Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

UMH9NTN

NPN+NPN, SOT-363, Transistor số kép (transistor tích hợp điện trở phân cực)

Có các linh kiện tích hợp hai transistor trong đóng gói siêu nhỏ, phù hợp cho nhiều ứng dụng như mạch khuếch đại vi sai tiền khuếch đại (pre-amplifier), mạch dao động cao tần, IC driver, v.v.

UMH9NTN, UMT6

Thông số

Mã nhà sản xuất
UMH9NTN
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
UMT6
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Đang sản xuất (Active)
Mã gốc (Base Part No.)
UMH9N
Kiểu đóng gói (Packing)
Cuộn băng (Taping)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
3000
Cấp nhạy ẩm (MSL)
1
Mã vỏ
SOT-363
Vỏ JEITA
SC-88
Số chân
6
Cực tính
NPN+NPN
Điện áp nguồn VCC 1 [V]
50
Dòng collector Io (Ic) [A]
0.1
Điện trở đầu vào R1 1 [kΩ]
10
Điện trở emitter-base R2 1 [kΩ]
47
Điện áp nguồn VCC 2 [V]
50
Dòng collector IC 2 [A]
0.1
Điện trở đầu vào R1 2 [kΩ]
10
Điện trở emitter-base R2 2 [kΩ]
47
Công suất tiêu tán (PD) [W]
0.15
Kiểu lắp
Dán bề mặt
Tương đương (linh kiện đơn)
DTC123J / DTC123J
Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
-55
Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
150
Kích thước vỏ [mm]
2.1x2.0 (t=0.9)
Tải datasheet (PDF)

Thông số kỹ thuật

Danh mục (Category)Transistor lưỡng cực BJT
Hãng (Mfr)ROHM Semiconductor
Loại transistor (Transistor Type)NPN

Thông tin chi tiết

Có các linh kiện tích hợp hai transistor trong đóng gói siêu nhỏ, phù hợp cho nhiều ứng dụng như mạch khuếch đại vi sai tiền khuếch đại (pre-amplifier), mạch dao động cao tần, IC driver, v.v.

Tính năng chính

  • · Transistor số phức hợp siêu nhỏ
  • · Tích hợp điện trở phân cực
  • · Loại hấp thụ dòng rò
  • · Đóng gói bề mặt (SMD) nhỏ
  • · Không chì (Pb-free)/tuân thủ RoHS

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
UML23NTR

ROHM SemiconductorTransistor phức hợp có Zener diode (ZD) trong đóng gói nhỏ được phát triển, giúp đơn giản hóa thiết bị giám sát điện áp nguồn.

UMT6

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

UMT18NTR

ROHM SemiconductorCó các linh kiện tích hợp hai transistor trong đóng gói siêu nhỏ, phù hợp cho nhiều ứng dụng như mạch khuếch đại vi sai tiền khuếch đại (pre-amplifier), mạch dao động cao tần, IC driver, v.v.

UMT6

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

UMT1NFHATN

ROHM SemiconductorCó các linh kiện tích hợp hai transistor trong đóng gói siêu nhỏ, phù hợp cho nhiều ứng dụng như mạch khuếch đại vi sai tiền khuếch đại (pre-amplifier), mạch dao động cao tần, IC driver, v.v.

UMT6

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

UMT1NTN

ROHM SemiconductorCó các linh kiện tích hợp hai transistor trong đóng gói siêu nhỏ, phù hợp cho nhiều ứng dụng như mạch khuếch đại vi sai tiền khuếch đại (pre-amplifier), mạch dao động cao tần, IC driver, v.v.

UMT6

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

UMT1WNHZGTR

ROHM SemiconductorUMT1WNHZG là transistor đa dụng PNP kép, tích hợp hai transistor 2SA1576U3 trong vỏ SOT-363 (UMT6) nhỏ.

UMT6

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

UMT1WNTR

ROHM SemiconductorUMT1WN là transistor đa dụng PNP kép, tích hợp hai transistor 2SA1576U3 trong vỏ SOT-363 (UMT6) nhỏ.

UMT6

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

UMT2907AT106

ROHM SemiconductorCó nhiều sản phẩm trong dòng, được phát triển với trọng tâm là tiết kiệm năng lượng và độ tin cậy cao, bao gồm từ các loại đóng gói siêu nhỏ đến đóng gói công suất để đáp ứng nhu cầu thị trường.

UMT3

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

UMT3904T106

ROHM SemiconductorCó nhiều sản phẩm trong dòng, được phát triển với trọng tâm là tiết kiệm năng lượng và độ tin cậy cao, bao gồm từ các loại đóng gói siêu nhỏ đến đóng gói công suất để đáp ứng nhu cầu thị trường.

UMT3

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá