | Polar |
| Chứng nhận (Ratings) | AEC-Q200 |
| Dòng gợn tần số thấp (Ripple Current @ Low Frequency) | 1.35 A @ 120 Hz |
| Dòng gợn tần số cao (Ripple Current @ High Frequency) | 1.552 A |
| Kích thước (Size / Dimension) | 0.630" Dia (16.00mm) |
| Chiều cao tối đa (Height - Seated (Max)) | 0.846" (21.50mm) |
| Kiểu lắp (Mounting Type) | Surface Mount |
| Vỏ (Package / Case) | Radial, Can - SMD |
Thông tin chi tiết
Dòng UUG gồm các tụ nhôm dán (chip) có điện dung cao hơn, với các kích thước vỏ lớn (φ12.5 mm, φ16 mm, φ18 mm). Các tụ đạt chuẩn AEC-Q200 và RoHS này được thiết kế để dán bề mặt trên PCB mật độ cao. Dòng UUG hoạt động trong dải nhiệt độ từ -40 °C đến +85 °C với các model có điện áp định mức từ 10 V đến 100 V và điện dung từ 68 µF đến 10000 µF.
Tính năng chính
- Điện dung cao trong vỏ φ12.5 mm, φ16 mm, φ18 mm
- Dán bề mặt trên PCB mật độ cao
- Dải nhiệt độ -40 °C ~ +85 °C, tuổi thọ 2000 giờ
- Đạt AEC-Q200, tuân thủ RoHS
Tài liệu
- Datasheet dòng UUG (PDF) (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo Nichicon. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| UUG1E332MNJ1MS Nichicon3300 µF, 25V, ±20%, φ18×21.5mm. Tụ nhôm dán UUG điện dung đến 10000 µF trong vỏ φ12.5–φ18 mm, cho PCB mật độ cao, đạt AEC-Q200 và RoHS. φ18×21.5mm Datasheet (PDF) | φ18×21.5mm | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| UUG1E332MNQ1MS NichiconKhông khuyến nghị cho thiết kế mới (NRND). 3300 µF, 25V, ±20%, φ18×21.5mm. Tụ nhôm dán UUG điện dung đến 10000 µF trong vỏ φ12.5–φ18 mm, cho PCB mật độ cao, đạt AEC-Q200 và RoHS. φ18×21.5mm Datasheet (PDF) | φ18×21.5mm | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| UUG1E471MNJ1MS Nichicon470 µF, 25V, ±20%, φ12.5×13.5mm. Tụ nhôm dán UUG điện dung đến 10000 µF trong vỏ φ12.5–φ18 mm, cho PCB mật độ cao, đạt AEC-Q200 và RoHS. φ12.5×13.5mm Datasheet (PDF) | φ12.5×13.5mm | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| UUG1E471MNQ1MS NichiconKhông khuyến nghị cho thiết kế mới (NRND). 470 µF, 25V, ±20%, φ12.5×13.5mm. Tụ nhôm dán UUG điện dung đến 10000 µF trong vỏ φ12.5–φ18 mm, cho PCB mật độ cao, đạt AEC-Q200 và RoHS. φ12.5×13.5mm Datasheet (PDF) | φ12.5×13.5mm | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| UUG1H102MNJ1MS Nichicon1000 µF, 50V, ±20%, φ18×21.5mm. Tụ nhôm dán UUG điện dung đến 10000 µF trong vỏ φ12.5–φ18 mm, cho PCB mật độ cao, đạt AEC-Q200 và RoHS. φ18×21.5mm Datasheet (PDF) | φ18×21.5mm | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| UUG1H102MNQ1MS NichiconKhông khuyến nghị cho thiết kế mới (NRND). 1000 µF, 50V, ±20%, φ18×21.5mm. Tụ nhôm dán UUG điện dung đến 10000 µF trong vỏ φ12.5–φ18 mm, cho PCB mật độ cao, đạt AEC-Q200 và RoHS. φ18×21.5mm Datasheet (PDF) | φ18×21.5mm | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| UUG1H221MNJ1MS Nichicon220 µF, 50V, ±20%, φ12.5×13.5mm. Tụ nhôm dán UUG điện dung đến 10000 µF trong vỏ φ12.5–φ18 mm, cho PCB mật độ cao, đạt AEC-Q200 và RoHS. φ12.5×13.5mm Datasheet (PDF) | φ12.5×13.5mm | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| UUG1H221MNQ1MS NichiconKhông khuyến nghị cho thiết kế mới (NRND). 220 µF, 50V, ±20%, φ12.5×13.5mm. Tụ nhôm dán UUG điện dung đến 10000 µF trong vỏ φ12.5–φ18 mm, cho PCB mật độ cao, đạt AEC-Q200 và RoHS. φ12.5×13.5mm Datasheet (PDF) | φ12.5×13.5mm | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |